14나노 제품 대비 생산성 20% 향상·소비전력 23% 감소
삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작한다고 18일 밝혔다.
이번 삼성전자의 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용해 전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상된 것이 특징이다. 또 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다.
삼성전자는 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있어 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것이라고 설명했다.
D램은 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 오류가 발생하지 않는다. 회사는 이번 제품에 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다.
동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용됐다.
DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다
삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"며 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다.
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