삼성전자 반도체 공장을 통째로 베껴 중국에 설립하려 한 전직 삼성전자 간부가 구속돼 재판에 넘겨졌다.
수원지검 방위사업·산업기술범죄수사부(박진성 부장검사)는 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 A(65) 씨를 구속 기소했다고 12일 밝혔다.
A씨가 세운 중국 반도체 제조 업체 직원 5명과 설계 도면을 빼돌린 삼성전자 협력업체 직원 1명 등 6명은 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 불구속 기소했다.
A씨는 2018년 8월부터 2019년까지 삼성전자의 영업비밀인 반도체 공장 BED(Basic Engineering Data)와 공정 배치도, 설계도면 등을 부정 취득·부정 사용한 혐의를 받는다.
반도체 공장 BED는 반도체 제조가 이뤄지는 공간에 불순물이 존재하지 않는 최적의 환경을 만들기 위한 기술이다. 공정배치도는 반도체 생산을 위한 핵심 8대 공정의 배치, 면적 등 정보가 기재된 도면이다.
이들 기술은 30나노 이하급 D램 및 낸드플래시를 제조하는 반도체 공정 기술로, 국가핵심기술에 해당한다.
A씨는 중국 시안에 있는 삼성전자 반도체 공장과 불과 1.5㎞ 떨어진 곳에 삼성전자 복사판인 또 다른 반도체 공장을 건설하기 위해 범행한 것으로 조사됐다.
다행히 대만의 전자제품 생산업체가 A씨에게 약정한 8조원 투자가 불발되면서 공장이 실제로 건설되진 않았다. 다만 A씨가 중국 청두시로부터 4천600억원을 투자받아 만든 반도체 제조 공장이 지난해 연구개발(R&D)동을 완공해 삼성전자 반도체 기술이 적용된 반도체 시제품을 생산한 것으로 알려졌다.
A씨는 삼성전자 상무를 거쳐 SK하이닉스 부사장을 지내는 등 국내 반도체 제조 분야에서 권위자로 손꼽혔던 인물이다. 그는 중국에 반도체 제조 공장을 설립한 뒤 국내 삼성전자와 SK 하이닉스 인력 200명을 고용한 것으로 알려졌다.
A씨는 직원들에게 삼성전자 반도체 설계 자료 등을 입수해 활용하라고 지시했고, 직원들은 지시에 따라 범행에 가담한 것으로 조사됐다.
검찰은 이번 기술 유출로 삼성전자가 최소 3천억원에 이르는 피해를 본 것으로 추산했다.
(사진=연합뉴스)
한국경제TV 디지털뉴스부 김현경 기자
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