초고속 저전력 메모리 속도 향상 기술 개발

초고속 저전력 메모리 속도 향상 기술 개발

신개념 기술 '레이스트랙 메모리' 속도 높여 실용화 성큼

(서울=연합뉴스) 임화섭 기자 = 초고속 저전력 자기메모리를 만들 수 있는 기반 기술이 개발됐다.

17일 과학기술정보통신부에 따르면 한국과학기술원 김갑진 교수, 고려대 이경진 교수 등이 이끄는 공동연구팀은 이 연구 결과를 과학 학술지 네이처 머티리얼스에 지난달 25일 실었다.

연구팀은 '자구벽 기반 자기메모리'(Domain wall-based magnetic memory), 혹은 '레이스트랙 메모리'(racetrack memory)라고 불리는 신개념 메모리 소자의 동작 속도를 높이는 기술을 개발했다.

레이스트랙 메모리는 2004년부터 IBM 석학연구원인 스튜어트 파킨 박사 등이 개발해 온 신개념 기술로, 지금의 하드디스크보다 읽고 쓰는 속도가 훨씬 빠르고 전력 소모가 적으면서 크기도 훨씬 작은 비휘발성 메모리소자를 만드는 데 활용될 잠재력이 있는 것으로 평가되지만 실용화까지는 갈 길이 멀다.






연구팀은 지금까지 레이스트랙 메모리 연구에 흔히 쓰이던 물질들과 다른 성질을 지닌 소재를 이용해, 기존 연구에서 초당 수백미터 수준에 그치던 동작 속도를 초당 2km 수준으로 끌어올리는 데 성공했다. 여기에는 가돌리늄(Gd), 철(Fe), 코발트(Co)를 포함한 금속합금이 사용됐다.






공동 제1저자 겸 공동교신저자인 김갑진 교수는 "강자성(ferromagnetism) 특성을 가진 물질을 사용해 온 기존 연구들과 달리, 페리자성(ferrimagnetism) 특성을 갖는 새로운 소재를 도입해 레이스트랙 메모리소자의 약점이던 저속 구동 문제를 해결했다"며 "지속적 연구개발을 통해 궁극적으로 상용화에 앞장서고 싶다"고 말했다.

solatido@yna.co.kr

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