삼성전자, 2027년 1.4나노 양산 선언…TSMC와 치열한 경쟁 예고

삼성전자, 2027년 1.4나노 양산 선언…TSMC와 치열한 경쟁 예고
파운드리 포럼서 밝혀…비모바일 매출 비중 50% 이상 확대
美 테일러 공장 2라인 건설…생산시점 앞당겨 수요 대응



(샌프란시스코=연합뉴스) 김태종 특파원 = 삼성전자가 5년 뒤 1.4나노(㎚·10억분의 1m) 공정을 적용한 반도체 양산을 선언했다.
삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2022'(Samsung Foundry Forum 2022)를 개최하고, 파운드리(반도체 위탁 생산) 사업의 로드맵과 신기술을 발표했다.
3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에서 삼성전자는 1.4나노 반도체 양산 계획을 처음 공개했다.
파운드리사업부장인 최시영 사장은 "게이트 올 어라운드(GAA·Gate All Around) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획"이라고 밝혔다.
GAA는 3D 구조의 핀펫(FinFET)을 넘는 차세대 트랜지스터 구조 기술이다.
지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작한 삼성전자는 2나노 공정 계획을 밝힌 적이 있지만, 1.4나노 계획을 언급한 것은 이번이 처음이다.
이에 따라 세계 1위 파운드리 업체인 대만 TSMC와 첨단 미세공정을 둘러싼 경쟁이 한층 치열해질 전망이다.
현재 3나노 공정에 들어간 TSMC도 2나노에 이어 1.4나노 공정 개발에 착수한 것으로 알려졌다. 그러나 양산 시기 등 구체적인 계획은 드러나지 않은 상태다.





삼성전자는 이와 함께 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워나간다는 목표도 제시했다.
현재 모바일에 집중된 매출을 고성능 컴퓨팅(HPC)과 오토모티브 차량용 반도체, 5G, 사물인터넷(IoT) 등 비모바일 제품군으로 확대해 나간다는 것이다.
이를 위해 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한 데 이어 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대하고, 비휘발성메모리(eNVM)와 무선주파수(RF)에도 다양한 공정을 개발해 나갈 예정이다.
현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션은 2024년에는 14나노로 확대하고, RF 공정은 8나노에 이어 5나노도 개발 중이다.
삼성전자는 이와 함께 2027년까지 선단(advanced·첨단) 공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대하기로 했다.
우선 현재 건설 중인 미국 테일러 파운드리 공장 라인을 1개에서 2개로 늘린다는 계획이다.
특히, 테일러 2라인은 클린룸(먼지·세균이 없는 생산시설)을 먼저 건설하는 '쉘 퍼스트'(Shell First) 방식을 통해 고객 수요에 적극 대응하기로 했다.
주문이 들어오면 공장을 짓는 기존 방식과 달리 TSMC나 인텔처럼 공장 프레임을 우선 만든 뒤 주문이 들어오면 생산 설비를 투입한다는 취지다.
삼성전자는 이를 통해 생산 시점을 앞당김으로써 공급을 넘는 수요에 적극적으로 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
삼성전자는 이날 파운드리 포럼을 시작으로 4일에는 파운드리 고객지원 프로그램인 'SAFE포럼'(Samsung Advanced Foundry Ecosystem Forum), 5일에는 반도체 관련 신기술 소개하는 '테크 데이'를 개최할 예정이다.
taejong75@yna.co.kr
(끝)


<저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포 금지>