삼성전자 "내년 HBM 공급 올해 2.5배 이상…선단공정 전환 가속"(종합)
3분기 실적 콘퍼런스콜…HBM3E도 내년 상반기 양산 시작
"추가 선별적인 생산 조정 지속"…D램 대비 낸드 감산폭 더 클 듯
"스마트폰 핵심기능에 생성형 AI 적용"…'실적 부진' 가전 내년 턴어라운드 기대
(서울=연합뉴스) 장하나 김아람 기자 = 삼성전자가 최근 생성형 인공지능(AI) 확산으로 급부상한 고대역폭 메모리(HBM)와 관련, 내년 HBM 생산 능력을 올해보다 2.5배 이상 늘리겠다는 계획을 내놨다.
김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "현재 HBM3와 HBM3E 신제품 사업을 확대 중이며 이미 주요 고객사와 내년 공급 물량에 대한 협의를 완료한 상황"이라며 이같이 밝혔다.
김 부사장은 "HBM3는 3분기에 이미 8단과 12단의 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다"며 "HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상한다"고 말했다.
다음 세대인 HBM3E도 24기가바이트(GB) 샘플 공급을 시작해 내년 상반기 내 양산을 시작할 예정이며, 36GB 제품은 내년 1분기 샘플을 공급할 예정이다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다.
삼성전자는 지난 20일 미국 실리콘밸리에서 열린 '메모리 테크 데이' 행사에서 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'를 처음 선보인 바 있다.
김 부사장은 "내년 하반기에는 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 더욱 높아지는 AI 시장의 요구에 적극 대응할 계획"이라며 "앞으로도 HBM 선두업체로 제품 경쟁력과 안정적인 공급력 등을 기반으로 HBM 시장 리더십을 강화하겠다"고 말했다.
메모리 시장 회복세는 감산 효과 등으로 속도를 낼 것으로 봤다.
김 부사장은 "메모리 업황 저점에 대한 인식이 확산하면서 부품 재고를 확보하기 위한 고객사 문의가 다소 접수됐다"며 "생산 하향 조정을 지속하는 중이며 재고 수준은 D램과 낸드 모두 5월 피크 아웃(정점) 이후 지속적으로 감소 중"이라고 설명했다.
4분기에는 수요 개선과 생산량 하향 조정으로 더 빠르게 재고가 감소할 것으로 예상했다.
김 부사장은 "빠른 시간 내 재고 정상화를 구현하기 위해 추가 선별적인 생산 조정 등 필요한 조치를 지속적으로 실행할 예정"이라며 "특히 D램 대비 낸드의 생산 하향 조정폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상한다"고 말했다.
그는 "내년에도 업계의 일부 선별적인 감산이 이어질 것"이라며 "2022년 하반기부터 이어진 시설투자(캐펙스·CAPEX) 축소 현상을 감안하면 업계 내 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율) 성장률은 제한적일 것"이라고 전망했다.
특히 제한된 캐펙스 내에서 HBM 투자 중심의 쏠림 현상이 발생하는 만큼 선단 공정 제품 수급은 더 타이트할 것으로 예상했다. 가격 상승 속도는 제품 수급 상황에 따라 차이가 날 것으로 봤다.
이에 따라 최신 낸드 제품인 V9 개발 등 낸드 사업성 강화에도 속도를 낼 계획이다.
김 부사장은 "최근 미국 정부로부터 VEU(검증된 최종 사용자)로 통보받았기 때문에 중국 시안 팹(공장)의 공정 전환에도 불확실성이 상당 부분 해소됐다"며 "선단 공정 전환은 향후 더 가속화할 것"이라고 말했다.
이어 "V낸드의 원가 경쟁력은 최소한의 스태킹으로 높은 단수의 셀을 쌓아올리는 게 핵심"이라며 "최근 독보적인 에칭 기술을 바탕으로 세계 최초로 싱글 스택에서 160단 이상을 구현해 더블 스택으로만으로도 300단 수준의 V9 양산 제품 동작칩을 성공적으로 확보했다"고 설명했다.
김 부사장은 "생성형 AI, 온디바이스 AI용 고성능 제품에 필수적인 선단 제품 수요는 빠르게 증가하고 있다"며 "중장기적인 경쟁력 확보 차원에서 유지해온 캐펙스 기반으로 1a, 1b 나노 D램, V7·V8 낸드 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속적으로 확대할 것"이라고 말했다.
온디바이스 AI는 클라우드와는 필요한 경우에만 선택적으로 연결되고 사용자와 밀접하게 붙어있는 스마트폰과 같은 엣지 디바이스상에서 대부분의 AI 연산이 실행되는 것을 말한다.
앞서 박용인 삼성전자 시스템LSI사업부 사장은 최근 열린 '반도체대전'(SEDEX 2023) 기조연설을 통해 "기존 클라우드 중심의 AI 시대에서 영역을 엣지단으로 확대해 온디바이스 AI가 기술적 혁신으로 이어질 것"이라며 온디바이스 AI를 통해 비용을 줄이는 방안을 목표로 제시했다.
다니엘 아라우조 상무는 이날 콘퍼런스콜에서 "향후에도 스마트폰은 AI의 가장 중요한 액세스 포인트일 것"이라며 "온디바이스와 서버 기반 AI 등 하이브리드 AI를 제공할 것"이라고 말했다. 또 "사용자의 일상 생활을 편리하게 하기 위해 고객이 매일 사용하는 핵심 기능에 생성형 AI 기술을 적용할 계획"이라며 "내년부터 의미있고 혁신적인 경험을 제공할 것"이라고 덧붙였다.
한편 삼성전자는 수요 침체 등으로 부진을 면치 못하고 있는 가전 사업의 경우 내년에는 프리미엄 중심 판매, 재고 소진, 공급망 관리(SCM) 등을 통해 턴어라운드(실적 개선)가 가능할 것으로 예상했다.
디스플레이의 경우 8.6세대 유기발광다이오드(OLED) 생산라인 투자는 계획대로 진행 중이다. 최권영 삼성디스플레이 부사장은 "제품 개발과 기술 완성도 개선도 순차적으로 계획대로 진행되고 있다"며 "선행 투자가 기술과 시장에서의 선점 효과가 있을 것"이라고 기대했다.
hanajjang@yna.co.kr
rice@yna.co.kr
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3분기 실적 콘퍼런스콜…HBM3E도 내년 상반기 양산 시작
"추가 선별적인 생산 조정 지속"…D램 대비 낸드 감산폭 더 클 듯
"스마트폰 핵심기능에 생성형 AI 적용"…'실적 부진' 가전 내년 턴어라운드 기대
(서울=연합뉴스) 장하나 김아람 기자 = 삼성전자가 최근 생성형 인공지능(AI) 확산으로 급부상한 고대역폭 메모리(HBM)와 관련, 내년 HBM 생산 능력을 올해보다 2.5배 이상 늘리겠다는 계획을 내놨다.
김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "현재 HBM3와 HBM3E 신제품 사업을 확대 중이며 이미 주요 고객사와 내년 공급 물량에 대한 협의를 완료한 상황"이라며 이같이 밝혔다.
김 부사장은 "HBM3는 3분기에 이미 8단과 12단의 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다"며 "HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상한다"고 말했다.
다음 세대인 HBM3E도 24기가바이트(GB) 샘플 공급을 시작해 내년 상반기 내 양산을 시작할 예정이며, 36GB 제품은 내년 1분기 샘플을 공급할 예정이다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다.
삼성전자는 지난 20일 미국 실리콘밸리에서 열린 '메모리 테크 데이' 행사에서 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'를 처음 선보인 바 있다.
김 부사장은 "내년 하반기에는 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 더욱 높아지는 AI 시장의 요구에 적극 대응할 계획"이라며 "앞으로도 HBM 선두업체로 제품 경쟁력과 안정적인 공급력 등을 기반으로 HBM 시장 리더십을 강화하겠다"고 말했다.
메모리 시장 회복세는 감산 효과 등으로 속도를 낼 것으로 봤다.
김 부사장은 "메모리 업황 저점에 대한 인식이 확산하면서 부품 재고를 확보하기 위한 고객사 문의가 다소 접수됐다"며 "생산 하향 조정을 지속하는 중이며 재고 수준은 D램과 낸드 모두 5월 피크 아웃(정점) 이후 지속적으로 감소 중"이라고 설명했다.
4분기에는 수요 개선과 생산량 하향 조정으로 더 빠르게 재고가 감소할 것으로 예상했다.
김 부사장은 "빠른 시간 내 재고 정상화를 구현하기 위해 추가 선별적인 생산 조정 등 필요한 조치를 지속적으로 실행할 예정"이라며 "특히 D램 대비 낸드의 생산 하향 조정폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상한다"고 말했다.
그는 "내년에도 업계의 일부 선별적인 감산이 이어질 것"이라며 "2022년 하반기부터 이어진 시설투자(캐펙스·CAPEX) 축소 현상을 감안하면 업계 내 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율) 성장률은 제한적일 것"이라고 전망했다.
특히 제한된 캐펙스 내에서 HBM 투자 중심의 쏠림 현상이 발생하는 만큼 선단 공정 제품 수급은 더 타이트할 것으로 예상했다. 가격 상승 속도는 제품 수급 상황에 따라 차이가 날 것으로 봤다.
이에 따라 최신 낸드 제품인 V9 개발 등 낸드 사업성 강화에도 속도를 낼 계획이다.
김 부사장은 "최근 미국 정부로부터 VEU(검증된 최종 사용자)로 통보받았기 때문에 중국 시안 팹(공장)의 공정 전환에도 불확실성이 상당 부분 해소됐다"며 "선단 공정 전환은 향후 더 가속화할 것"이라고 말했다.
이어 "V낸드의 원가 경쟁력은 최소한의 스태킹으로 높은 단수의 셀을 쌓아올리는 게 핵심"이라며 "최근 독보적인 에칭 기술을 바탕으로 세계 최초로 싱글 스택에서 160단 이상을 구현해 더블 스택으로만으로도 300단 수준의 V9 양산 제품 동작칩을 성공적으로 확보했다"고 설명했다.
김 부사장은 "생성형 AI, 온디바이스 AI용 고성능 제품에 필수적인 선단 제품 수요는 빠르게 증가하고 있다"며 "중장기적인 경쟁력 확보 차원에서 유지해온 캐펙스 기반으로 1a, 1b 나노 D램, V7·V8 낸드 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속적으로 확대할 것"이라고 말했다.
온디바이스 AI는 클라우드와는 필요한 경우에만 선택적으로 연결되고 사용자와 밀접하게 붙어있는 스마트폰과 같은 엣지 디바이스상에서 대부분의 AI 연산이 실행되는 것을 말한다.
앞서 박용인 삼성전자 시스템LSI사업부 사장은 최근 열린 '반도체대전'(SEDEX 2023) 기조연설을 통해 "기존 클라우드 중심의 AI 시대에서 영역을 엣지단으로 확대해 온디바이스 AI가 기술적 혁신으로 이어질 것"이라며 온디바이스 AI를 통해 비용을 줄이는 방안을 목표로 제시했다.
다니엘 아라우조 상무는 이날 콘퍼런스콜에서 "향후에도 스마트폰은 AI의 가장 중요한 액세스 포인트일 것"이라며 "온디바이스와 서버 기반 AI 등 하이브리드 AI를 제공할 것"이라고 말했다. 또 "사용자의 일상 생활을 편리하게 하기 위해 고객이 매일 사용하는 핵심 기능에 생성형 AI 기술을 적용할 계획"이라며 "내년부터 의미있고 혁신적인 경험을 제공할 것"이라고 덧붙였다.
한편 삼성전자는 수요 침체 등으로 부진을 면치 못하고 있는 가전 사업의 경우 내년에는 프리미엄 중심 판매, 재고 소진, 공급망 관리(SCM) 등을 통해 턴어라운드(실적 개선)가 가능할 것으로 예상했다.
디스플레이의 경우 8.6세대 유기발광다이오드(OLED) 생산라인 투자는 계획대로 진행 중이다. 최권영 삼성디스플레이 부사장은 "제품 개발과 기술 완성도 개선도 순차적으로 계획대로 진행되고 있다"며 "선행 투자가 기술과 시장에서의 선점 효과가 있을 것"이라고 기대했다.
hanajjang@yna.co.kr
rice@yna.co.kr
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