(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = 4일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 메모리 장벽을 돌파하기 위해 D램과 낸드플래시를 수직으로 쌓는 방식을 택했다. minfo@yna.co.kr X(트위터) @yonhap_graphics 인스타그램 @yonhapgraphics (끝)
(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = 4일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 메모리 장벽을 돌파하기 위해 D램과 낸드플래시를 수직으로 쌓는 방식을 택했다. minfo@yna.co.kr X(트위터) @yonhap_graphics 인스타그램 @yonhapgraphics (끝)