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SK하이닉스, TSV기술 활용한 초고속 D램 개발 2013-12-26 16:40:06
기술을 적용해 초고속 메모리(hbm) d램을 개발했다고 발표했다. 이 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 실리콘 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 패키지 방식이다. 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를 줄일 수 있어 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 쓰일 전망이다. 이 회사가 개발한 hbm d램은 1.2v 동작...
SK하이닉스, 4배 이상 빨라진 초고속 메모리 개발 2013-12-26 09:54:23
검증을 마쳤다. SK하이닉스는 내년 상반기 샘플을 낼 계획이다. HBM을 시스템온칩(SoC)과 같이탑재해 하나의 시스템을 이루는 패키지형 시스템(SiP) 형태로 공급한다. 이 제품의 본격 양산은 내년 하반기로 예상된다. SK하이닉스 홍성주 DRAM 개발본부장은 "TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를...
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