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中YMTC, 美마이크론에 특허 소송 2023-11-12 18:26:45
96단, 128단, 176단, 232단 3차원(3D) 낸드플래시 메모리 등이다. YMTC가 주력 생산하는 3D 낸드플래시 메모리는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 저장장치를 비롯해 휴대폰, 서버, 개인용 컴퓨터 등에 쓰인다. 올해 2분기 기준 삼성전자(31.1%)가 시장점유율 1위를 차지하고 있고 일본 키오시아(19.6%) SK하이닉스(17.8%)...
中 YMTC, 美 마이크론 상대 플래시메모리 특허 소송 미국서 제기 2023-11-12 15:58:02
최대의 3D 낸드 플래시 메모리 제조업체인 YMTC는 "마이크론이 YMTC의 특허 기술을 사용해 YMTC와의 경쟁을 방어하고 시장 지분을 획득·보호하려 한다"고 이번 소송의 이유를 설명했다. YMTC가 특허 침해를 주장하는 제품에는 96단, 128단, 176단, 232단 3D 낸드 메모리가 포함됐다. 제일재경은 YMTC가 소장에서 "YMTC는...
송재혁 삼성전자 CTO "정부·삼성 수비 잘하면 K반도체 승률↑" 2023-11-07 18:52:52
될 확률이 매우 높아질 것"이라고 말했다. 또 삼성이 D램, 낸드, 로직칩을 동시에 개발하는 세계 유일무이한 회사라는 점을 내세웠다. 송 CTO는 "D램과 로직칩도 10년 전 낸드가 갔던 대로 3차원으로 기술 방향을 틀 예정"이라며 "30년 넘게 '쉬링크 한계'라는 얘기를 들었지만, 이제는 모든 메이저 반도체 제품이...
"中YMTC 232단 낸드플래시, 7월 출시 소비자용 SSD에 탑재" 2023-10-27 12:40:36
앞선 3D 낸드 메모리 칩" (홍콩=연합뉴스) 윤고은 특파원 = 중국 최대 메모리 반도체 회사 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)가 생산한 232단 3D 낸드플래시(이하 낸드)가 소비자 기기에 사용됐다고 반도체 컨설팅 업체 테크인사이츠가 주장했다. 27일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 테크인사이츠는 25일(현지시간)...
삼성전자 "1000단 V낸드 시대 준비…초거대 AI 주도할 것" 2023-10-21 03:00:01
목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적...
칩 장비업체 램리서치 수요 위축에 타격…美 통제에도 中 호조 2023-10-19 11:43:22
있으며, 식각 장비는 3D 낸드 웨이퍼 제조 공정에 중요하다. 이 회사의 최고재무책임자(CFO)인 덕 베팅거는 실적 발표 동안 플래시 메모리 제조장비 매출이 크게 위축됐다며 첨단 칩 제조 시스템의 경우도 "타이밍" 탓에 이전 분기에 비해 감소했다고 전했다. 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 TSMC는 지난 달...
삼성 "11나노급 D램으로 초격차 지속" 2023-10-17 17:59:51
이 사장은 “10㎚급 이하 D램, 1000단 이상 낸드플래시에선 새로운 제품 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다”며 “3D(3차원) 적층 구조를 적용한 D램을 개발하고 있다”고 설명했다. 이어 “V낸드는 단수를 늘리면서도 높이는 낮추고, 셀 간 간섭을 최소화할 것”이라며 “V낸드의 입출력 스피드를 극대화하기 위해 새로...
삼성전자 "11나노급 D램과 9세대 V낸드로 메모리 초격차" 2023-10-17 14:52:00
V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 "D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구 개발하고 있고 V낸드는 단수를 늘리면서도 높이는 줄이고 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 강점을 고도화할 것"이라고 설명했다. 이어 "V낸드의 입출력 스피드를 극대화하기 위해 신구조...
삼성전자 "11나노급 D램·9세대 더블스택 V낸드 개발로 초격차" 2023-10-17 10:16:48
V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 "D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구 개발하고 있으며, V낸드는 단수를 늘리면서도 높이는 줄이고 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 강점을 고도화할 것"이라고 설명했다. 이어 "V낸드의 입출력 스피드를 극대화하기 위해...
"SK하이닉스 초기술 방향성은 'ETA'…뉴진스처럼 아이콘 되겠다" 2023-10-11 18:13:38
"D램은 공정 미세화와 함께 3D D램 기술을 동시에 준비하고 있다"고 말했다. 아울러 "낸드는 500단 이후가 어려운 도전이 될 것"이라며 "높게 쌓기만 하는 것은 한계가 있기에 데이터 저장 방식을 TLC·QLC·PLC 등 다중 저장 방식으로 전환하는 기술도 대안으로 검토하고 있다"고 덧붙였다. 융복합 응용기술에 대해 곽...