삼성전자(대표이사 최지성)가 20나노급 공정을 이용해 64Gb(기가비트) 용량의 3bit 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했습니다.
지난해 11월 삼성전자는 세계 최초로 30나노급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량이 두 배로 커진 20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산합니다.
3bit 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해
같은 칩 면적에서 1비트(bit) 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell)에 비해
약 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있도록 한 것입니다.
또한 삼성전자는 이 제품에 ''Toggle DDR'' 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현했습니다.
스마트폰, 태블릿PC 등 제품에 채용되는 메모리의 용량이 점차 커지고 있어, 앞으로 USB 메모리, SD카드 같은 제품의 용량도 점차 더 커질 것으로 예상됩니다.
지난해 11월 삼성전자는 세계 최초로 30나노급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량이 두 배로 커진 20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산합니다.
3bit 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해
같은 칩 면적에서 1비트(bit) 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell)에 비해
약 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있도록 한 것입니다.
또한 삼성전자는 이 제품에 ''Toggle DDR'' 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현했습니다.
스마트폰, 태블릿PC 등 제품에 채용되는 메모리의 용량이 점차 커지고 있어, 앞으로 USB 메모리, SD카드 같은 제품의 용량도 점차 더 커질 것으로 예상됩니다.
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