삼성전자가 `3D-TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극)` 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈(기업) 서버용 32GB D램 모듈을 개발했습니다.
이번 제품은 기존 제품 대비 속도(1,333Mbps)는 67% 빠르고 소비전력은 30% 이상 절감해 현존하는 대용량 서버용 D램 모듈 제품 가운데 가장 낮은 수준이라고 회사측은 설명했습니다.
`3D-TSV`는 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법입니다.
삼성전자 관계자는 "차세대 대용량 서버가 요구하고 있는 고성능·저전력 특성을 확보했다"며 "고성능·대용량 메모리 공급으로 프리미엄 그린메모리 시장을 지속 확대시켜 나갈 것"이라고 밝혔다.
이번 제품은 기존 제품 대비 속도(1,333Mbps)는 67% 빠르고 소비전력은 30% 이상 절감해 현존하는 대용량 서버용 D램 모듈 제품 가운데 가장 낮은 수준이라고 회사측은 설명했습니다.
`3D-TSV`는 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법입니다.
삼성전자 관계자는 "차세대 대용량 서버가 요구하고 있는 고성능·저전력 특성을 확보했다"며 "고성능·대용량 메모리 공급으로 프리미엄 그린메모리 시장을 지속 확대시켜 나갈 것"이라고 밝혔다.
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