삼성전자는 세계 최초로 `3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 밝혔습니다.
회사에 따르면 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월 만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했습니다.
또, 3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐습니다.
삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다고 말했습니다.
앞으로 삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 내년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이라고 강조했습니다.
한편, 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있으며, 내년 차세대 프리미엄 D램 수요 확대를 반영해 평택에 양산 체제를 구축했습니다.
한국경제TV 증권부 송민화 기자
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