SK하이닉스, EUV 활용한 4세대 D램 양산…생산성 25%↑

SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급 4세대(1a) D램 양산에 돌입했다.

SK하이닉스가 이달 초부터 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.

LPDDR4는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다.

SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급할 예정이다.

이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 극자외선(EUV) 공정 기술이 적용됐다.

앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

SK하이닉스 측은 "이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다"고 전했다.

신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력도 높아질 것으로 보인다.

1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어나기 때문이다.

SK 하이닉스 측은 "올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 기대한다"고 전했다.

또한 이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄인 것이 특징이다.

SK하이닉스는 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.