SK하이닉스가 세계 최고속 서버용 5세대 D램 제품 `DDR5 MCR DIMM`의 샘플 개발에 세계 최초로 성공했다고 8일 밝혔다.
회사는 이번 제품 동작 속도가 초당 8Gb(기가비트) 이상으로 초당 4.8Gb인 기존 서버용 DDR5보다 속도가 80% 넘게 빨라졌다고 설명했다.
MCR DIMM은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품이다. 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동돼 속도가 향상된 게 특징이다.
이번 MCR DIMM 개발에는 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다. 그동안 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었지만 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌, 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다.
SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 D램과 CPU 사이 신호 전달을 최적화하는 데이터 버퍼(Buffer)를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다.
이에 보통의 D램 모듈에서는 1개의 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU에 전송되지만 MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다.
SK하이닉스는 이번 제품 개발을 성공하는 데 미국 인텔(Intel), 일본 르네사스(Renesas)와의 글로벌 협업이 주효했다고 강조했다.
류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 "당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다"며 "실제로 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면, 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간의 상호작용이 매우 중요하다"고 말했다.
SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 예상한다. 수요가 본격화되는 시점에 맞춰 제품을 양산 시기를 결정할 계획이다.
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