세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 TSMC가 29일 대만 공장에서 3차원 구조의 핀펫(FinFET) 방식의 기술을 적용한 3나노(nm·10억분의 1m) 제품 양산에 들어간다고 경제일보 등 대만언론이 25일 보도했다.
보도에 따르면 TSMC는 오는 29일 남부 타이난의 남부과학단지 내 18 팹(fab·반도체 생산공장)에서 관련 기념 행사를 개최하고 향후 계획 등을 설명할 것이라고 밝혔다.
해당 12인치(300㎜) 웨이퍼 공장은 5나노 제품을 생산해온 가운데 이번 5기~9기 라인 공정에서 3나노 제품을 생산하는 것으로 알려졌다.
3나노 공정은 2023년부터 N3E 칩제조 기술을 사용힌 대량 생산에 나서 보다 나은 공정 수율(생산품 대비 정상품 비율)로 효과적인 제품을 생산할 것으로 전해졌다.
업계 전문가들은 지난 7월 삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 구조인 `GAA`(Gate-All-Around) 신기술을 적용해 파운드리 3나노 공정 제품 출하식이 이뤄진 지 6개월이 지난 상황에서 이런 행사가 개최되는 것을 두고 계속된 해외 투자로 인한 `탈(脫) 대만화`에 대한 일각의 우려를 불식시키기 위한 것으로 풀이했다.
앞서 TSMC는 애리조나 1기 공정 팹에서 4나노 반도체 칩을 생산하고, 2기 공정 팹에서 3나노 반도체 칩을 생산할 예정이다. 두 팹의 총 투자액은 400억 달러(약 51조3천억 원)에 이른다.
TSMC는 두 번째 팹까지 완공되면 웨이퍼의 연 생산량이 60만 장을 초과할 것으로 내다봤다.
대만에서는 첨단 제조공정인 3나노 공장의 미국행으로 `탈 대만화` 우려가 계속 나옴에 따라 왕메이화 경제부장(장관) 등 고위 당국자가 나서 사실이 아니라고 진화에 나서고 있다.
또 왕 부장은 지난달 3나노 이하 최신 반도체 공정은 대만에 남기는 방침을 밝히기도 했다.
게다가 TSMC는 3나노 반도체보다 첨단 제품인 2나노 제품을 개발하고 있으며 오는 2025년 생산 목표로 북부 신주 지역에 2나노 공장 건설에 나설 것이라고 밝혔다.
(사진=연합뉴스)
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