<앵커>
삼성전자와 SK하이닉스가 4일(현지시간) 'FMS 2026'에서 낸드를 포함한 차세대 메모리 기술을 선보입니다.
오늘(4일) SK하이닉스는 고대역폭플래시 HBF의 첫 표준 규격을 공개하며 시장 선점에 나섰습니다.
삼성과 SK가 낸드 투자를 확대하면서 반도체 소재·부품 업체 티씨케이가 증설을 검토하는 것으로 확인됐습니다.
자세한 내용 산업부 김대연 기자와 살펴보겠습니다.
김 기자, 오늘 SK하이닉스가 HBF를 공개했는데, 이게 어떤 의미가 있습니까?
<기자>
고대역폭메모리(HBM)를 넘어 HBF까지 선점하겠다는 전략으로 풀이됩니다.
HBM이 D램을 쌓아 '속도'를 높인 메모리라면요. HBF는 낸드플래시를 쌓아 '용량'을 키우는 데 초점을 맞췄습니다.
최근 AI 시장의 중심이 학습에서 추론으로 이동하고 있죠.
이렇게 되면 처리 속도뿐만 아니라 대용량 데이터를 얼마나 효율적으로 다루느냐가 중요해집니다.
HBM만으로는 방대한 AI 데이터를 모두 담아내기에 한계가 있는데요.
HBF가 초고속 메모리 'HBM'과 대용량 저장장치인 'SSD'의 장점을 합쳤습니다.
'HBM 1위' SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 시장을 공략하기 위해 HBF에 공을 들이는 이유인데요.
낸드플래시 강자인 미국 샌디스크와도 손잡은 것도 이 때문입니다.
지난 2월 HBF 컨소시엄을 출범했고요. 현재 구글과 텐스토렌트도 참여하고 있습니다.
오늘 첫 결과물로 HBF 표준 규격을 공개했는데요. 최대 용량은 512GB, 대역폭은 3.0TB/s(초당 테라바이트)까지 구현할 수 있습니다.
<앵커>
삼성전자도 낸드 개발에 집중하고 있는데, 주요 부품·소재사인 티씨케이가 핵심 역할을 하고 있다고요?
<기자>
티씨케이의 주력 제품이 실리콘카바이드(SiC) 링인데요. 매출의 약 70%를 차지하고 있습니다.
SiC 링은 반도체 회로를 깎는 공정에서 웨이퍼를 보호하는 소모성 부품입니다.
실리콘과 탄소를 결합한 특수 소재인데요. 고온과 플라즈마 환경에 강해 핵심 부품으로 쓰입니다.
낸드 층수가 높아질수록 깊은 구멍을 뚫어야 하는 식각 공정의 난도가 높아지는데요.
수율 안정화를 위해 장비사들이 SiC 링 재고를 선제적으로 확보하는 상황입니다.
특히 삼성전자도 4일 FMS 2026에서 'V-낸드'를 선보일 예정입니다. 낸드 셀을 수직으로 쌓아 올린 3차원 구조의 메모리 기술인데요.
이달 중 업계 최초로 셀을 400단 쌓아 올린 10세대 낸드(V10) 양산에도 돌입합니다.
덕분에 티씨케이가 수혜를 받을 것이라는 기대감도 커지고 있는데요.
글로벌 SiC 링 시장에서 90%의 점유율로 압도적인 경쟁력을 갖췄기 때문입니다.
<앵커>
최근 글로벌 메모리 회사들이 앞다퉈 증설 경쟁을 벌이고 있는데, 티씨케이도 증설을 준비하고 있다고요?
<기자>
티씨케이가 경기도 안성테크노밸리에 증설을 검토 중인 것으로 확인됐습니다.
이미 지난 2022년 5월에 256억 원을 들여 부지를 확보했고요.
지난 6월 말 인허가 예정이었지만, 오는 10월 말로 미뤄진 상태입니다.
기존 안성 공장 가동률이 1분기 기준 95.8%인데요. 생산능력이 최대치에 근접했습니다.
티씨케이 관계자는 "인허가를 앞두고 내부적으로 증설을 최대한 빠르게 준비 중"이라고 전했는데요.
실제로 올해만 낸드 가격이 5배 넘게 뛸 정도로 수요가 크게 늘고 있습니다. 19개월째 상승세인데요.
증권가에선 올해 티씨케이 실적이 역대 최대였던 지난 2022년 수준에 이를 것으로 전망합니다.
매출 4천억 원, 영업이익 1,200억 원으로 추산됩니다. 각각 전년 대비 30%, 50% 증가한 수치인데요.
삼성과 SK의 낸드 투자가 확대되면서 SiC 링 판매가 급증할 것으로 분석됩니다.
<앵커>
잘 들었습니다. 산업부 김대연 기자였습니다.
삼성전자와 SK하이닉스가 4일(현지시간) 'FMS 2026'에서 낸드를 포함한 차세대 메모리 기술을 선보입니다.
오늘(4일) SK하이닉스는 고대역폭플래시 HBF의 첫 표준 규격을 공개하며 시장 선점에 나섰습니다.
삼성과 SK가 낸드 투자를 확대하면서 반도체 소재·부품 업체 티씨케이가 증설을 검토하는 것으로 확인됐습니다.
자세한 내용 산업부 김대연 기자와 살펴보겠습니다.
김 기자, 오늘 SK하이닉스가 HBF를 공개했는데, 이게 어떤 의미가 있습니까?
<기자>
고대역폭메모리(HBM)를 넘어 HBF까지 선점하겠다는 전략으로 풀이됩니다.
HBM이 D램을 쌓아 '속도'를 높인 메모리라면요. HBF는 낸드플래시를 쌓아 '용량'을 키우는 데 초점을 맞췄습니다.
최근 AI 시장의 중심이 학습에서 추론으로 이동하고 있죠.
이렇게 되면 처리 속도뿐만 아니라 대용량 데이터를 얼마나 효율적으로 다루느냐가 중요해집니다.
HBM만으로는 방대한 AI 데이터를 모두 담아내기에 한계가 있는데요.
HBF가 초고속 메모리 'HBM'과 대용량 저장장치인 'SSD'의 장점을 합쳤습니다.
'HBM 1위' SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 시장을 공략하기 위해 HBF에 공을 들이는 이유인데요.
낸드플래시 강자인 미국 샌디스크와도 손잡은 것도 이 때문입니다.
지난 2월 HBF 컨소시엄을 출범했고요. 현재 구글과 텐스토렌트도 참여하고 있습니다.
오늘 첫 결과물로 HBF 표준 규격을 공개했는데요. 최대 용량은 512GB, 대역폭은 3.0TB/s(초당 테라바이트)까지 구현할 수 있습니다.
<앵커>
삼성전자도 낸드 개발에 집중하고 있는데, 주요 부품·소재사인 티씨케이가 핵심 역할을 하고 있다고요?
<기자>
티씨케이의 주력 제품이 실리콘카바이드(SiC) 링인데요. 매출의 약 70%를 차지하고 있습니다.
SiC 링은 반도체 회로를 깎는 공정에서 웨이퍼를 보호하는 소모성 부품입니다.
실리콘과 탄소를 결합한 특수 소재인데요. 고온과 플라즈마 환경에 강해 핵심 부품으로 쓰입니다.
낸드 층수가 높아질수록 깊은 구멍을 뚫어야 하는 식각 공정의 난도가 높아지는데요.
수율 안정화를 위해 장비사들이 SiC 링 재고를 선제적으로 확보하는 상황입니다.
특히 삼성전자도 4일 FMS 2026에서 'V-낸드'를 선보일 예정입니다. 낸드 셀을 수직으로 쌓아 올린 3차원 구조의 메모리 기술인데요.
이달 중 업계 최초로 셀을 400단 쌓아 올린 10세대 낸드(V10) 양산에도 돌입합니다.
덕분에 티씨케이가 수혜를 받을 것이라는 기대감도 커지고 있는데요.
글로벌 SiC 링 시장에서 90%의 점유율로 압도적인 경쟁력을 갖췄기 때문입니다.
<앵커>
최근 글로벌 메모리 회사들이 앞다퉈 증설 경쟁을 벌이고 있는데, 티씨케이도 증설을 준비하고 있다고요?
<기자>
티씨케이가 경기도 안성테크노밸리에 증설을 검토 중인 것으로 확인됐습니다.
이미 지난 2022년 5월에 256억 원을 들여 부지를 확보했고요.
지난 6월 말 인허가 예정이었지만, 오는 10월 말로 미뤄진 상태입니다.
기존 안성 공장 가동률이 1분기 기준 95.8%인데요. 생산능력이 최대치에 근접했습니다.
티씨케이 관계자는 "인허가를 앞두고 내부적으로 증설을 최대한 빠르게 준비 중"이라고 전했는데요.
실제로 올해만 낸드 가격이 5배 넘게 뛸 정도로 수요가 크게 늘고 있습니다. 19개월째 상승세인데요.
증권가에선 올해 티씨케이 실적이 역대 최대였던 지난 2022년 수준에 이를 것으로 전망합니다.
매출 4천억 원, 영업이익 1,200억 원으로 추산됩니다. 각각 전년 대비 30%, 50% 증가한 수치인데요.
삼성과 SK의 낸드 투자가 확대되면서 SiC 링 판매가 급증할 것으로 분석됩니다.
<앵커>
잘 들었습니다. 산업부 김대연 기자였습니다.
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