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美대선 앞두고 '자국 우선' 심화…국내 반도체·배터리 노심초사 2024-10-29 13:20:08
트럼프 당선시 삼성전자와 SK하이닉스의 대미 투자에도 영향을 미칠 수 있다는 우려가 나오고 있다. 삼성전자는 현재 2026년 가동을 목표로 텍사스주 테일러에 170억달러(약 23조5천억원)를 투자해 반도체 공장을 짓고 있다. 삼성전자는 투자 규모를 늘려 2030년까지 총 450억달러를 투자할 계획이다. SK하이닉스는 지난...
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SK하이닉스 "HBM, '하이닉스 베스트 메모리'…패키징 기술 개발" 2024-10-24 16:04:37
예정이다. SK하이닉스는 이날 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 "내년 상반기 중 12단 제품 비중이 전체 HBM3E 출하량의 절반 이상으로 증가할 계획"이라고 밝혔다. 이 부사장은 이어 개발 중인 HBM4 16단을 언급하며 "어드밴스드 MR-MUF를 더 고도화하고, 하이브리드 본딩 등 새로운 기술을 준비하고 있다"고 전했다. 그러면서...
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SK하이닉스 "HBM 둔화 우려 시기상조…내년 협의 대부분 완료"(종합) 2024-10-24 11:42:35
전환을 앞당긴다는 방침이다. SK하이닉스는 "차세대 HBM은 원가를 낮추는 것보다 고객이 원하는 수준의 품질로 적기에 공급하는 게 핵심"이라며 "6세대 제품 HBM4는 내년 하반기 출하를 목표로 어드밴스드 MR-MUF, 1bnm(나노미터) 기술을 적용하고, 파운드리 파트너사(대만 TSMC)와 원팀 체계도 구축 중"이라고 밝혔다. ◇...
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여천NCC 회사채 960억 미매각…화학업계 자금조달 '빨간불' 2024-10-11 14:20:13
롯데케미칼, 한화솔루션, SK어드밴스드, 효성화학, HD현대케미칼의 신용도에 ‘부정적’ 전망이 매겨진 상태다. 향후 신용등급이 하향 조정될 가능성이 높다는 뜻이다. 신용도 위험이 커진 만큼 재무안정성을 높이기 위한 자구책이 시급하다는 평가다. 한국기업평가 관계자는는 “중국의 저성장과 증설 부담 등을 이유로...
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삼성전자는 '반성문' 썼는데…"기술력 자부"한 SK하이닉스 2024-10-10 19:30:01
5세대 HBM 등 '업계 1위' 리더십 지속 강화SK하이닉스는 지난해 5세대 HBM인 HBM3E를 개발해 글로벌 유수의 IT 기업에 공급을 시작했다. 이 제품은 초당 1.2테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. SK하이닉스는 지난 4월 미국 인디애나주에서 어드밴스드 패키징 생산기지 건설을 위한 투자 협약을 체결했다. AI...
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[고침] 경제(SK하이닉스, TSMC 주최 포럼 참가…"HBM3E 12…) 2024-09-26 17:19:21
이병도 SK하이닉스 HBM 패키지 TE(테크니컬 인에이블링) TL은 발표에서 고성능·고효율 HBM 패키지를 개발하기 위해서는 TSMC와의 기술 협업뿐 아니라 여러 업체와의 협업 또한 중요하다고 강조했다. 이와 함께 이 TL은 "TSMC 베이스 다이를 활용해 HBM4(6세대)의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는...
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SK하이닉스, TSMC 주최 포럼 참가…"HBM3E 12단, H200에 탑재" 2024-09-26 15:54:38
이병도 SK하이닉스 HBM 패키지 TE(테크니컬 인에이블링) TL은 발표에서 고성능·고효율 HBM 패키지를 개발하기 위해서는 TSMC와의 기술 협업뿐 아니라 여러 업체와의 협업 또한 중요하다고 강조했다. 이와 함께 이 TL은 "TSMC 베이스 다이를 활용해 HBM4(6세대)의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는...
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흔들림 없는 '글로벌 1위'…SK하이닉스, 또 세계 최초 '잭팟' 2024-09-26 10:24:19
쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스 핵심 기술인 어드밴드스 MR-MUF 공정으로 방열 성능을 10% 높였고 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품 안전성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다....
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SK하이닉스, 세계 최초 'HBM3E 12단' 양산 돌입 2024-09-26 10:06:21
얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "당사는 다시 한번 기술 한계...
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SK하이닉스, HBM3E 12단도 앞서 나간다…세계 최초 양산 돌입 2024-09-26 09:08:52
수준이다. SK하이닉스는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드...
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