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[종합] 코로나 버틴 삼성 '반도체 저력'…1Q 영업익 6.4조 2020-04-29 09:47:19
탄력적 투자 운영과 제품별 생산비중을 조정하는 한편 1z 나노 D램과 6세대 V낸드 등 미세 공정 전환에 속도를 내기로 했다. 시스템LSI 사업은 2분기 코로나19로 인해 수요가 전반적으로 위축될 것으로 예상되는 가운데 5G 시스템온칩(SoC)와 프리미엄 이미지 센서 중심으로 공급을 확대한다. 하반기에는 신제품 출시와 ...
`반도체 선방` 삼성, 영업익 6.4조원…"2분기는 어려울 것" 2020-04-29 09:29:49
투자 운영과 제품별 생산비중을 조정하는 한편, 1z 나노 D램과 6세대 V낸드 등 미세 공정 전환 가속화를 통해 기술 리더십과 원가 경쟁력 강화에 주력할 방침이다. 디스플레이 사업에서는 비수기 영향으로 중소형 패널은 전분기 대비 이익이 줄었으나, 대형 패널은 판가 하락폭 둔화로 적자폭이 다소 축소됐다. 1분기 매출...
SK하이닉스 1분기 '깜짝실적'…코로나발 '비대면 IT' 수요 덕분(종합2보) 2020-04-23 11:23:48
수익성을 개선해나갈 예정이라고 설명했다. 10나노급 3세대(1Z) 제품도 하반기에 양산을 시작하는 한편 본격적인 성장이 예상되는 GDDR6와 HBM2E 시장에도 적극적으로 대응할 계획이다. 낸드플래시는 96단 제품의 비중 확대와 함께 2분기 중에 128단 제품의 양산을 시작한다. 또한, SSD 판매 비중을 늘리고, 데이터센터향...
SK하이닉스, 코로나에도 '흑자전환'…작년 1분기 이후 영업익 최대 2020-04-23 09:26:17
수익성을 개선한다는 복안. 10나노급 3세대(1Z) 제품도 하반기 양산에 돌입하는 한편 본격 성장이 예견되는 D램 GDDR6과 고대역폭메모리인 HBM2E 시장에도 적극 대응하기로 했다, 낸드플래시는 96단 제품 비중 확대와 함께 2분기 중에 128단 제품 양산에 나선다. 1분기 40%에 도달한 SSD 판매 비중도 늘린다. 데이터센터향...
SK하이닉스 1분기 '깜짝 실적'…영업이익 전분기대비 239%↑(종합) 2020-04-23 09:06:30
예정이라고 설명했다. 10나노급 3세대(1Z) 제품도 하반기에 양산을 시작하는 한편 본격적인 성장이 예상되는 GDDR6와 HBM2E 시장에도 적극적으로 대응할 계획이다. 낸드플래시는 96단 제품의 비중 확대와 함께 2분기 중에 128단 제품의 양산을 시작한다. 또한, 1분기 40%에 이른 SSD 판매 비중을 늘리고, 데이터센터향 PCIe...
SK하이닉스 `어닝서프라이즈`…1분기 영업익 8천억원 2020-04-23 09:00:08
확대로 수익성을 개선한다. 10나노급 3세대(1Z) 제품도 하반기 양산에 돌입하는 한편 본격적인 성장이 예상되는 GDDR6와 HBM2E 시장에도 적극 대응할 계획이다. 낸드플래시는 96단 제품의 비중 확대와 함께 2분기 중에 128단 제품의 양산을 시작한다. 또 1분기 40%에 도달한 SSD 판매 비중을 더욱 늘리고 데이터센터향...
삼성전자, D램에도 EUV 공정 적용…"미세공정 한계 돌파" 2020-03-25 08:49:52
9월 양산에 돌입한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램까지는 EUV 공정을 도입하지 않았으나, 미세화의 한계가 오면서 EUV 적용에 박차를 가한 것으로 알려졌다. 현재 회사는 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발하고 있다. 양산에 성공하면 1x D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높일...
"올해 반등→코로나 악재"…반·디, 그래도 갈 길 간다 2020-03-23 12:09:42
말했다. SK하이닉스도 지난해 개발한 10나노급 3세대(1z) D램과 128단 낸드플래시 등 차세대 제품을 올해 본격 생산한다. 품질관리 고도화를 통해 고부가 서버 D램과 SSD 판매에 집중할 것으로 예상된다. 원가 경쟁력 강화, 자산 효율화 극대화 등 보수적 경영이 예견되는 가운데서도 이석희 SK하이닉스 사장은 "업계...
삼성전자·SK하이닉스, 작년 반도체 부진에도 R&D투자 '사상 최대' 2020-02-27 15:18:14
약 13조원을 투자했다. SK하이닉스 역시 차세대 기술 선점을 위한 투자를 지속했다. 지난해 6월 128단 4D 낸드플래시 양산에 성공한 SK하이닉스는 같은해 8월 고대역폭 메모리(HBM)인 'HBM2E D램', 10월에는 3세대 10나노급(1z) 16GB(기가비트) DDR D램을 개발했다. 배성수 한경닷컴 기자 baebae@hankyung.com...
SK하이닉스, 작년 연구개발비 3조2천억원…역대 최대 2020-02-27 12:43:15
가운데 기술 투자는 줄이지 않고 있는 모습이다. SK하이닉스는 지난해 10월 3세대 10나노급(1z) 16Gb(기가비트) 더블데이터레이트(DDR)4 D램을 개발하는 등 차세대 기술 선점을 위한 투자를 이어오고 있다. 작년 8월에는 고대역폭 메모리(HBM·High Bandwidth Memory)인 'HBM2E D램' 개발에 성공했고, 6월 128단 4D...