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삼성전자, 'V-낸드' 탑재 고성능 SSD 첫선 2013-08-15 06:03:16
최초로 양산에 들어간 Ɖ차원 수직구조 낸드플래시(3D Vertical NAND flash·V-낸드)' 메모리반도체를 탑재한 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 처음 선보였다. 이는 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 신개념의 V-낸드로 만든 첫 완제품칩이다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 13일(현지시간) 미국...
"삼성전자 V-NAND, 업계 최고 원가 경쟁력 확보 "-KB투자증권 2013-08-07 08:51:30
통해 업계 최고의 원가 경쟁력을 확보하게 되었다는 점에서 향후 SSD 시장에서 삼성전자의 독주 가능성이 높아졌다"고 말했습니다. 이런 가운데 삼성전자는 어제(6일) 세계 최초로 수직 구조의 3차원(3D) 낸드플래시 메모리 양산에 돌입했다고 밝힌 바 있습니다. V-NAND란 기존 2D planar NAND의 10나노급에서 발생한...
"메모리 사업 30년 큰 획 그은 신기술" 삼성전자, 모바일 패러다임 바꾼다 2013-08-07 02:05:00
삼성전자는 우선 3d v-낸드를 경기 화성 사업장에서 생산한 뒤 올해 말 완공하는 중국 시안 공장에서 대량 생산할 계획이다. 최정혁 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(전무)은 “높은 신뢰성을 요구하는 서버용 메모리에 3d 낸드를 우선 적용한 뒤 pc나 스마트폰용으로 확대할 것”이라고 말했다. 삼성전자가 3d...
삼성 세계 첫 '3D 메모리'…'아파트형' 낸드 양산 2013-08-06 17:13:30
미세공정의 한계를 극복한 ‘3차원 구조 수직형 낸드플래시(3d v-낸드·사진)’를 개발해 본격 생산에 나선다.삼성은 이 기술을 토대로 ‘기가바이트(gb)’를 넘어 ‘테라바이트(tb·1tb=1024gb)’ 시대를 앞서 열 수 있게 됐다. 향후 반도체와 모바일기기 산업의 패러다임 변화를 주도할 수 있는 유리한 고지를 선점했다는...
<'단독주택'→'고층아파트' 칩 설계로 기술한계 극복> 2013-08-06 14:14:33
더 작게 만들고 배선을 더 얇게 할 수밖에 없다. 낸드플래시는 현재 회로 선폭이 사람 머리카락 굵기의 5천분의 1 크기인 20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ)급 제품이 주력이고, 집적도를 2배로 높인 10나노급제품이 막 개발된 상태다. 하지만 배선 간격이 너무 좁아지자 셀 사이에 간섭 현상이 생기면서...
삼성전자, 세계최초 3차원 메모리 반도체 양산 2013-08-06 11:00:01
세계 최초로 3차원 메모리 반도체 양산을 시작합니다. 이번 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리는 업계 최대 용량인 128기가비트(Gigabit) 제품입니다. 삼성전자의 독자 기술 `3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀구조`와 `3차원 수직적층 공정` 기술이 동시 적용된 이 제품은 기존 20나노급 대비 집적도가 2배 이상...
삼성전자, 세계 최초 '3D 수직구조 낸드플래시' 양산 2013-08-06 10:31:01
3D Charge Trap Flash) 셀구조'와 Ɖ차원 수직적층 공정' 기술이 적용돼 기존 20나노미터(nm·1nm = 10억분의1ｍ / 사람 머리카락 굵기의 5천분의 1)급 제품 대비 집적도가 2배 이상 높아졌다. 제품 용량은 업계 최대인 128Gb(기가비트)다. 128기가비트 용량은 1천280억개 메모리 저장장소를 손톱만한 크기의...
[29일 증권사 추천종목]유진테크·제일기획 등 2013-07-29 07:51:32
확대로 증착장비 수요 증가. 삼성전자 중국 공장을 시작으로 3d 낸드 투자 확대 수혜) <추천제외종목> - cj(수익실현) ◆대신증권 <신규추천종목> - 롯데케미칼(2분기 영업이익 889억원으로 컨센서스(시장 예상치 평균) 725억원 대비 23% 웃돈 실적 시현. 투자센티멘트 개선될 전망. 부타디엔(bd) 및 모노에틸렌글리콜(meg)...
원익IPS, 업황 호조에 따른 수혜 전망-이트레이드 2013-06-07 07:58:45
및 3d 디자인 적용에 따른 수혜가 본격화될 것으로 보인다.그는 "특히 낸드 및 시스템 반도체용 플라스마 화학증착장비(pe cvd) 장비 및 라인 증설에 따른 가스 배관 설비 수주가 가시화될것"이라고 예상했다. 한경닷컴 이민하 기자 minari@hankyung.com ▶[속보] 급등주 자동 검색기 '정식 버전' 드디어 배포 시작...
SK하이닉스, 반도체 R&D에 1조 투자 2013-05-22 17:21:13
중요해졌다”고 배경을 설명했다. sk하이닉스는 낸드 플래시에서는 미세공정 한계를 넘기 위해 3d 낸드를 개발 중이다. 3d 적층 기술은 회로 선폭을 줄여 집적도를 높이는 미세공정 기술과 달리 셀을 위로 쌓아 집적도를 높이는 방식이다. 또 일본 도시바, 미국 휴렛팩커드 등과 손잡고 pc램, re램, stt-m램 등 다양한...
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