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이종민 에이직랜드 대표 “IPO 계기로 미국 팹리스 시장 공략” 2023-10-24 15:20:37
5나노, 7나노 반도체를 개발 및 양산할 수 있는 설계 기술력과 설계 경험을 보유하고 있다. CoWos(칩 온 웨이퍼 온 서브 스트레이트) 등 첨단 패키징 솔루션도 확보해 제품에 적용할 준비를 마쳤다. 반도체 설계자산(IP) 사업에도 직접 뛰어들었다. 지난 2월 반도체 IP 전문회사 아크칩스 지분 19%를 확보한 데 이어 오는...
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삼성 HBM, 1초에 고화질영화 40편 처리 2023-10-21 11:47:34
10나노 이하 D램에서는 기존 2차원(2D)의 평면이 아닌 3D의 신구조를 도입할 계획이라고 밝혔다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D의 수직 구조로 극복하고 성능도 향상한다는 것이다. 이를 통해 1개 칩에서 용량을 100기가비트(Gb) 이상 늘릴 계획이다. 삼성전자는 이날 또 최근 업계 최초로 개발한 12나노급 32Gb DDR5...
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삼성전자, 초거대 AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개(종합) 2023-10-21 11:32:16
AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개(종합) 실리콘밸리서 AI시대 주도 '차세대 메모리 제품' 대거 선보여 SK하이닉스 등과 HBM 시장 치열 경쟁 예고…올해 점유율 접전 예상 10나노 이하 D램 3D 신구조 도입 준비…32Gb DDR5 D램 등도 소개 '칩워' 저자 크리스 밀러 및 인텔, MS, 리비안 등...
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삼성 차세대 AI용 메모리 출격…"압도적 1위로" 2023-10-21 03:00:03
삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 HBM3E D램 등 차세대 메모리 반도체를 공개했다. 생성형 인공지능(AI)의 고성능화를 지원하는 고대역폭·저전력 메모리 시장에서도 주도권을 가져가겠다는 전략이다.“초거대 AI 시대 주도”삼성전자는 20일 미국 캘리포니아주 새너제이에 있는 맥에너리컨벤션에서 ‘삼성 메모리 테크데이...
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삼성전자, 초거대 AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개 2023-10-21 03:00:01
초거대 AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개 실리콘밸리서 AI시대 주도 '차세대 메모리 제품' 대거 선보여 SK하이닉스 등과 HBM 시장 치열 경쟁 예고…올해 점유율 접전 예상 10나노 이하 D램 3D 신구조 도입 준비…32Gb DDR5 D램 등도 소개 (샌프란시스코=연합뉴스) 김태종 특파원 = 삼성전자가...
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삼성전자 "1000단 V낸드 시대 준비…초거대 AI 주도할 것" 2023-10-21 03:00:01
11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발...
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美 반도체 추가제재, 中업체들에 된서리…"완전 국산화 어려워" 2023-10-19 12:16:24
GPU 제품으로 7㎚(나노미터=10억분의 1ｍ) 공법이 적용된 칩 두 종을 출시하며 엔비디아의 A100과 H100칩과 맞서겠다고 주장하기도 했다. 무어 쓰레드는 2020년 설립 후 GPU칩과 게임용 그래픽카드를 잇따라 내놓으며 떠오른 기업이다. 전방위로 활용 가능한 GPU칩과 관련 제품 연구·개발·설계에 치중하면서 3D 렌더링과...
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삼성 "11나노급 D램으로 초격차 지속" 2023-10-17 17:59:51
나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급 D램, 9세대 V낸드플래시를 개발해 메모리 반도체 ‘초격차’를 이어가겠다는 계획을 공개했다. 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장·사진)은 17일 삼성 반도체 뉴스룸 기고를 통해 “D램과 낸드플래시의 집적도를 ‘극한의 수준’으로 높여나가겠다”고 말했다. 집적도를 높인다는 것은...
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삼성전자 "11나노급 D램과 9세대 V낸드로 메모리 초격차" 2023-10-17 14:52:00
나노미터(nm·1nm=10억분의 1m)급 D램, 9세대 V낸드플래시를 통해 메모리반도체 사업에서 '초격차'를 유지할 것이란 뜻을 나타냈다. 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 올린 기고문 '삼성 메모리의 혁신, 무한한 가능성을 열다'를 통해 "D램과 낸드플래시의 집적도를...
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삼성전자 "11나노급 D램·9세대 더블스택 V낸드 개발로 초격차" 2023-10-17 10:16:48
삼성전자 "11나노급 D램·9세대 더블스택 V낸드 개발로 초격차" 이정배 메모리사업부장 기고문…20일 美 실리콘밸리서 '삼성 메모리 테크데이' "구조·소재 혁신으로 10나노 이하 D램, 1천단 V낸드 시대 주도" (서울=연합뉴스) 장하나 기자 = 삼성전자[005930]가 현재 개발 중인 11나노급 D램과 9세대 V낸드의...
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