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삼성전자, 美 AMD AI칩에 HBM4 공급한다…파운드리로 협력 확대 시사 2026-03-18 17:00:00
4를 양산 출하한 데 이어 AMD 공급을 확정 지으며 HBM 시장 점유율을 높일 수 있을 전망이다. 삼성전자 HBM4는 업계 최초로 10나노 6세대(1c) D램과 4나노 공정 기반의 베이스다이 기술을 적용했다. 최대 13Gbps의 데이터 처리 속도와 최대 3.3TB/s 대역폭 등의 성능을 제공한다. 양사는 HBM뿐 아니라 고성능 DDR5 메모리...
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"감사합니다" 삼성에 쏟아진 응원…'AI 경영전략' 보니 2026-03-18 16:40:27
HBM4 등 AI·서버향 고부가가치 제품 중심으로 대응에 나선다. 투자 효율과 생산성 향성을 통해 원가 경쟁력도 강화한다. 파운드리는 GAA 공정 리더십을 토대로 사업 기회를 포착한다는 구상이다. 2나노 시대 기술 주도권을 확보하고 데이터센터·로보틱스 등 다양한 AI 수요를 기반으로 선단 공정 사업에 주력한다. 차별화...
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삼성, HBM4로 초격차…전영현 "다년 공급 계약 추진" 2026-03-18 14:26:50
나타나고 있다"고 전했습니다. 최근 엔비디아와 계약한 그록3도 4나노 공정 이상 제품으로, 수율을 높이는 데 집중하겠다고 밝혔습니다. <앵커> 오늘 리사 수 AMD CEO가 방한해 삼성전자 경영진들과 만날 예정인데, 구체적으로 어떤 논의가 오갈 것으로 보입니까? <기자> 리사 수 AMD CEO는 오늘부터 이틀간...
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삼성전자 "다년공급계약 추진으로 반도체 시장 변동성 대응" 2026-03-18 12:30:36
엔비디아 CEO가 언급했던 '그록 3' 칩은 4나노 공정 기반의 칩으로, 4나노 공정 이상의 제품 수율을 올리는 데도 집중하고 있다"고 말했다. 삼성전자 반도체 사업을 맡고 있는 DS부문은 차별화된 근원적 기술 경쟁력으로 경쟁 우위 지속하겠다는 올해 사업 전략을 강조했다. 전 부회장은 "메모리는 품질, 양산 경쟁...
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"정말 고맙다" 젠슨 황 '삼성' 콕 집은 이유가…'파격 전망' 2026-03-17 17:38:18
HBM4E를 업계 최초로 공개하며 기술 경쟁력을 과시했다. SK하이닉스는 최태원 SK그룹 회장과 곽노정 SK하이닉스 CEO 등 주요 경영진이 총출동해 젠슨 황 CEO와의 견고한 협력 관계를 재확인했다. 삼성 '차세대 AI칩' 주도권 쥔다…HBM 이어 파운드리 수주 낭보 4나노 공정 HBM4E 첫 공개…핀당 속도 기존대비 45%...
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젠슨 황 "AI 추론칩 생산, 삼성에 감사" 2026-03-17 17:30:19
공개했다. 그록3 LPU는 삼성전자 파운드리 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정 기반으로 생산된다. 삼성전자가 엔비디아에 AI 가속기에 들어가는 고대역폭메모리(HBM)를 공급하는 데 이어 추론 전용 칩 생산까지 맡아 두 회사 간 협력이 AI 반도체 생태계 전반으로 확대됐다는 분석이 나온다. 젠슨 황 엔비디아...
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젠슨 황 "삼성에 감사"…HBM 넘어 파운드리 동맹 2026-03-17 16:35:40
삼성 파운드리 4나노 공정으로 만듭니다. 삼성은 엔비디아에 공급하는 HBM4의 로직 다이에도 파운드리 4나노 공정을 적용했는데 시스템 반도체에서 지속적인 성과를 내고 있습니다. 삼성은 이번 GTC에서 'HBM4E'의 실물도 처음으로 공개했습니다. HBM4E는 '루빈'에 들어가는 HBM4 대비 전송 속도도 빠르고,...
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삼성 "올해 HBM 3배 증산하고, 절반은 HBM4에 집중" 2026-03-17 13:54:36
HBM4를 절반 이상 가져가는 것이 목표"라며 "공급이 약간 부족한 상황이면 프리미엄 제품으로 공급을 집중하는 것이 전체 산업 측면에서 좋다"고 예고했다. 그는 세계적인 메모리 공급 부족 사태와 관련해 전략적으로 공급해야 하는 파트너와 양산 제품을 공급해야 하는 파트너 등을 고려해 공급 물량을 맞출 수밖에 없다고...
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젠슨 황, GTC서 "삼성에 감사"…삼성, 엔비디아 긴밀 협력(종합) 2026-03-17 06:44:31
전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다. 이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 6세대 HBM4의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 수치다. 삼성전자는 HBM4의 양산을 통해 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리의 4㎚(나노미터) 베이스 다이(HBM 맨...
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삼성전자, HBM4E 최초 공개…"베라 루빈 메모리 유일 공급" 2026-03-17 05:30:02
D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 앞세웠다. 특히 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 아울러 기존 TCB(열압착 접합) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는...
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