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SK하이닉스, '10나노급 6세대 D램' 세계 첫 양산 초읽기 2025-01-17 18:41:47
1c) 미세공정을 적용한 D램을 이르면 내달 세계 최초로 양산한다. 17일 업계에 따르면 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(부사장)은 지난 15일 임직원 소통 행사에서 10나노급 6세대 D램에 관해 "14일 매스퀄이 났다"고 말했다. 매스퀄은 양산 인증을 의미한다. 회사에서 생산한 6세대 D램의 품질과 수율이 본격적인...
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삼성 '메모리·파운드리' 동반부진…"HBM4·고부가 D램이 승부처" 2025-01-08 17:57:34
○1C D램 개발 ‘배수진’삼성전자는 지난해 5월 전영현 DS부문장(부회장) 취임 이후 반도체 경쟁력 회복을 위한 중장기 전략을 차근차근 실행하고 있다. 첫 시험대는 HBM3E 8단과 12단 제품을 엔비디아에 납품하는 것이다. 삼성전자는 지난해부터 HBM3E를 AMD에 공급하고 있지만 엔비디아의 벽은 아직 못 넘고 있다. 올...
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美의회내 한반도 전술핵 재배치 목소리 커질까 2024-12-26 13:36:27
미사일(MGM-1C)이 반입됐다. 가장 많을 때는 1970년대에 700발에 달하는 전술핵이 배치돼있었다. 군산 공군기지에서는 한때 F4 팬텀 4기가 핵폭탄을 장착하고 상시 대기 태세를 갖추고 있었다. 하지만 미군의 전술핵은 북한의 침략에 대비하는 억제 효과도 있었지만 중국의 참전 가능성에 대비한 성격이 짙었다. 미국과...
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HBM 신화 주역…추격자에서 개척자로[SK하이닉스 곽노정 사장-2024 올해의 CEO] 2024-12-23 06:07:07
의미다. SK하이닉스는 올해 8월 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다. 회사는 연내 1c DDR5 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어나갈 계획이다. 낸드 부문에서도 지난 11월 세계 최고층인 ‘321단 1Tb(테라비트) TLC...
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'르네상스 원년' SK하이닉스, 혁신 주역에 최고상 시상 2024-12-20 09:49:46
테크 대상은 1c㎚ D램 개발 및 원가 절감(D램개발), 극자외선(EUV) 생산성 향상을 통한 투자비 절감(제조/기술) 사례가 수상했다. 퓨처 패스파인딩 대상은 웨이퍼 본딩 양산 체계 구축을 통한 인공지능(AI)용 메모리 제품 경쟁력 확보(미래기술연구원)와 고대역폭 메모리(HBM) 테스트 설루션 고도화를 통한 투자비 절감(AI...
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삼성전자, 내년 상반기 승부...HBM4 선점 '특명' 2024-12-17 17:31:32
삼성전자가 택한 건 SK하이닉스보다 한 세대 앞선 '1c 공정'입니다. 1c 공정은 극미세화된 D램 공정 기술로 속도와 전력 효율을 크게 높일 수 있으나, 수율 확보가 어렵고 초기 생산 과정에서 리스크가 크다는 단점이 있어, 삼성이 그만큼 승부수를 띄운 것이라 해석할 수 있습니다. 이외에도 삼성은 미국 도널...
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메모리·파운드리 수장 모두 교체…HBM 열세 뒤집고, TSMC 추격 2024-11-27 17:44:54
물론 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대 D램(1C D램), 300단 이상 낸드플래시 등 최첨단 제품 경쟁력에서도 SK하이닉스에 밀린다는 시장의 평가를 되돌리기 위해 부회장 직속 부서로 힘을 실어주기로 했다는 얘기다. 2014년부터 2017년까지 메모리사업부장을 맡은 ‘메모리 전문가’ 전 부회장이 직접 등판하는 만큼...
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'4만전자' 찍자…삼성, 7년 만에 초강력 주가부양 카드 2024-11-15 19:44:57
1c 나노, HBM4 등 개발에 집중하기 시작했으니 향후 기술적으로 빠르게 캐치업하겠다는 기대가 시장에 있다”고 말했다. HBM 기술 격차를 빠르게 좁히고 있다는 분석도 조심스럽게 나온다. 익명을 요구한 자산운용사 대표는 “연말에는 엔비디아 H200에 HBM3E 8단이 들어갈 것으로 보이고, 내년 하반기에 또 12단 제품까지...
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삼성전자 무섭게 팔아치운다…"벼락거지 될 판" 개미들 비명 2024-11-12 09:35:56
것"이라며 "이에 따라 범용 메모리 가격 상승 모멘텀(동력)은 현저히 둔화될 것"이라고 진단했다. 채민숙 한국투자증권 연구원은 "무엇보다 시급한 것은 메모리 기술 경쟁력 회복"이라며 "(삼성전자는) D램에서 1a부터 1c까지 경쟁사가 먼저 개발하는 것을 허용했고, 낸드에서도 V7부터 개발 속도가 역전됐다"고 말했다....
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'HBM 1등'의 숨은 주역들…"HBM 생산성 증대 비결? 원팀 마인드" 2024-11-07 14:23:11
최 부사장은 HBM3E(5세대)와 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 DDR5 RDIMM 등 혁신적인 제품을 생산하는 데 앞장섰다. 최 부사장은 "다운턴(불황기)에는 자원을 줄여 최소한의 비용으로 생산하고, 업턴(호황기)에는 모든 자원을 가용해 생산량을 최대로 끌어올려야 한다"며 "업턴으로 전환하는 적기에 자원 관련 조직과 적극...
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