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[단독] 삼성, 평택 파운드리 '고부가 HBM' 생산 올인 2026-03-19 17:21:28
D램과 HBM의 두뇌 역할을 하는 베이스다이를 제작하고 이 위에 D램을 아파트처럼 8~16층으로 쌓는 ‘최첨단 패키징’까지 거쳐야 하기 때문이다. 지난해부터 삼성전자가 D램(메모리), 베이스다이(파운드리), 최첨단 패키징을 일괄 제공해 생산 효율성을 높이는 ‘턴키 서비스’를 HBM 필승 전략으로 삼은 이유다. 엔비디아...
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삼성전자, AMD와 메모리 협력 MOU…HBM4 우선 공급업체 지정 2026-03-18 17:00:01
D램·4나노 베이스다이 기술 기반 양산 출하를 시작했다. 양사는 △HBM4 △차세대 메모리 아키텍처 △파운드리·패키징 기술 분야에서 협력을 이어간다. AI 데이터센터 랙 단위 플랫폼 'Helios'와 6세대 EPYC 서버 CPU 성능 극대화를 위한 고성능 DDR5 메모리 솔루션 분야에서도 함께한다. 삼성전자는 AMD 차세대...
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삼성전자, 美 AMD AI칩에 HBM4 공급한다…파운드리로 협력 확대 시사 2026-03-18 17:00:00
기반의 베이스다이 기술을 적용했다. 최대 13Gbps의 데이터 처리 속도와 최대 3.3TB/s 대역폭 등의 성능을 제공한다. 양사는 HBM뿐 아니라 고성능 DDR5 메모리 설루션에서도 기술 협력을 통해 AI 데이터센터 랙 단위 플랫폼 '헬리오스'(Helios)와 차세대 데이터센터 서버용 그래픽처리장치(CPU) 성능 극대화에 나설...
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"정말 고맙다" 젠슨 황 '삼성' 콕 집은 이유가…'파격 전망' 2026-03-17 17:38:18
HBM4E는 10나노급 6세대(1c) D램과 4㎚ 공정 기반의 로직 다이(베이스 다이)로 구성됐다. 황상준 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 메모리개발담당(부사장)은 이날 기자와 만나 “HBM4E 베이스 다이는 트렌지스터 성능이 많이 개선된 4㎚ 공정을 쓸 것”이라고 밝혔다. 핀당 속도는 16Gbps(초당 기가비트)로 전작(11.7Gbps)...
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삼성 "올해 HBM 3배 증산하고, 절반은 HBM4에 집중" 2026-03-17 13:54:36
베이스 다이'(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품)는 같은 4나노 공정이지만, 후속작인 HBM5·5E는 삼성 파운드리의 2나노 공정으로 개발할 예정이라고 밝혔다. 그는 HBM5·5E에 쓰이는 적층용 칩 '코어 다이'는 10나노급 1c(6세대), 1d(7세대)를 쓰게 된다면서 "원가 부담은 있지만 HBM이 지향하는 제품과 개념을...
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젠슨 황, GTC서 "삼성에 감사"…삼성, 엔비디아 긴밀 협력(종합) 2026-03-17 06:44:31
HBM인 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 칩인 '코어 다이' 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개하며 메모리 부문에서 엔비디아와의 협력을 적극적으로 홍보했다. 올 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다. 이는 지난달...
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삼성전자, HBM4E 최초 공개…"베라 루빈 메모리 유일 공급" 2026-03-17 05:30:02
양산으로 축적한 1c D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 앞세웠다. 특히 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 아울러 기존 TCB(열압착 접합) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상...
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삼성전자, GTC서 HBM4E 최초 공개…엔비디아와 동맹 고도화 2026-03-17 05:30:00
공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해...
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삼성전자, GTC서 7세대 HBM 최초 공개…'초격차' 회복 절치부심 2026-03-17 05:30:00
통해 차세대 HBM인 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 칩인 '코어 다이' 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개했다. 올 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다. 이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 6세대 HBM4의 13Gb...
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삼성, 차세대 HBM4E 최초 공개…엔비디아와 AI 동맹 고도화 [GTC 2026] 2026-03-17 05:00:01
다이 웨이퍼를 업계 최초로 공개했다. 이번 HBM4E의 핵심은 삼성 파운드리의 4 공정을 베이스 다이 설계에 직접 적용했다는 점이다. 이를 통해 핀당 16G기가비트(Gbps)의 속도와 초당 4.0TB의 압도적 대역폭을 구현했다. 회사 관계자는 "메모리 업체가 직접 로직 설계와 파운드리까지 수행하는 원스톱 솔루션을 통해 성능은...
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