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위기 극복까지 갈 길 먼데…잇단 악재에 '먹구름' 낀 삼성전자(종합) 2024-05-30 09:18:10
최고경영자(CEO)가 자사의 차세대 제품에 3나노 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around) 기술의 반도체를 도입하겠다고 밝히면서 삼성전자와의 협력을 시사한 만큼 이 같은 기회를 살려 파운드리 사업의 실적 개선을 이뤄내야 할 책임도 있다. 삼성전자 파운드리사업부는 다음 달 12∼13일 미국 실리콘밸리에서 '삼성...
위기 극복까지 갈 길 먼데…잇단 악재에 '먹구름' 낀 삼성전자 2024-05-30 06:11:00
최고경영자(CEO)가 자사의 차세대 제품에 3나노 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around) 기술의 반도체를 도입하겠다고 밝히면서 삼성전자와의 협력을 시사한 만큼 이 같은 기회를 살려 파운드리 사업의 실적 개선을 이뤄내야 할 책임도 있다. 삼성전자 파운드리사업부는 다음 달 12∼13일 미국 실리콘밸리에서 '삼성...
삼성, AMD와 '3나노 협력'…TSMC 추격 시동 건다 2024-05-28 16:35:36
게이트올어라운드(GAA) 공정을 통한 차세대 칩 양산 계획을 공개했다. GAA는 반도체 스위치 역할을 하는 트랜지스터의 누설 전류를 줄여 칩의 전력 효율성을 높이는 기술이다. GAA 기술을 활용해 3㎚ 공정에서 반도체 양산에 성공한 기업은 삼성전자가 유일하다. 업계 관계자는 “AMD가 삼성전자와의 3㎚ 파운드리 협업을...
삼성-AMD 3나노 협업 가능성…파운드리 새 국면 [엔터프라이스] 2024-05-28 14:58:12
올 어라운드(Gate All Around)', 게이트로 둘러싸여 있다는 의미거든요. 접촉 면적이 넓어지면 전압도 줄고 효율도 커진다고 말씀드렸잖아요. 당연히 핀펫 공정에 비해 여러 성능이 개선될 수 있는 겁니다. 업계에 따르면 5나노 핀펫에 비해 3나노 GAA의 성능은 30% 높고, 전력 소모량은 50%가량 낮은 것으로...
TSMC '내년 2나노' 띄우자…삼성, 내달 1나노 계획 공개 '맞불' 2024-05-27 18:52:06
2㎚ 공정 연기설이 흘러나온 이유는 ‘게이트올어라운드(GAA)’라고 불리는 전류 제어 기술을 처음 적용하기 때문이다. 삼성전자가 2022년 6월 3㎚ 공정에 도입한 이 기술은 반도체 스위치 역할을 하는 트랜지스터의 누설 전류를 줄여 칩의 전력 효율성을 높일 수 있는 게 특징이다. 장 부사장은 “GAA를 적용했을 때의...
"2nm 문제 없다" TSMC의 자신감…삼성도 반격 카드 꺼낸다 2024-05-27 16:44:31
공정 연기설이 흘러나온 이유는 '게이트올어라운드(GAA)'라고 불리는 전류 제어 기술을 처음 적용하기 때문이다. 삼성전자가 2022년 6월 3nm 공정에 도입한 이 기술은 반도체 스위치 역할을 하는 트랜지스터의 누설 전류를 줄여 칩의 전력 효율성을 높일 수 있는 게 특징이다. 장 부사장은 "GAA로 적용했을 때의...
KG 모빌리티, 더 뉴 토레스 출시…2838만원부터 2024-05-08 09:27:02
어라운드 뷰 모니터링 시스템은 별도 옵션으로 추가할 수 있다. T7모델에서 커스터마이징으로 신규 운영되는 오프로드 패키지는 오프로더 스타일의 익스테리어 이미지와 주행 능력을 구현한 오프로드 특화 전용 상품이다. △18인치 All Terrain 타이어 △인치업 스프링 △휠아치&도어 가니쉬 △레드 알루미늄 캘리퍼 커버...
'가정의 달' 맞아 강화된 5월 국산차 판매조건 2024-05-02 17:25:50
어라운드 뷰 모니터링 시스템(101만원)을 무상 장착해준다. 선수금 40%를 내면 24개월 무이자 할부도 가능하다. 선수금(20~30%)에 따라 60개월 할부(이율 4~5%) 및 72개월 전액 할부(이율 5.9%)도 지원한다. 스포츠·칸도 선수금 없는 12개월 무이자 할부 또는 선수금(0~30%)에 따라 60~72개월 할부(이율 4~5.9%)도...
삼성보다 빨리…TSMC "2026년 하반기 1.6나노 공정 시작" 2024-04-25 18:20:51
기대하고 있다. 차세대 공정 기술로 꼽히는 게이트올어라운드(GAA)에서 앞서가고 있기 때문이다. 삼성전자는 3나노 공정부터 GAA 공법을 도입했다. 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장은 지난해 “삼성의 파운드리 기술력이 TSMC에 1~2년 뒤처져 있지만, TSMC가 2나노 공정에 들어오는 시점을 계기로 5년 내 앞설 수...
D램·낸드도 韓 바짝 따라와 2024-04-23 18:20:48
최근 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 설계를 활용한 3나노급 차세대 D램을 개발했다고 밝혔다. GAA는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 늘려 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하는 ‘게임 체인저’로 평가받는 기술이다. 세계에서 GAA 기술을...