삼성 HBM4, 내부 성능 테스트 통과

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM4)의 내부 성능 테스트를 마무리한 것으로 알려졌다. 고객사에 납품할 준비를 마쳤다는 의미다. 이르면 이달 엔비디아 등 주요 고객사의 품질 인증 결과가 나오는 대로 HBM4 양산에 들어갈 것으로 관측된다.

3일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 지난 2일 자사 HBM4의 ‘양산승인(PRA)’을 했다. PRA는 제품 개발이 완료됐다는 의미로 풀이된다.

HBM4는 내년에 시장이 본격 열리는 제품이다. 엔비디아 등 고객사의 고성능 제품 납품 요청을 충족하기 위해 기존 HBM과 달리 두뇌 역할을 하는 로직다이를 파운드리(반도체 수탁생산) 공정에서 만드는 게 특징이다.

삼성전자는 HBM4 개발·공급 경쟁에서 경쟁사에 밀리지 않는다는 평가를 받고 있다. 기본 재료 역할을 하는 코어다이는 10나노미터(㎚) 6세대(1c) D램, 로직다이(두뇌 역할을 하는 부품)는 4㎚ 파운드리 공정을 활용하는 승부수를 통해 엔비디아가 원하는 ‘동작 속도 초당 11기가비트(Gb) 이상’을 가장 먼저 달성했다. 지난달 26일 열린 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2026’에선 36기가바이트(GB) 용량과 초당 3.3테라바이트(TB)의 대역폭(데이터 처리 능력)을 갖춘 HBM4를 공개했다.

삼성전자는 엔비디아 등 주요 고객사에 HBM4 샘플을 보내 품질 테스트를 받고 있다. 삼성 안팎에선 이르면 이달 ‘긍정적인 결과’를 받을 것이란 관측이 나온다. 삼성전자는 HBM4 품질 인증을 받는 대로 공급량을 늘릴 수 있도록 ‘대량 생산 체제’를 갖춘 것으로 알려졌다.

황정수 기자 hjs@hankyung.com