삼성전자, HBM5 첫 공개

삼성전자가 대만 타이베이에서 2일 개막한 아시아 최대 정보기술(IT) 전시회 ‘컴퓨텍스 2026’에서 8세대 고대역폭메모리인 HBM5의 실물 모형(목업)과 로드맵을 최초 공개했다. 지난달 HBM4E 샘플을 세계에서 가장 먼저 납품한 데 이어 ‘최초’ 행진을 이어갔다. 이번 공개를 통해 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 주도권을 공고히 하겠다는 방침이다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(사장)는 이날 “급변하는 AI산업에 대응하기 위해선 메모리, 파운드리(반도체 수탁생산), 로직, 패키징을 모두 아우르는 토털 솔루션 경쟁력이 중요하다”며 “삼성전자는 종합 반도체 회사(IDM)로서 AI 기술을 충분히 뒷받침할 수 있다”고 말했다.

이날 공개한 HBM5의 핵심은 HBM의 최대 난제인 발열을 해결하기 위한 신개념 열관리 기술인 히트패스블록(HPB) 구조다. HPB는 다이와 다이 사이의 물리적 표면에서 발생하는 열을 효율적으로 분산·방출하는 기술이다. 코어 다이 옆에 일종의 굴뚝 같은 방열 장치 구조를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높이는 원리다. 경쟁사인 SK하이닉스의 ‘ICE’ 기술처럼 방열 장치를 통해 발열을 제어하겠다는 구상이다.

송 사장은 “방열 장치를 달아 굉장한 효과를 보고 있다”며 “HPB 기술은 베이스 다이 전체를 최적화해야 하기 때문에 메모리와 파운드리를 모두 갖춘 삼성전자가 경쟁사 대비 확실히 유리하다”고 강조했다. 삼성전자는 HBM4E를 기반으로 HPB 기술 검증을 완료했고, HBM5부터 적용할 예정이다. HBM5는 10나노급 7세대(1d) D램과 자체 1나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 파운드리 공정으로 제작한 베이스 다이를 적용할 것으로 예상된다.

타이베이=강해령 기자/김채연 기자 hr.kang@hankyung.com