삼성 "HBM5에 2나노 공정 적용"

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5에 최첨단 2나노 공정을 적용하겠다는 구상을 밝혔다.

구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장·사진)은 27일 자사 반도체 뉴스룸 인터뷰를 통해 “HBM5는 HBM4E(7세대)보다 동작 속도를 약 50% 향상해야 할 것으로 예상된다”고 말했다. HBM의 두뇌 역할을 하는 ‘베이스다이’에 최첨단 2㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 파운드리(반도체 수탁생산) 공정을 적용해 차세대 HBM시장에서 기술 우위를 선점하겠다는 발언으로 풀이된다. 삼성전자는 HBM4(6세대)와 HBM4E의 베이스다이에 성능이 검증된 4나노 파운드리 공정을 적용하고 있다.

구 부사장은 삼성전자 파운드리의 첨단 공정 경쟁력에 대해 “세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 공정을 적용한 3나노 공정 양산에 이어 작년 하반기에는 2나노 1세대 공정 양산을 시작했다”며 “올해 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일용 신제품 양산을 시작할 예정”이라고 설명했다.

삼성전자의 경쟁력으로 메모리와 파운드리, 패키징을 모두 소화하는 턴키 생산 체계를 내세웠다. 설계부터 최적화에 유리해 양산 제품을 제조하는 데 필요한 시간과 비용을 단축할 수 있다는 의미다. 차세대 HBM 제조 경험을 발판 삼아 파운드리 사업을 인공지능(AI) 반도체 중심으로 확대하겠다는 목표도 제시했다.

구 부사장은 “지난해 테슬라의 차량용 2나노 반도체 수주를 계기로 AI·고성능컴퓨팅(HPC)과 클라우드서비스제공자(CSP) 등 다수의 대형 고객사 수주가 이어지고 있다”며 “4나노 공정 역시 HBM4 베이스다이와 미국 AI 업체의 AI·HPC용 반도체에 적용해 기술 경쟁력을 인정받았다”고 강조했다.

HBM 제조 역량을 살려 다양한 분야에서 고객을 확보하겠다는 게 중장기적 계획이다. 구 부사장은 “모바일과 HBM을 넘어 전자장치, AI·HPC, 로보틱스 등 다양한 분야로 고객 협력을 확대하겠다”고 했다.

원종환 기자 won0403@hankyung.com