삼성전자가 차세대 `8나노 RF(Radio Frequency) 공정 기술`을 개발해 5G 이동통신용 반도체 파운드리 시장에서의 기술 리더십을 다시 한 번 입증했다.
9일 삼성전자에 따르면 이번에 개발한 8나노 RF 공정은 이전 14나노 공정과 비교해 RF 칩 면적을 약 35% 줄일 수 있으며, 전력 효율도 약 35% 향상된다.
통상 반도체 공정이 정밀해질수록 로직 영역의 성능은 좋아지지만 좁은 선폭으로 소비전력이 증가하고 주파수 증폭 성능이 떨어진다.
삼성전자는 적은 전력을 사용하면서 신호를 크게 증폭하는 RF전용 반도체(RFeFET™)를 개발해 8나노 RF공정에 적용했다.
RF 칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선 주파수로 바꿔주는 무선 주파수 송수신 반도체다.
이현진 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 마스터는 "공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 삼성전자 8나노 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 통신의 장점을 갖춰 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.
관련뉴스
