차세대 D램 구조 '4F²' 적용 제품
"삼전닉스에 서버용 메모리 도전"
중국 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 올해 안에 서버용 D램 신제품을 내놓겠다고 밝혔다.
중국 매체 제일재경과 과창판일보는 12일(현지시간) 차오칸위 CXMT 총재가 최근 한 행사에서 연말까지 4F² 아키텍처를 적용한 차세대 서버용 메모리 ‘DDR5 RDIMM’을 선보일 계획이라고 밝혔다고 보도했다.
보도에 따르면 차오 총재는 이 아키텍처가 D램 트랜지스터 배열상의 혁신이라며, 자체 개발한 'VSG' 트랜지스터가 채널을 수직으로 둘러싸는 방식으로 누설 전류 등의 문제를 개선하고 집적도는 높인다고 설명했다. CXMT가 4F² 관련 특허를 다수 보유하고 있다고도 소개했다.
반도체 업계는 웨이퍼 제조 공정에서 포토리소그래피 기술로 구현할 수 있는 최소 선폭을 'F'라고 부른다. 4F²은 메모리 한 개 단위의 크기가 F 제곱의 4배라는 뜻이다고 제일재경 등은 전했다. 현재 D램 업계의 주류 아키텍처는 6F²로, 4F²로 넘어가면 단위 면적당 트랜지스터 수가 늘고 집적도가 높아진다고 했다.
서버용 메모리 시장은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 우위를 보여왔다. 중국 매체들은 이번 신제품 출시 예고를 CXMT가 서버용 시장 진출을 노리는 움직임으로 풀이했다.
홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 삼성전자와 SK하이닉스도 메모리 집적도를 높이려고 이 같은 기술을 추구하고 있으며, SK하이닉스는 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개한 바 있다고 전했다.
CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO)로 최대 666억1,000만 위안(약 13조2,000억원)을 조달했다. 8월에는 차세대 모바일 D램 LPDDR6 양산을 공식화했고, 지난달에는 5세대 D램 공정 양산에 들어갔다고 밝혔다.
한국경제TV 디지털뉴스부 이휘경 기자
ddehg@hankyungtv.com관련뉴스
