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삼성전자 "2027년 1.4나노 양산…원스톱 AI 솔루션 강화" 2024-06-13 12:31:28
1나노대 양산 일정을 앞당긴 만큼 삼성전자의 1나노대 공정 로드맵에 시선이 모인 바 있다. 삼성전자는 이날 2027년 1.4나노 공정 양산 계획을 재확인했다. 삼성전자는 "(1.4나노 공정 관련) 목표한 성능과 수율을 확보하고 있다"고만 밝혔다. 최 사장은 "AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장...
"반도체 생산시설 투자규모 갈수록 중요…기업 부담 덜어줘야" 2024-06-13 12:00:17
5나노 파운드리, D램 웨이퍼 1장 생산에 드는 영업비용을 추산한 후 보조금 지급에 따른 원가절감 효과를 도출했다고 설명했다. 3나노 파운드리의 경우 웨이퍼 1장 생산에 드는 영업비용이 1만1천459달러인데, 보조금(30%) 수령 시 1만295달러로 10.2% 감소한다. 장부상 자산가치가 보조금에 비례해 하락하고 이는 곧...
'나노 경쟁' 대신 '원스톱 강화'…삼성 파운드리, 차별화로 승부 2024-06-13 10:41:40
2나노 공정부터 GAA를 적용한다는 계획이다. 지금도 삼성전자만 3나노 공정에 GAA를 쓰는 데다 양산 경험을 쌓아 경쟁력을 갖춘 만큼 최신 기술에서는 삼성전자가 뒤처지지 않는다는 평가를 받는다. 최근 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 자사 차세대 제품에 3나노 GAA 기술의 반도체를 도입하겠다고 밝히면서 삼성전자와의...
'TSMC 추격' 삼성전자, 파운드리 신기술 도입...美 훈풍에 주가↑ [권영훈의 증시뉴스 PICK] 2024-06-13 10:25:24
첫번째 뉴스픽입니다. 삼성전자는 현지시간 12일 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 열고 2027년 첨단 파운드리 기술을 도입하다고 밝혔습니다. 2나노 공정에 후면전력공급 기술을 도입하고 AI 칩 생산을 위한 원스톱 서비스를 강화하기로 했습니다. 1분기 세계 1위 파운드리 업체 TSMC와 격차가...
"美 새 반도체 규제, 삼성·TSMC에 대한 中 접근 막을 수도" 2024-06-13 10:05:17
삼성전자나 대만 TSMC와 함께 내년에 GAA 기술을 적용한 반도체를 대량으로 생산한다는 계획이라고 블룸버그는 전했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 만든 고성능 메모리다. 미국 정부의 대중국 수출 제한 조치 논의에서 두 기술 중 GAA가 다소 앞서 있다고 블룸버그는 전했다. 미국은 2022년 8월 반도체...
삼성, AI칩 '원스톱' 서비스 강화…'종합 반도체'로 TSMC 추격(종합2보) 2024-06-13 09:30:22
3나노' 공정 양산 삼성전자는 기존 목표대로 2027년에 1.4나노 공정 양산을 계획하고 있다. 업계에서는 TSMC가 '2026년 1.6나노 공정 양산' 계획을 발표하면서 삼성전자도 1.4나노 양산 시점을 앞당길 수 있을 것이라는 전망이 나왔다. 삼성전자는 그러나 이날 '2027년 1.4나노 공정 양산' 계획을...
삼성 "2027년 첨단 파운드리 기술 도입…원스톱 AI 설루션 제공"(종합) 2024-06-13 08:57:28
밝혔다. 업계에선 지난 4월 TSMC가 2026년부터 1.6나노 공정 양산 계획을 발표하면서 삼성전자도 1.4나노 양산 시점을 앞당길 수 있을 것이란 전망이 나왔다. 삼성전자는 그러나 이날 2027년 1.4나노 공정 양산 계획을 재확인하며 "목표한 성능과 수율을 확보하고 있다"고 밝혔다. 삼성전자 파운드리 사업부 최시영 사장은...
삼성전자 "2028년 AI 칩 관련 매출 작년 대비 9배로 늘어날 것" 2024-06-13 08:57:24
삼성전자는 미국 반도체 기업 AMD의 차세대 AI 칩을 수주할 가능성이 제기되고 있다. 앞서 AMD는 자사 차세대 AI 제품에 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around) 기술의 반도체를 도입하겠다고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터인 GAA 구조를 적용한 3나노...
삼성 파운드리, AI 턴키로 승부…최신 2나노 공개 2024-06-13 08:20:58
적용한 2나노 공정(SF2Z)은 2027년까지 준비할 방침이다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술이다. SF2Z는 기존 2나노 공정 대비 PPA 개선 효과가 있고, 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 전압강하 현상을 대폭 줄여 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있다....
2차전지 모처럼 오르는데…"랠리 오래가지 않을 것" 고수의 조언 [진영기의 찐터뷰] 2024-06-13 07:18:13
선별적으로 접근하라는 취지다. 정 연구원은 삼성SDI, 나노신소재 등을 하반기 최선호주로 꼽았다. 삼성SDI는 저평가 매력, 나노신소재는 기술력에 주목했다. 정 연구원은 "2025년 실적 추정치 기준 삼성SDI 전지 사업 부문의 PER은 약 10배로 중국, 일본 업체와 비슷한 수준"이라며 "미국 매출 비중이 작아 국내 업체에...