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SK하이닉스, 작년 영업익 3조3천800억원…사상 최대(종합) 2014-01-28 07:57:34
실리콘관통전극(TSV, Through Sililcon Via) 기술을 적용한 초고속 메모리 HBM(High BandwidthMemory) D램 제품을 출시해 기술 경쟁력을 유지해나간다는 전략이다. 낸드플래시는 16나노 제품의 본격적인 양산과 함께 컨트롤러 역량 향상을 통해응용복합 제품의 라인업을 강화할 계획이다. 또한 Ɖ차원 수직구조 3D...
SK하이닉스, 지난해 매출·영업익 '사상 최대' (상보) 2014-01-28 07:55:31
공급과 실리콘관통전극(tsv) 기술을 적용한 hbm(high bandwidth memory) 제품을 출시한다. 낸드플래시는 16나노 제품의 본격적인 양산에 들어간다. 컨트롤러 역량 향상을 통해 응용복합 제품의 라인업도 강화할 계획이다. 3d 낸드 개발을 완료하고 샘플 공급을 시작해 연내에 양산 체제를 갖출 예정이다. 한경닷컴 정혁현...
잉크테크 "2년 연속 최대매출 달성" 2014-01-23 14:01:16
전자기기 시장의 성장으로 터치스크린 베젤 전극용 잉크의 매출이 증가했다는 설명이다. 회사는 올해 다양한 인쇄전자 양산 아이템을 통해 본격적인 매출 다각화에 나설 계획이다. 특히 지난해 10월 공개한 ito필름 대체용 투명전도성필름인 '메탈나노스트림'과 메탈메시 전극용 하이브리드 나노잉크 매출에 주목하고...
<삼성전자, 올해 모바일AP 재도약 나선다> 2014-01-21 06:03:15
이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 '실리콘관통전극(TSV·Through Sililcon Via)'이라는 첨단 패키징 기술이 사용된다. ོ비트' 모바일AP는 데이터 처리단위가 현재 통상 사용하는 32비트 AP의 2배인64비트로 늘어나 데이터 처리 능력이 전반적으로 크게 향상된다. 특히...
삼성코닝, 1천667억원에 투명전극재료 사업 양도 2014-01-17 17:15:11
삼성코닝정밀소재가 타겟(투명전극재료)사업을 삼성코닝어드밴스드글라스에 1천666억5천만원에 양도하기로 했다고 17일 삼성코닝어드밴스드글라스가 공시했습니다. 양수 일자는 다음 달 1일입니다. 이번 양수도는 지난 해 10월 삼성디스플레이와 미국 코닝 간의 포괄적 사업협력 체결에 따른 후속 조치입니다. 전날...
삼성코닝, 1천667억원에 투명전극재료 사업 양도 2014-01-17 16:48:43
제조회사 코닝으로 넘어간 삼성코닝정밀소재가 타겟(투명전극재료) 사업을 삼성코닝어드밴스드글라스에 1천666억5천300만원에 양도하기로 했다고 17일 삼성코닝어드밴스드글라스가 공시했다. 양수 일자는 오는 2월 1일이다. 이번 양수도는 지난해 10월 삼성디스플레이와 미국 코닝 간의 포괄적 사업협력체결...
SK하이닉스, 실리콘 관통 기술 적용 초고속 D램 개발 2013-12-26 21:29:27
sk하이닉스는 실리콘 관통 전극(tsv) 기술을 적용한 초고속 메모리 d램을 개발했다고 26일 발표했다. tsv 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 방식으로 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를 줄일 수 있다고 회사 측은 설명했다. sk하이닉스는 내년 상반기께 샘플 제품을 내놓은...
SK하이닉스, TSV기술 활용한 초고속 D램 개발 2013-12-26 16:40:06
데 성공했다. sk하이닉스는 26일 ‘실리콘관통전극(tsv)’ 기술을 적용해 초고속 메모리(hbm) d램을 개발했다고 발표했다. 이 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 실리콘 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 패키지 방식이다. 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를 줄일 수 있어 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에...
SK하이닉스, 초당 128GB 처리 고성능 D램 개발 2013-12-26 09:56:34
공동으로 실리콘관통전극(Through Silicon Via) 기술을 적용한 초고속 메모리 (High Bandwidth Memory) 제품을 개발하는데 성공했다고 밝혔습니다. 이 제품은 국제반도체표준협의기구 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품으로 초당 128GB의 데이터 처리가 가능합니다. 초당 28GB의 데이터를...
SK하이닉스, 4배 이상 빨라진 초고속 메모리 개발 2013-12-26 09:54:23
처리 SK하이닉스[000660](대표 박성욱)는 '실리콘관통전극(TSV, Through Sililcon Via)' 기술을 적용한 초고속 메모리(HBM) D램 제품을개발했다고 26일 밝혔다. TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 패키지 방식으로 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를...
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