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브릿지바이오, 폐암 표적치료제 임상 1/2상 환자 투약 개시 2023-10-31 15:05:51
이번 임상은 먼저 1a상에 해당하는 용량 상승 시험을 통해 약물의 효력과 안전성 등을 바탕으로 권장 용량 범위를 결정한다. 이후 임상 1b상을 통해 제2상 권장 용량을 결정한 뒤 임상 2상 단계의 용량 확장시험에 진입, 고형암 평가 기준(RECIST) 버전 1.1을 토대로 약물의 객관적 반응률(ORR) 등을 측정하게 된다. 앞서...
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삼성전자 "내년 HBM 공급 올해 2.5배 이상…선단공정 전환 가속"(종합) 2023-10-31 12:40:33
경쟁력 확보 차원에서 유지해온 캐펙스 기반으로 1a, 1b 나노 D램, V7·V8 낸드 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속적으로 확대할 것"이라고 말했다. 온디바이스 AI는 클라우드와는 필요한 경우에만 선택적으로 연결되고 사용자와 밀접하게 붙어있는 스마트폰과 같은 엣지 디바이스상에서 대부분의 AI...
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삼성전자 "내년 HBM 공급 올해 2.5배 이상…고객사와 협의 완료" 2023-10-31 11:31:02
확보 차원에서 유지해온 시설투자(캐펙스·CAPEX) 기반으로 1a, 1b 나노 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속적으로 확대할 것"이라고 말했다. 한편, 삼성전자는 3분기 D램 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 10% 성장했고, 평균판매단가(ASP)는 한 자릿수 중반 증가했다고...
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브릿지바이오, 4세대 폐암 표적항암제 ‘BBT-207’ 1/2상 투약 개시 2023-10-31 09:18:01
3단계로 진행될 전망이다. 먼저 임상 1a상에 해당하는 용량상승시험을 통해 약물의 효력 및 안전성 등을 바탕으로 권장 용량 범위(Recommended Dose Range, RDR)를 결정하게 된다. 이후 임상 1b상을 통해 제2상 권장 용량(Recommended Phase 2 Dose, RP2D)을 결정한 뒤, 임상 2상 단계의 용량확장시험에 진입, 고형암 평가...
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HBM 날개 단 SK하이닉스, 3분기 적자 줄였다…D램은 흑자전환(종합2보) 2023-10-26 15:06:09
주력 제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 김우현 부사장은 "내년에는 ...
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SK하이닉스 "내년 투자, 올해보다 증가…선단 공정 전환 집중"(종합) 2023-10-26 11:03:22
SK하이닉스는 "2024년 말까지 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 생산 비중이 절반 이상을 차지할 수 있도록 할 것"이라며 "다만 투자 증가와 가동률 회복은 시장 상황에 맞춰 점진적으로 진행할 예정이며, 전체적으로 감산 전 2022년 4분기 캐파 수준으로 도달하기까지는 상당한 기간이 필요하다"고 말했다. D램보다...
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SK하이닉스 "내년 투자, 올해보다 증가…선단 공정 전환 집중" 2023-10-26 10:27:17
SK하이닉스는 "2024년 말까지 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 생산 비중이 절반 이상을 차지할 수 있도록 할 것"이라며 "다만 투자 증가와 가동률 회복은 시장 상황에 맞춰 점진적으로 진행할 예정이며, 전체적으로 감산 전 2022년 4분기 캐파 수준으로 도달하기까지는 상당한 기간이 필요하다"고 말했다. D램보다...
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'주력 제품 판매 호조' SK하이닉스, 3분기 적자폭 확 줄였다 [종합] 2023-10-26 08:58:04
했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV 패키징 기술에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. 김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO·부사장)는 “고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”면서 “앞으로 HBM, DDR5 등...
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HBM 날개 단 SK하이닉스, 3분기 적자 줄였다…D램은 흑자전환(종합) 2023-10-26 08:33:55
D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO) 부사장은 "HBM, DDR5 등...
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SK하이닉스, 3분기 D램 흑자전환…"HBM·DDR5 투자 확대" 2023-10-26 08:27:02
했다. 회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 D램 패키징 기술인 'TSV'에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. 김우현 SK하이닉스 부사장은 "당사는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다"며 "앞으로 HBM, DDR5...
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