삼성전자, '엑시노스 2500' 전격 공개…시스템반도체 부활 신호탄 2025-06-24 16:37:31

막힘이 없다. 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(게이트올어라운드)를 적용해 열 방출 성능과 전력효율을 끌어올리는 것은 물론 칩의 두께도 최소화했다는 게 회사 측 설명이다. 갤럭시 플래그십 제품인 폴더블폰에 엑시노스가 적용되는 것은 처음이다. 그동안 갤럭시 플래그십 모델은 엑시노스 대신 퀄컴의 스냅드래곤 칩셋을...

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'원팀 스피릿' 빛났다…SK하이닉스 손윤익 팀장 엔지니어상 2025-06-18 17:18:58

다양한 D램 제품의 Peri 트랜지스터 개발을 위해 힘써왔으며, 고성능·저전력·고신뢰성을 요구하는 까다로운 조건 속에서도 고객이 체감할 수 있는 수준의 성능 향상을 위한 기술 리더십을 발휘해 왔다는 평가다. 특히 LPDDR5 개발 과정에서는 D램에 HKMG 공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받기도 했다. 이 기술은...

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반도체 미래 바꿀 '게임체인저'…실리콘 포토닉스·극저온 식각이 뭐지? 2025-06-16 16:06:55

1947년 트랜지스터 발명에서 인공지능(AI) 시대를 이끄는 고대역폭메모리(HBM) 개발까지 반도체 기술은 꾸준히 발전했다. 혁신적 반도체 기술은 인류의 역사를 바꾸고 인간의 삶을 윤택하게 했다. 미래 반도체산업의 혁신 기술은 무엇일까. 업계와 학계에선 실리콘 포토닉스, 극저온 식각, 유리 기판을 활용한 패키징을...

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'사흘만에 사르르'…KIST, 물에 녹는 고성능 메모리소자 개발 2025-06-15 12:00:01

연구팀은 설명했다. 이 소재로 만든 메모리 소자는 트랜지스터 성능 지표인 켜짐(On)/꺼짐(Off) 전류 비율이 100만 배 이상으로 높아 우수한 신호 구분 성능을 보였고, 데이터를 최소 1만초 이상 안정적으로 저장할 수 있었다. 또 250회 이상 구동하거나 3천회 이상 반복적으로 구부려도 성능 저하가 나타나지 않았다....

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파운드리 '2나노' 경쟁 본격화…TSMC·삼성 하반기 양산 예정 2025-06-15 06:55:01

트랜지스터인 게이트올어라운드(GAA) 구조를 처음 적용한다. GAA는 삼성전자가 세계 최초로 3나노 양산에 적용했으며, TSMC는 한 단계 아래 기술로 평가받는 핀펫(FinFET) 트랜지스터 구조를 3나노에 활용해왔다. TSMC는 GAA 전환에서는 한발 늦었지만, 60∼70%대로 알려진 안정적인 수율과 탄탄한 고객사 확보를 바탕으로...

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SK하이닉스, 차세대 D램 기술 발표…30년 이끈다 2025-06-10 15:22:06

수 있다. 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우는 VG 기술까지 적용해 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다. 차 CTO는 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에선 3D D램 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만,...

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• #SK하이닉스 차세대 #기술 #차세대 #4F #플랫폼

"향후 30년 기반 구축"…SK하이닉스, D램 미래 기술 로드맵 발표 2025-06-10 09:13:25

셀을 넣기 위한 고집적 기술이다. VG는 D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조다. 현재는 6F²셀이 일반적이지만, 4F²셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기...

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• #향후 30년 #기술 #4F #혁신 #플랫폼 #차세대

EUV 장비 없이도…中 "내년 3나노 칩 양산" 2025-06-05 17:47:12

저전력 트랜지스터 기술이다. SMIC도 화웨이 계획에 맞춰 3나노 공정 도입을 준비하는 것으로 전해졌다. 미국은 초미세 공정에 필요한 네덜란드 장비업체 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비의 중국 수출을 2019년부터 금지했다. 업계에선 EUV 없이 제조할 수 있는 한계를 7나노로 봤지만, 화웨이와 SMIC는 구형 심자외선(DUV)...

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• #EUV 장비 #중국 #화웨이 #장비 #생산 #공정 #3나노

그렇게 기를 쓰고 막았는데…또 美 허 찌른 화웨이 2025-06-05 15:33:17

TSMC와 삼성전자가 활용하는 차세대 트랜지스터 기술이다. SMIC도 화웨이의 계획에 맞춰 3나노 공정 도입을 준비하는 것으로 전해졌다. 미국은 초미세 공정 구현에 필수적인 ASML의 극자외선(EUV) 노광 장비의 대중 수출을 2019년부터 금지하고 있다. EUV 장비 없이 제조할 수 있는 칩의 수준은 7나노가 한계로 여겨졌으나...

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• #그렇게 기를 #화웨이 #반도체 #장비 #중국 #3나노