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'장비 10대에 3조'…SK하이닉스가 던진 '역대급 승부수' [강해령의 테크앤더시티] 2025-12-27 15:12:41
10나노급 5세대(1b) D램 위주로 채워지고요. 총 월 9만장 가량의 팹 생산능력에 월 4만 5000장~7만장 웨이퍼 라인이 갖춰질 것으로 예상됩니다. M14와 M16 위주로 월 14만 장 안팎의 10나노급 6세대(1c) D램 라인 전환도 예상됩니다. 이건 엔비디아의 소캠2를 만들기 위한 의도도 있고요. 소캠2의 주요 재료이기도 하고...
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이재용 "과감한 투자로 본원 기술력 회복"…메모리 1위 탈환 예고 2025-12-22 17:32:04
나노미터)대 파운드리, 차세대 맞춤형 HBM, 3차원(3D) D램, 본딩 낸드플래시 등을 개발하고 있다. 이 회장이 디지털 트윈, 로봇 등 반도체 생산성을 획기적으로 끌어올릴 기술을 점검한 것도 업계의 이목을 끈다. 디지털 트윈은 공장, 장비, 작업 공정 등을 가상 환경에 동일하게 구현한 모델로, 현장에 가지 않고도 가상...
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'2025 대한민국 ICT 대상' 시상식 개최…산업 혁신 이끈 15개 기업·유공자 선정 2025-12-11 09:25:08
발전에 이바지) ▲㈜아이웨이(디지털 트윈 기반 서비스 개발, 지역 IT 일자리 창출, 가족친화·유연근무제 확산 등을 통해 지역 경제 활성화 및 지속가능 경영 실천에 기여) ▲펜타시큐리티㈜ (웹방화벽 ‘WAPPLES’를 통해 국내외 10,000여 고객사의 개인정보 보호와 주요 인프라 보안 강화) ▲주식회사 케이아이오티(객체...
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엔비디아 GPU 10만장 효과는…삼성 수율 제고·SK 캐파확대 2025-11-04 11:39:09
나노 공정에서 TSMC보다 먼저 차세대 기술인 게이트올어라운드(GAA)를 도입하며 추격 속도를 좁힐 기반을 마련했기 때문이다. 실제로 삼성전자는 최근 2나노 공정 수주에 잇따라 성공하며 고객사를 확대 중이다. 앞서 테슬라와 총 22조7천648억원 규모의 공급 계약을 체결하고 차세대 칩 A16을 양산하기로 했다. A16은 내년...
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삼성전자, 엔비디아와 업계 최대 AI팩토리 구축…"제조업 혁신" 2025-10-31 15:03:59
1c(10나노급 6세대) D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준(8Gbps) 및 고객 요구를 상회하는 11Gbps 이상의 성능을 구현했다. 현재 삼성전자는 글로벌 전 고객사에 HBM3E를 공급 중이고, HBM4도 샘플 출하를 완료하고 고객사 일정에 맞춰 양산 출하를 준비하고 있다....
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삼성, 엔비디아에 HBM4 공급 임박…업계 최대 'AI 팩토리' 2025-10-31 15:00:00
HBM4 공급을 엔비디아와 긴밀하게 협의 중이다. HBM4의 경우, 1c(10나노급 6세대) D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 JEDEC 표준(8Gbps) 및 고객 요구를 상회하는 11Gbps 이상의 성능을 구현했다. 현재 삼성전자는 글로벌 전 고객사에게 HBM3E를 공급하고 있으며, HBM4도 샘플을 요청한 모든 고객사에...
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[단독] 삼성, 최첨단 EUV 선제 투자…D램·파운드리 '반격 시동' 2025-10-15 17:54:43
하이 NA EUV(모델명 트윈 스캔 EXE:5200B)를 한 대 들여온 뒤 내년 상반기 한 대 더 도입하기로 했다. 삼성전자는 연구개발(R&D)용 하이 NA EUV 장비만 경기 화성캠퍼스에 설치했을 뿐 ‘제품 양산용’으로 하이 NA EUV 장비를 구매하는 것은 이번이 처음이다. 지난해 3월 연구개발(R&D)용으로 하이 NA EUV 장비를 도입한...
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SK하이닉스, 양산용 하이 NA EUV 투입…"1.7배 정밀 회로 구현 가능" 2025-09-03 10:35:30
10나노급 4세대(1a nm) D램에 EUV를 처음 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 확대했다. 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈 스캔 EXE:5200B'로 High NA EUV 최초의 양산용...
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SK하이닉스 '업계 최초' 뭐길래…메모리 개발 속도 높인다 2025-09-03 08:59:40
나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 처음 도입했다. 이후 최첨단 D램 제조에 EUV를 지속해서 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한미세화와 고집적화를 위해선 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요했다는 설명이다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로 하이...
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SK하이닉스, 메모리업계 최초 양산용 차세대 D램 생산장비 도입 2025-09-03 08:39:41
할 수 있다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가...
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