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문 열린 HBM3E 시장…글로벌 3사 양산경쟁 본격화 2024-03-19 15:41:16
도성 접착 필름'이라는 특수 기술로 12단 HBM3E를 8단 적층 제품과 동일한 높이로 구현했다는 점을 강조했다. 마이크론은 자사 HBM3E가 경쟁사 제품보다 전력 소비량이 30% 적다는 점을 내세웠다. 이런 가운데 AI 반도체 선두주자인 엔비디아는 18일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 개최한 개발자...
로이터 "삼성, 칩 생산에 MUF 기술 도입"…삼성 "계획없다"(종합2보) 2024-03-13 17:10:36
이유 중 하나로 일부 생산상의 이슈가 있는 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수했기 때문이라고 봤다. 반면 SK하이닉스는 NCF의 문제점에 대응해 MR-MUF 방식으로 바꿨고 엔비디아에 HBM3 칩을 공급하게 됐다. 시장에서 추산하는 HBM3 칩 수율은 삼성전자 10∼20%, SK하이닉스 60∼70% 수준이지만, 삼성전자 측은 이 같은 수율...
로이터 "삼성, 칩 생산에 MUF 기술 도입 계획"…삼성 "계획없다"(종합) 2024-03-13 11:00:36
일부 생산상의 이슈가 있는 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수했기 때문이라고 봤다. 반면 SK하이닉스는 NCF의 문제점에 대응해 MR-MUF 방식으로 바꿨고 엔비디아에 HBM3 칩을 공급하게 됐다. 삼성전자의 HBM3 칩 수율은 10∼20%가량인 반면, SK하이닉스는 60∼70% 수준이라는 시장 추산이 나오는 상황이다. 삼성전자는 또...
"삼성, 첨단 칩 생산에 'SK하이닉스처럼' MUF 기술 도입 계획" 2024-03-13 10:14:04
이슈가 있는 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수했기 때문이라고 봤다. 반면 SK하이닉스는 NCF의 문제점에 대응해 MR(매스 리플로우)-MUF 방식으로 바꿨고 엔비디아에 HBM3 칩을 공급하게 됐다. 삼성전자의 HBM3 칩 수율은 10∼20%가량인 반면, SK하이닉스는 60∼70% 수준이라는 시장 추산이 나오는 상황이다. 삼성전자는 또...
"삼성이 샘플 돌렸대" 깜짝 소식…하루 만에 300억 몰렸다 2024-02-28 08:26:24
도성접착필름(TC-NCF) 기술을 채택한 것으로 알려졌다. SK증권은 MR-MUF가 TC-NCF에 비해 생산성이 우수하다고 평가했다. 이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 HBM 시장의 3파전이 치열해질 것으로 전망했다. 다만 마이크론에 비해 국내 업체가 반도체 공정·패키징 기술력이 우수해 삼성전자와 SK하이닉스가 본격적인...
삼성의 반격…업계 첫 '12단 HBM3E' 개발 2024-02-27 18:50:10
최소화할 수 있는 자체 기술 ‘어드밴스트 TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)’를 적용한 덕분이다. 이 제품을 엔비디아의 AI가속기에 탑재하면 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어든다. 그런 만큼 기업의 비용 부담도 감소한다. 8단 HBM3를 탑재할 때보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도가 향상되고, 추론의 경우 최대 11.5...
SK하이닉스, 주가 상승 급제동…경쟁심화 우려에 5% 급락(종합) 2024-02-27 15:59:25
용량 모두 50% 이상 향상하면서 '첨단 열압착 비전도성 접착 필름(TC NCF)' 기술로 8단 제품과 동일한 높이로 만들었다는 설명이다. 이보다 앞서 미국의 마이크론 테크놀러지는 24GB 8단 HBM3E의 대량 생산을 시작한다고 밝혔다. HBM3E는 앞으로 나올 엔비디아의 H200 그래픽처리장치(GPU)에 사용되는 반도체로, 이...
'회심의 카드' 꺼내든 삼성…AI 시장 확대에 HBM 경쟁 본격화 2024-02-27 11:25:26
도성 접착 필름(TC NCF)' 기술로 8단 제품과 동일한 높이로 만들었다. 삼성전자는 HBM3E 12단 제품의 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며 이를 상반기 중에 양산할 예정이라고 밝혔다. 6세대 HBM(HBM4)도 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다. 이를 통해 메모리 업계의 주도권을 되찾고 고용량 HBM...
삼성전자, 'HBM3E 12H' 최초 개발…상반기 양산 2024-02-27 11:01:00
대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 'Advanced TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)' 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 또 NCF 소재 두께도 낮추면서 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'를 구현했다. 이를 통해 역시 전작(HBM3 8H) 대비 2...
삼성전자, 업계 최초로 12단 쌓은 HBM3E 개발 성공…상반기 양산 2024-02-27 11:00:10
수 있는 속도다. 삼성전자는 '첨단 열압착 비전도성 접착 필름'(Advanced Thermal Compression Non Conductive Film·이하 첨단 TC NCF) 기술로 12단 적층 제품을 8단 적층 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다고 설명했다. 첨단 TC NCF 기술을 적용하면 HBM 적층 수가 증가하고 칩 두께가...