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"'반도체 지문' 보안 기술로 글로벌 공략"…ICTK, 코스닥 입성 도전 2024-04-26 16:25:34
차지한다. 이정원 대표는 "여러 겹 쌓아 올린 트랜지스터에 뚫어 놓는 수만 개의 미세한 구멍(비아홀) 중 3000여개를 일부러 작게 만든다"며 "이후 공정 과정에서 그 구멍들이 막히는 모양을 고유의 보안키로 만들어 보안칩 자체가 복제되지 못하도록 한다"고 설명했다. 그러면서 "홍채나 지문 등 생체 정보를 보안 기술에...
D램·낸드도 韓 바짝 따라와 2024-04-23 18:20:48
밝혔다. GAA는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 늘려 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하는 ‘게임 체인저’로 평가받는 기술이다. 세계에서 GAA 기술을 상용화한 곳은 삼성전자가 유일하다. 이런 최신 기술을 2016년 설립된 CXMT가 확보했다고 공언한 것이다....
"상따했다가 물렸어요"…하루 만에 17% 폭락 '피눈물' 2024-04-11 07:35:46
트랜지스터를 집적할 수 있는 유리기판이 차세대 기판으로 관심을 끌었다. 이규하 NH투자증권 연구원은 "제이앤티씨는 글로벌 유리기판 소재 업체로 발돋움할 것"이라며 "제이앤티씨는 이미 글로벌 업체들과 공급을 논의하고 있으며, 올해 시제품을 생산하고 2026~2027년께 양산이 본격화할 것"이라고 설명했다. 이러한...
반도체장비 제조업체 상위 5곳 작년 총매출 감소…ASML 1위 2024-04-09 11:58:11
Around) 트랜지스터 아키텍처의 증가와 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI), 클라우드, 자동차, 5G 등 여러 부문에 걸친 '성숙 공정'(Mature Node) 기기에 대한 투자 강화로 전년 대비 16% 증가했다. 메모리 부문의 매출은 전반적인 메모리 웨이퍼 팹 장비 지출 부진, 특히 낸드의 약세로 전년 대비 25% 감소했다. 다만...
美, TSMC에 16조원 파격 지원…첨단반도체 공급망 자국유치(종합2보) 2024-04-08 20:23:00
차세대 나노시트 트랜지스터를 활용해 세계 최첨단 2나노 공정 기술로 생산하는 두 번째 팹은 2028년 조업을 시작할 것"이라고 말했다. 이어 "세 번째 팹은 2나노 혹은 더 진보된 공정으로 2020년대 말부터 칩 생산을 시작할 것"이라며 세 곳의 팹이 첨단·고임금 일자리 6천개가량을 창출할 것이라고 설명했다. 지나...
반도체 파격 지원…美, TSMC에 16조원 제공 2024-04-08 20:13:59
차세대 나노시트 트랜지스터를 활용해 세계 최첨단 2나노 공정 기술로 생산하는 두 번째 팹은 2028년 조업을 시작할 것"이라며 "세 번째 팹은 2나노 혹은 더 진보된 공정으로 2020년대 말부터 칩 생산을 시작할 것"이라고 밝혔다. 이와 관련, 지나 러몬도 상무부 장관은 TSMC의 650억달러 투자는 미국 사상 외국인 직접...
美, 대만 TSMC에 반도체 보조금 9조원 등 16조원 지원(종합) 2024-04-08 19:35:39
차세대 나노시트 트랜지스터를 활용해 세계 최첨단 2나노 공정 기술로 생산하는 두 번째 팹은 2028년 조업을 시작할 것"이라고 말했다. 이어 "세 번째 팹은 2나노 혹은 더 진보된 공정으로 2020년대 말부터 칩 생산을 시작할 것"이라며 세 곳의 팹이 첨단·고임금 일자리 6천개가량을 창출할 것이라고 설명했다. 이와...
'HBM 실수' 되풀이 안한다…삼성, 3D D램으로 135조 시장 반격 2024-04-02 18:26:28
3배 많은 620억 개의 트랜지스터(셀 안에서 전자 흐름을 제어하는 장치)가 수평으로 들어간다. 그러자 또 다른 숙제가 생겼다. 빽빽하게 셀을 욱여넣다 보니 전류 누설, 트랜지스터 간 간섭 같은 부작용이 생긴 것. 삼성전자가 지난달 26~28일 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘 2024’에서 공개한 ‘3D D램’은 이런 문제를...
삼성 '3D D램' 내년 공개…"다시 초격차" 2024-04-02 18:24:42
개에 달하는 셀을 수평으로 배열하는데, 촘촘하게 트랜지스터를 넣다 보니 전류 간섭 현상을 피하기 어렵다. 셀을 수직으로 쌓으면 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상이 줄어든다. 같은 면적에 셀을 더 많이 넣을 수 있어 용량도 크게 늘어난다. 3D D램의 기본 용량은 100Gb(기가비트)로 현재 가장 용량이 큰 D램(36Gb)의...
"中, ASLM 극자외선 장비없이 5나노 반도체 생산 기술 진전" 2024-04-02 10:27:41
4중 패턴화'(SAQP) 특허가 사용됐다. 트랜지스터 밀도와 반도체 성능을 높이기 위해 라인을 여러 개 그리는 기술이다. 중국국가지식재산권국에 제출된 특허 신청서에는 첨단 식각과 리소그래피를 결합한 이 기술이 회로 패턴의 디자인 자유도를 높인다고 설명돼 있다. SAQP 기술을 사용하면 ASLM만 공급할 수 있는 EUV...