삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)의 7세대 제품인 HBM4E 샘플을 세계 최초로 출하했다고 29일 밝혔다. 지난 2월 HBM4(6세대)를 세계 최초로 양산 출하한 지 3개월 만이다.
HBM4E는 HBM4에 쓰인 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) D램과 4나노 파운드리 공정을 적용했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원한다. HBM4 대비 20% 이상 개선된 수치다.
또 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다. HBM4E는 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현했다. 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대할 방침이다.
이외에 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약했다. 에너지 효율과 열 저항 특성을 각각 HBM4 대비 16%, 14% 이상 개선했다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 양산에 들어갈 예정이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 말했다.
원종환 기자 won0403@hankyung.com
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