“한발 앞서 간다” 삼성전자가 꺼낸 승부수

삼성전자가 세계 최대 노광장비 기업 ASML과 협력을 확대하고 2028년 차세대 노광 기술인 ‘하이 NA(High-NA) 극자외선(EUV)’ 장비를 D램 제조에 도입한다.

8일 삼성전자는 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)’에 참여해 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다고 밝혔다.

기존 6인치 포토마스크를 12인치로 확대해 첨단 반도체 생산성과 원가 경쟁력을 높이는 것이 목표다.

삼성전자는 High NA EUV를 활용해 차세대 D램 미세화 경쟁에 선제적으로 대응할 계획이다.

High NA EUV는 기존 EUV보다 더 미세한 회로를 구현할 수 있어 첨단 메모리와 최선단 반도체 공정의 핵심 장비로 꼽힌다.

삼성전자는 지난해 3월 국내 최초로 High NA EUV 장비를 반입한 데 이어 제조 공정 안정성을 조기에 검증해 양산 체계를 빠르게 적용한다는 방침이다.

전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 “AI시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다”며 “삼성전자는 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 ‘Next A’I를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것”이라고 밝혔다.

정유진 기자 jinjin@hankyung.com