삼성전자가 중국 산시성 시안에 건설중인 반도체 공장에 낸드플래시 메모리반도체 후공정 라인을 추가하기 위해 5억달러 규모의 신규 투자를 결정했다고 밝혔습니다.
후공정라인은 내년말 완공을 목표로 내년 1월 착공에 들어가며 현대 건설중인 반도체 공장 인근에 위치하게 됩니다.
이번 투자로 삼성전자의 시안 반도체 설비 관련 투자액은 총 75억달러 규모로 늘어나게 됩니다.
삼성전자는 지난해 9월 내년 가동을 목표로 70억달러를 들여 시안에 10나노미터급 낸드플래시 메모리 생산 공장을 건설하기 위한 공사에 착수한 바 있습니다.
후공정라인은 내년말 완공을 목표로 내년 1월 착공에 들어가며 현대 건설중인 반도체 공장 인근에 위치하게 됩니다.
이번 투자로 삼성전자의 시안 반도체 설비 관련 투자액은 총 75억달러 규모로 늘어나게 됩니다.
삼성전자는 지난해 9월 내년 가동을 목표로 70억달러를 들여 시안에 10나노미터급 낸드플래시 메모리 생산 공장을 건설하기 위한 공사에 착수한 바 있습니다.
관련뉴스
