SK하이닉스, 美인디애나팹 착공…'메이드 인 USA' HBM 만든다

SK하이닉스, 美인디애나팹 착공…'메이드 인 USA' HBM 만든다
40억달러 들여 미국에 짓는 첫 생산시설…2029년부터 미국서 HBM 첫 양산
美정부, 9.5억달러 보조금·대출…퍼듀大 부지에 1천명 고용 규모로 조성
곽노정·강경화·인디애나 주지사·美정치인, 기공식에 총출동


(웨스트라피엣<인디애나州>=연합뉴스) 홍정규 특파원 = 인공지능(AI) 산업의 핵심 요소인 첨단 고대역폭 메모리(HBM)가 우리 기업의 손으로 미국에서 처음으로 만들어지게 된다.
SK하이닉스는 27일(현지시간) 미 인디애나주 웨스트라피엣에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 공장(팹) 기공식을 열었다.
SK하이닉스가 미국에서 건설하는 첫 생산기지로, 오는 2028년 하반기 클린룸(패키징이 이뤄지는 공간)을 완공해 이듬해부터 HBM 양산을 목표로 한다.
지금까지 미국에서 생산된 적 없는 HBM이 한국 기업에 의해 최초로 만들어지는 것이다. 이로써 엔비디아를 비롯한 미 빅테크들이 SK하이닉스의 '메이드 인(Made in) USA' HBM을 사용하게 된다.
AI 기술 패권을 유지하려는 미국이 자국에서 만들어진 HBM을 사용해 AI 가속기를 개발한다는 점에서, '미국산'을 강조하는 도널드 트럼프 행정부의 정책 기조에도 부합하는 측면이 있어 보인다.
SK하이닉스는 인디애나 팹 건설에 약 40억달러를 투자한다. 미국 정부는 반도체법(Chips Act·칩스법)에 따라 최대 4억5천만달러의 보조금, 5억달러의 대출을 제공한다.
인디애나 팹은 한국에서 생산된 D램(RAM) 칩들을 묶거나 쌓아 HBM을 만드는 어드밴스드 패키징(후공정)과 차세대 HBM 연구·개발(R&D)을 병행한다.
현재 SK하이닉스가 생산하는 최신 HBM은 D램을 12장 쌓은 6세대(HBM4)로, 엔비디아의 최첨단 AI 가속기인 '베라 루빈'에도 탑재되는 제품이다.
엔비디아가 AI 가속기 성능을 지속적으로 높일 계획인 만큼, SK하이닉스가 인디애나 팹에서 생산할 HBM도 6세대가 아닌 차세대가 될 가능성이 크다. 현재 SK하이닉스는 7세대(HBM4E)를 개발 중이다.
SK하이닉스는 차세대 HBM 개발과 테스트를 위해 엔지니어링 분야에서 실력을 인정받는 미 퍼듀대학교와 합작하는 R&D 강화 양해각서(MOU)를 맺었다. 이를 통해 퍼듀대의 우수 인재를 유치하겠다는 계획이다.
공장을 건설 중인 곳도 웨스트라피엣에 있는 퍼듀대 부지다. 팹이 본격 가동되면 약 1천명 규모의 인력이 일하게 될 예정이다.
이날 기공식에는 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장을 비롯해 강경화 주미한국대사와 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영(공화·인디애나) 연방 상원의원 등이 참석했다.
zheng@yna.co.kr
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