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노벨물리학상 안드레 가임, 네덜란드 국적 박탈 2025-07-04 23:26:48
그는 2010년 차세대 나노 신소재로 주목받은 2차원 그래핀(graphene) 연구 업적으로 당시 영국에서 함께 연구하던 동료 콘스탄틴 노보셀로프와 노벨 물리학상을 공동 수상했다. 가임 교수는 '공식 노벨상'뿐 아니라 재미있고 기발한 과학 연구에 주는 이그노벨상(2000년)까지 받은 드문 기록의 보유자이기도 하다....
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탈질 촉매 1위 나노, AI 열풍 타고 '제2 도약' 2025-06-30 17:38:28
2.5배 이상의 가격에 공급할 수 있다. 나노는 지난해 말 미국 디젤 발전기 제조사와 고밀도 셀을 공동 개발하는 데 성공했다. 신 회장은 “도자기를 굽는 과정과 비슷하게 만들어지는 탈질 촉매는 기공이 많이 뚫릴수록 구멍 사이의 내벽이 얇아지는 만큼 깨지기 쉬워 기술 장벽이 높은 분야”라며 “수년간 시행착오 끝에...
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"포스트 HBM 찾아라"…글로벌 열풍 올라탄 K소부장 2025-06-30 17:23:27
2나노급 ‘24기가비트(Gb) GDDR7’을 채택했다. 국내 인쇄회로기판(PCB) 업체 심텍은 GDDR 기판 분야 시장 점유율 1위로, GDDR7 기판을 생산하고 있다. 둘째는 연결과 모듈화를 통해 메모리 기능을 확장하는 기술이다. 연결의 대표 주자는 CXL다. 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU), 시스템온칩(SoC)등 서로 다른...
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로레알 "뷰티의 미래는 테크…최첨단 한국은 최적 파트너" 2025-06-27 17:39:50
뷰티 생태계를 갖춘 나라”라고 설명했다. ◇“셀 바이오 프린트, 내년 亞 판매”로레알과 한국 기업 간 협업은 ‘현재 진행형’이다. 올해 초 세계 최대 가전·IT 전시회 ‘CES 2025’에선 국내 의료기기 업체 나노엔텍과 공동 개발한 개인 맞춤형 피부 분석 기구 ‘로레알 셀 바이오프린트’를 최초 공개했다. 개개인의...
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삼성전자, '엑시노스 2500' 전격 공개…시스템반도체 부활 신호탄 2025-06-24 16:37:31
3나노 공정으로 스마트폰용 AP를 양산한 것은 처음이다. 엑시노스2500은 다음 달 9일 공개하는 폴더블폰 신제품 ‘갤럭시Z 플립7’ 시리즈에 탑재될 것으로 알려졌다. 인공지능(AI) 스마트폰에 최적화된 엑시노스2500은 최대 59TOPS(초당 1조 회 연산) 연산 능력을 제공한다. 전작 대비 39% 향상된 수치다. 그래픽 처리...
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로레알, 나노엔텍과 공동 개발한 '셀 바이오프린트' 공개 2025-06-16 10:13:53
기업 로레알(L'Oreal)이 바이오 의료기기 전문기업 나노엔텍과 공동 개발 중인 피부 진단기기 '셀 바이오프린트'(Cell BioPrint)를 최근 열린 비바테크(VivaTech) 2025에서 공개했다. 비바테크는 프랑스 파리에서 개최되는 유럽 최대 규모의 혁신 기술 전시회다. 이번 행사에서 로레알은 피부의 생물학적 나이,...
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SK하이닉스 "한계 돌파"…초미세 공정 플랫폼 구축 2025-06-10 18:23:57
나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소 혁신을 바탕으로 ‘4F²VG’ 플랫폼과 3차원(3D) D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다”고 밝혔다. 4F²VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 4F²을 적용하면 같은 크기...
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SK하이닉스, 차세대 D램 기술 발표…30년 이끈다 2025-06-10 15:22:06
나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 '4F² VG' 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F²VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 4F²을 적용하면 D램에서...
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SK하이닉스, D램 미래 기술 로드맵 발표…30년 이끈다 2025-06-10 09:51:40
10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F² VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 현재는 6F² 셀이...
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"향후 30년 기반 구축"…SK하이닉스, D램 미래 기술 로드맵 발표 2025-06-10 09:13:25
위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F²VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F²VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. D램은 셀 단위로 데이터를...
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