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누리텔레콤, AMI해외매출로 반기 흑자전환 성공 2013-08-13 11:38:07
신 성장 동력산업으로 추진하고 있는 나노 소재 사업 등에 투자할 계획입니다. 나노 소재 사업을 하기 위해서 2년 전에 설립한 누리비스타의 해외 수주가 가시화 되고 있습니다. 생산 라인을 증설하고 연구 개발비에 집중 투자하여 세계적인 소재 기업으로 육성할 계획입니다. 마지막으로, 국내 스마트그리드 업체 중...
흑연 나노입자로 순수한 그래핀 양자점 개발< KAIST> 2013-08-07 10:18:33
서태석 교수와 물리학과 조용훈 교수 공동 연구팀이 흑연 나노입자를 이용해 순수한 그래핀 양자점을 개발하는데 성공했다고 7일 밝혔다. 양자점은 수 나노미터(㎚,10억분의 1m) 크기 구 형태의 반도체 나노입자로, 높은 효율과 빠른 광자 방출 등으로 차세대 양자정보 통신 기술로 주목받고 있다. 특히 반도...
"삼성전자 V-NAND, 업계 최고 원가 경쟁력 확보 "-KB투자증권 2013-08-07 08:51:30
향후 SSD 시장에서 삼성전자의 독주 가능성이 높아졌다"고 말했습니다. 이런 가운데 삼성전자는 어제(6일) 세계 최초로 수직 구조의 3차원(3D) 낸드플래시 메모리 양산에 돌입했다고 밝힌 바 있습니다. V-NAND란 기존 2D planar NAND의 10나노급에서 발생한 공정 미세화의 한계를 뛰어넘는 획기적 기술을 말합니다....
"메모리 사업 30년 큰 획 그은 신기술" 삼성전자, 모바일 패러다임 바꾼다 2013-08-07 02:05:00
1 정도에 불과한 10나노대 공정으로 단층집을 세밀하게 지었는데 결국 미세 공정의 한계에 부닥친 것이다. 삼성전자는 오밀조밀 붙어 있는 단층 집들을 수직 구조의 원통형 아파트 형태로 바꾸는 발상의 전환을 통해 문제를 풀었다. 평면형 수평 구조인 기존 낸드와 구별하기 위해 3d v-낸드라는 이름을 붙였다. 앞서...
삼성전자, 반도체 사업 새지평 2013-08-06 18:26:17
10나노급 이하 반도체 기술의 한계를 뛰어넘어 앞으로 1테라비트(Tb) 이상의 낸드플래시를 출시할 수 있는 원천 기술을 확보, 낸드플래시 기술을 이끌어 나갈 패러다임을 제시한 것입니다" 제품 용량은 업계 최대인 128Gb(기가비트)입니다. 128기가비트 용량은 1천280억개 메모리 저장장소를 손톱만한 크기의 칩에 담는다는...
대규모 투자 나선 도시바 "삼성 따라잡겠다" 2013-08-06 17:09:22
현재의 19나노미터(1나노미터=10억분의 1m)에서 16~17나노미터로 미세화한 제품을 만들어낼 예정이다. 니혼게이자이는 “도시바의 이번 투자는 메모리 반도체 분야 선두 주자인 삼성전자를 추격하기 위한 것”이라고 전했다. 도시바는 낸드(nand)형 플래시메모리 분야에서 삼성에 이어 세계 시장점유율 2위를 달리고...
<'단독주택'→'고층아파트' 칩 설계로 기술한계 극복> 2013-08-06 14:14:33
20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1m)급 제품이 주력이고, 집적도를 2배로 높인 10나노급제품이 막 개발된 상태다. 하지만 배선 간격이 너무 좁아지자 셀 사이에 간섭 현상이 생기면서 미세화 기술은 한계에 부딪힌 상태다. 이런 상황에서 삼성전자는 칩 설계를 수평에서 수직 구조(3D V-낸드)로 바꾸는발상의...
삼성, 메모리 반도체 물줄기 바꿨다…세계 첫 '수직적층'(V) 낸드 양산 2013-08-06 11:08:55
최초로 양산했다. 이로써 10나노급 이하 반도체 기술의 한계를 뛰어넘어 향후 1테라비트(tb, 1024gb) 이상 낸드플래시를 출시할 수 있는 원천 기술을 확보, 차세대 시장 경쟁에서 앞서가게 됐다. ◆ 미세화 공정 한계 극복 위해 수평 아닌 수직구조 개발 v낸드는 종전까지 수평 구조로 만들던 2차원 셀을 3차원 수직 구조로...
삼성전자, 세계최초 3차원 메모리 반도체 양산 2013-08-06 11:00:01
나노급 대비 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상됐습니다. 지금까지 양산된 낸드플래시 메모리는 게이트에 전하를 저장하는 방식으로 40여 년 전 개발된 플로팅 게이트(Floating Gate) 구조를 적용했습니다. 그러나 최근 10나노급 공정 도입으로 셀간 간격이 대폭 좁아져 전자가 누설되는 간섭 현상이 심화되는 등...
삼성전자, 세계 최초 '3D 수직구조 낸드플래시' 양산 2013-08-06 10:31:01
20나노미터(nm·1nm = 10억분의1m / 사람 머리카락 굵기의 5천분의 1)급 제품 대비 집적도가 2배 이상 높아졌다. 제품 용량은 업계 최대인 128Gb(기가비트)다. 128기가비트 용량은 1천280억개 메모리 저장장소를 손톱만한 크기의 칩에 담는다는 의미다. 기존 낸드플래시 메모리 제품은 40여년 전 개발된 단층의...