탈달러화 속 중국서 '금 생산량 늘리자' 목소리 2026-02-06 20:56:49

'나노 금'을 비롯해 부가가치가 높은 금 소재 연구를 강화해야 한다고 말했고, 새로운 금 탐사에 나서야 한다는 발언도 나왔다. 홍콩매체 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 중국이 미 달러화에 대한 의존도를 낮추고 중국 내 장신구용·투자용 수요를 맞추기 위해 금 확보 노력을 강화하고 있다고 전했다. 그러면서...

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"우리가 '금' 모으자" 중국 뛰어든 이유가…'파격 전략' 공개 [차이나 워치] 2026-02-06 15:11:59

바이오의학 등 첨단 산업에 활용되는 초미세 나노금 제품이 포함된다. 협회 성명은 내부 관계자들의 발언을 인용해 "자원 안보는 금 산업의 안정적 발전의 기반"이라고 강조했다. 또한 저품질 광석, 채굴이 어려운 광석, 복합 광석에서 금 회수율을 높이는 동시에 새로운 금 탐사 사업을 추진하겠다는 계획도 포함했다.전략...

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"메모리 성장세 지속…SK하이닉스, 양산·수율 경쟁력 뚜렷" 2026-02-06 10:53:47

HBM4에 TSMC의 12나노 베이스 다이와 5세대 10나노급 D램(1b) 공정을 활용하고 있으며, HBM3E로 검증된 양산 능력과 안정적인 수율, 고객사와의 파트너십 등을 앞세워 HBM4에서도 압도적인 시장 우위를 달성한다는 방침이다. burning@yna.co.kr (끝) <저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포, AI 학습 및 활용 금지>

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삼성전자, 평택에 HBM4 신규 라인 구축…생산량 확대 2026-02-05 18:42:31

업계에 따르면 평택캠퍼스 'P4'에 내년 1분기까지 10나노 6세대(1c) D램 생산 라인을 새롭게 구축하겠다는 전략을 세웠다. 해당 라인은 월 10만∼12만장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 규모로 전해졌다. 1c D램은 HBM4에 탑재되는 최선단 D램으로, HBM4에는 총 12개의 1c D램이 탑재된다. 삼성전자는 올해 엔비디아,...

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[단독] 자신감 붙은 삼성…HBM4용 D램 투자로 주도권 쥔다 2026-02-05 18:07:54

삼성전자가 경기 평택4공장(P4)에 대규모 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) D램 라인을 증설하는 것은 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 수요에 적극 대응하기 위한 목적으로 분석된다. 삼성전자는 올 하반기 HBM 시장의 간판 제품 역할을 할 HBM4와 관련해 ‘큰손’ 엔비디아의 품질(퀄) 테스트를 가장 먼저...

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[단독] 삼성, HBM4용 D램 '올인'…생산능력 170% 키운다 2026-02-05 17:47:02

6세대 고대역폭메모리(HBM4)에 들어가는 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) D램 생산량을 현재보다 약 170% 늘린다. HBM4 기술 경쟁력이 가파른 회복세를 보이는 데다 인공지능(AI) 관련 빅테크의 D램 수요가 갈수록 늘어나 적극적인 설비 투자를 계획하고 있다는 분석이 나온다. 5일 업계에 따르면 삼성전자는...

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[단독] 삼성전자, HBM4용 D램만 月12만장 규모 증설 2026-02-05 14:36:00

주 재료인 10㎚(나노미터·10억 분의 1m)급 6세대 D램 생산량을 대폭 늘리는 것이 핵심이다. 회사의 HBM4 기술 경쟁력이 가파른 회복세를 띄고 있는 데다, 인공지능(AI) 고객사들의 D램 수요가 갈수록 늘어나면서 적극적인 설비 투자를 계획하고 있는 것으로 해석된다. 5일 업계에 따르면 삼성전자는 회사의 최신 반도체...

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日반도체 재건 가속…TSMC 3나노 양산·라피더스 민간자금 확보(종합) 2026-02-05 13:57:21

3나노(㎚·10억분의 1ｍ) 공정 제품을 양산하겠다는 계획을 일본 정부에 전달했다. 웨이저자 TSMC 회장은 이날 도쿄 총리 관저를 방문해 다카이치 사나에 총리에게 3나노에 상당하는 최첨단 반도체를 일본에서 생산하겠다는 방침을 전했다. 다카이치 총리는 "매우 든든하다"며 "긴밀하게 논의하며 협력하고자 한다"고...

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