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전영현 "삼성이 돌아왔다" 반도체 정상화 선언 2026-01-02 17:54:18
1m) 6세대(1c) D램을 코어다이에 넣고, 두뇌 역할을 하는 베이스다이엔 4㎚ 공정을 쓴 승부수가 통한 결과로 분석된다. 전 부회장은 그럼에도 “자만하면 안 된다”고 선을 그었다. 그는 “HBM 사업 정상화, 파운드리 수주 강화 등 지난해 성과는 기술 리더십 복원을 위한 초석에 불과하다”며 “과거와 같은 월등한 경쟁...
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"삼성이 돌아왔다" 뼈를 깎는 자성 1년 만에…'화려한 선언' 2026-01-02 15:50:20
한단계 앞선 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) D램을 코어다이에 넣고, 두뇌 역할을 하는 베이스다이엔 4㎚ 공정을 쓴 승부수가 통한 결과로 분석된다. 전 부회장은 그럼에도 “자만하면 안 된다”고 선을 그었다. 그는 “HBM 사업 정상화, 파운드리 수주 강화 등 지난해 성과는 기술 리더십 복원을 위한 초석...
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“황제주 등극할까” SK하이닉스 목표가 또 오른다 2026-01-02 09:13:47
평균판매가격(ASP) 격차를 빠르게 줄이고 D램 1c 공정 생산능력(Capa) 램프업(양산 변격화)을 통해 제품 대응력도 지속 강화될 것으로 전망했다. 류 연구원은 “HBM과 범용 D램이라는 양대 엔진 효과가 올해 온기 반영되며 강한 이익 성장을 이끌 것”이라고 강조했다. 정유진 기자 jinjin@hankyung.com
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'마누라랑 자식 빼고 다 바꿔야 하나'…삼성 엔지니어들의 고민 [강해령의 테크앤더시티] 2025-12-31 07:55:55
지금 삼성전자는 10나노미터(㎚·10억 분의 1m)급 6세대(1c) D램 개선으로 분위기가 올라온 상황이죠. 0a D램은 삼성전자가 1c → 1d D램에 이어서 구현할 '차차세대' 제품입니다. 0a는 D램 속에서 가장 미세한 배선 폭이 10나노 아래로 떨어진다는 의미인데요. 업계에서는 삼성이 이때부터 구현하는 제품을...
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"내년 대세는 HBM3E"…삼성·SK하이닉스, HBM4서 판도 바꿀까 2025-12-28 06:01:01
다이와 6세대 10나노급 D램(1c) 공정 등 최신 기술을 적용하며, 내부 기술 평가에서 11.7Gbps(초당 11.7기가비트) 수준의 업계 최고 성능을 확보한 것으로 알려졌다. 경쟁사인 SK하이닉스는 TSMC의 12나노 베이스 다이에 5세대 10나노급 D램(1b) 공정을 활용하고 있다. 특히 삼성전자는 최근 엔비디아의 HBM4 SiP(System in...
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'장비 10대에 3조'…SK하이닉스가 던진 '역대급 승부수' [강해령의 테크앤더시티] 2025-12-27 15:12:41
안팎의 10나노급 6세대(1c) D램 라인 전환도 예상됩니다. 이건 엔비디아의 소캠2를 만들기 위한 의도도 있고요. 소캠2의 주요 재료이기도 하고 범용 D램의 일종인 저전력(LPDDR) D램이 요즘 완전 '동이 났다'고 하죠. LPDDR D램을 활용하는 스마트폰 등 IT 기기 기업들은 가격 급등은 고사하고 칩 찾기가 어려운...
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[삼성전자] 韓 반도체 장비 투자 43조 '역대급'... AI가 제시한 목표주가는? [알파스퀘어 : AI 목표주가] 2025-12-24 10:13:18
10나노급 6세대(1c) D램 공정의 수율을 50% 이상으로 안정화하며 양산 준비를 마쳤다. 이는 내년 하반기 양산 예정인 6세대 HBM(HBM4)의 핵심 기반 기술이다. - 기술 혁신: 삼성전자는 최근 550도 고열을 견디는 신소재 'InGaO'를 활용해 10나노 이하 미세공정의 한계를 극복할 청사진을 제시했다. - 생산 능력:...
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공급과잉 막자…메모리 3사 '질서 있는 증설' 2025-12-21 18:38:23
6세대(1c) D램 공급을 확대하려는 목적이다. 미국 아이다호주 신규 공장의 생산 시점은 2027년 하반기에서 2027년 중반으로 앞당겼다. 뉴욕 신공장은 2026년 착공, 2030년 가동을 목표로 한다. 시장에선 마이크론의 설비투자 확대에 대해 ‘질서 있는 증설’이란 분석을 내놓는다. 30% 안팎으로 추산되는 D램과 낸드플래시...
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삼성·SK, 엔비디아 HBM4 '품질 테스트' 경쟁 2025-12-21 18:37:30
관계자는 “베이스 다이를 경쟁사보다 앞선 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 파운드리(반도체 수탁생산) 공정으로 만들고, 코어 다이까지 SK하이닉스보다 한 세대 앞선 10나노급 6세대(1c) D램으로 제작한 효과를 내부에서 확인한 걸로 안다”고 말했다. 삼성전자, SK하이닉스는 엔비디아와 퀄 테스트와 함께 내년 HBM4...
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범용 D램 품귀가 부른 '가격 역전'…"내년 HBM보다 비싸져" 2025-12-14 18:32:37
엔비디아 공급에 올인하던 SK하이닉스도 최근 전략 선회 움직임이 감지된다. HBM 부문에선 삼성전자와 마찬가지로 당분간 HBM3E 공급에 주력하면서 HBM4의 내년 납품을 준비하고 있다. 경기 이천캠퍼스에선 공정 전환을 통해 최신 범용 D램(1c D램)의 생산능력을 월 14만 장까지 늘려 기존 대비 8배 키우기로 했다. 황정수...
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