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'근원 기술력' 회복한 삼성…"HBM4 테스트 가장 먼저 통과할 것" 2026-01-08 17:51:45
평가되는 10㎚ 6세대(1c) D램과 4㎚ 파운드리 공정을 활용해 HBM4의 동작 속도를 초당 11기가비트(Gb)로 끌어올리는 데 성공한 덕분이다. 트렌드포스는 이날 분석보고서를 통해 “1c D램과 자체 파운드리 베이스 다이로 기술을 선점한 삼성이 가장 먼저 품질 테스트를 통과할 것”으로 전망했다. 엔비디아의 추론용 AI...
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삼성 분기 영업익 20조원, 올해 연간 120조원 노린다 2026-01-08 17:49:47
평가되는 10㎚ 6세대(1c) D램과 4㎚ 파운드리 공정을 활용해 HBM4의 동작 속도를 초당 11기가비트(Gb)로 끌어올리는 데 성공한 덕분이다. 트렌드포스는 이날 분석보고서를 통해 “1c D램과 자체 파운드리 베이스 다이로 기술을 선점한 삼성이 가장 먼저 품질 테스트를 통과할 것”으로 전망했다. 엔비디아의 추론용 AI...
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삼성전자, 1년 만에 글로벌 D램 1위 탈환…매출 192억 달러 2026-01-08 14:27:53
2025년 1분기 처음으로 SK하이닉스에 D램 1위를 내줬다. 최정구 카운터포인트리서치 책임 연구원은 "삼성이 돌아왔다"며 "범용 D램에서 고객의 수요 트렌드에 맞춰 잘 대응하고 있고, HBM4(6세대)에 첨단 노드인 1c 공정과 4나노 로직 공정을 도입해 고객이 요구하는 속도와 발열에서 좋은 성적을 내고 있다"고 평가했다....
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삼성전자, 1년 만에 글로벌 D램 1위 탈환 2026-01-08 14:03:49
1위를 내줬다. 최정구 카운터포인트리서치 책임 연구원은 "삼성이 돌아왔다"며 "범용 D램에서 고객의 수요 트렌드에 맞춰 서버 위주로 잘 대응하고 있고, HBM4(6세대)에 첨단 노드인 1c 공정과 4나노 로직 공정을 도입한 것이 고객이 요구하는 속도와 발열에서 좋은 성적을 내고 있다"고 분석했다. jakmj@yna.co.kr (끝)...
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[주간 소부장] 삼성·SK 장비 발주 본격화...CES 화두는 'AI확산' 2026-01-08 07:00:04
‘1c DRAM’의 증설과 공정 전환을 동시에 추진하고 있습니다. 이 같은 작업이 계획대로 진행되면 삼성전자가 추가로 확보하는 DRAM 생산 능력은 최소 월 14만 장(웨이퍼 기준)에 이를 것으로 업계는 보고 있습니다. SK하이닉스도 공격적인 투자를 이어가고 있습니다. 2026년에는 신규 공장인 M15X에서 연말 기준 월 4만 장...
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전영현 "삼성이 돌아왔다" 반도체 정상화 선언 2026-01-02 17:54:18
1m) 6세대(1c) D램을 코어다이에 넣고, 두뇌 역할을 하는 베이스다이엔 4㎚ 공정을 쓴 승부수가 통한 결과로 분석된다. 전 부회장은 그럼에도 “자만하면 안 된다”고 선을 그었다. 그는 “HBM 사업 정상화, 파운드리 수주 강화 등 지난해 성과는 기술 리더십 복원을 위한 초석에 불과하다”며 “과거와 같은 월등한 경쟁...
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"삼성이 돌아왔다" 뼈를 깎는 자성 1년 만에…'화려한 선언' 2026-01-02 15:50:20
한단계 앞선 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) D램을 코어다이에 넣고, 두뇌 역할을 하는 베이스다이엔 4㎚ 공정을 쓴 승부수가 통한 결과로 분석된다. 전 부회장은 그럼에도 “자만하면 안 된다”고 선을 그었다. 그는 “HBM 사업 정상화, 파운드리 수주 강화 등 지난해 성과는 기술 리더십 복원을 위한 초석...
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“황제주 등극할까” SK하이닉스 목표가 또 오른다 2026-01-02 09:13:47
평균판매가격(ASP) 격차를 빠르게 줄이고 D램 1c 공정 생산능력(Capa) 램프업(양산 변격화)을 통해 제품 대응력도 지속 강화될 것으로 전망했다. 류 연구원은 “HBM과 범용 D램이라는 양대 엔진 효과가 올해 온기 반영되며 강한 이익 성장을 이끌 것”이라고 강조했다. 정유진 기자 jinjin@hankyung.com
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'마누라랑 자식 빼고 다 바꿔야 하나'…삼성 엔지니어들의 고민 [강해령의 테크앤더시티] 2025-12-31 07:55:55
지금 삼성전자는 10나노미터(㎚·10억 분의 1m)급 6세대(1c) D램 개선으로 분위기가 올라온 상황이죠. 0a D램은 삼성전자가 1c → 1d D램에 이어서 구현할 '차차세대' 제품입니다. 0a는 D램 속에서 가장 미세한 배선 폭이 10나노 아래로 떨어진다는 의미인데요. 업계에서는 삼성이 이때부터 구현하는 제품을...
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"내년 대세는 HBM3E"…삼성·SK하이닉스, HBM4서 판도 바꿀까 2025-12-28 06:01:01
다이와 6세대 10나노급 D램(1c) 공정 등 최신 기술을 적용하며, 내부 기술 평가에서 11.7Gbps(초당 11.7기가비트) 수준의 업계 최고 성능을 확보한 것으로 알려졌다. 경쟁사인 SK하이닉스는 TSMC의 12나노 베이스 다이에 5세대 10나노급 D램(1b) 공정을 활용하고 있다. 특히 삼성전자는 최근 엔비디아의 HBM4 SiP(System in...
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