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[삼성전자] 韓 반도체 장비 투자 43조 '역대급'... AI가 제시한 목표주가는? [알파스퀘어 : AI 목표주가] 2025-12-24 10:13:18
10나노급 6세대(1c) D램 공정의 수율을 50% 이상으로 안정화하며 양산 준비를 마쳤다. 이는 내년 하반기 양산 예정인 6세대 HBM(HBM4)의 핵심 기반 기술이다. - 기술 혁신: 삼성전자는 최근 550도 고열을 견디는 신소재 'InGaO'를 활용해 10나노 이하 미세공정의 한계를 극복할 청사진을 제시했다. - 생산 능력:...
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공급과잉 막자…메모리 3사 '질서 있는 증설' 2025-12-21 18:38:23
6세대(1c) D램 공급을 확대하려는 목적이다. 미국 아이다호주 신규 공장의 생산 시점은 2027년 하반기에서 2027년 중반으로 앞당겼다. 뉴욕 신공장은 2026년 착공, 2030년 가동을 목표로 한다. 시장에선 마이크론의 설비투자 확대에 대해 ‘질서 있는 증설’이란 분석을 내놓는다. 30% 안팎으로 추산되는 D램과 낸드플래시...
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삼성·SK, 엔비디아 HBM4 '품질 테스트' 경쟁 2025-12-21 18:37:30
관계자는 “베이스 다이를 경쟁사보다 앞선 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 파운드리(반도체 수탁생산) 공정으로 만들고, 코어 다이까지 SK하이닉스보다 한 세대 앞선 10나노급 6세대(1c) D램으로 제작한 효과를 내부에서 확인한 걸로 안다”고 말했다. 삼성전자, SK하이닉스는 엔비디아와 퀄 테스트와 함께 내년 HBM4...
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범용 D램 품귀가 부른 '가격 역전'…"내년 HBM보다 비싸져" 2025-12-14 18:32:37
엔비디아 공급에 올인하던 SK하이닉스도 최근 전략 선회 움직임이 감지된다. HBM 부문에선 삼성전자와 마찬가지로 당분간 HBM3E 공급에 주력하면서 HBM4의 내년 납품을 준비하고 있다. 경기 이천캠퍼스에선 공정 전환을 통해 최신 범용 D램(1c D램)의 생산능력을 월 14만 장까지 늘려 기존 대비 8배 키우기로 했다. 황정수...
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만들면 '이익률 70%' 대박…삼성·하이닉스 고민 커진 이유 [황정수의 반도체 이슈 짚어보기] 2025-12-10 07:30:05
데 힘쓸 방침이다. 현재 코어다이 10나노 6세대(1c) D램, 베이스다이 4㎚ 공정 적용이란 승부수가 통하는 모습이다. 현재 삼성전자는 품질 테스트를 받는 주요 고객사로부터 상당히 긍정적인 평가를 받는 것으로 알려졌다. 평택캠퍼스를 중심으로 HBM4용 1c D램 라인 투자에 주력하고 있다. HBM3E와 관련해선 브로드컴 등의...
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S&P500 내년 8100 간다?...테라뷰 신규상장 - 와우넷 오늘장전략 2025-12-09 08:30:48
대응 가능하고, 1a에서 1c로의 전환에도 대 응 가능해 고부가 중심의 Mix 개선 부각 전망 - 기업은행: 자본정책 수정을 통한 배당 상향 필요 (NH증권, BUY, 목표주가 2.65만원) - 기업은행은 대표적인 고배당 은행주. 주주환원을 자사주가 아닌 배당으로만 시행하고 있어, 현금 배당을 우선하는 개인주주가 선호하는 종목 -...
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"삼성전자, 글로벌 D램 생산능력 50% 확보…슈퍼사이클 최대 수혜"-KB 2025-12-09 07:31:04
것이란 예상이다. 김 본부장은 "최근 2년간 삼성전자는 HBM3, HBM3E 초기 시장 진입 지연으로 경쟁사들 대비 평균 43% 할인된 주가순자산비율(PBR) 1.5배를 기록 중"이라며 "하지만 1c D램과 4nm 로직다이를 적용한 HBM4의 경우 속도에 최대 강점을 확보하고 있어 빅테크들이 요구하는 스펙 상향과 물량 확대를 동시에...
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삼성, 엔비디아 차세대 D램 대량 수주…'초격차 회복' 발판 마련 2025-12-03 18:27:24
6월 1c D램에 대해 자체 양산승인(PRA)을 하고 관련 설비투자에 나섰다. 업계에선 내년에 삼성전자 D램 생산능력의 30% 이상인 월 20만 장(웨이퍼 기준) 이상을 1c D램에 투입할 것으로 예상하고 있다. 업계 관계자는 “3분기부터 삼성전자 D램 재고가 3~4주 수준으로 공급 부족 상태에 진입했다”며 “소캠이 삼성전자의...
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삼성 HBM4, 내부 성능 테스트 통과 2025-12-03 18:25:01
있다. 기본 재료 역할을 하는 코어다이는 10나노미터(㎚) 6세대(1c) D램, 로직다이(두뇌 역할을 하는 부품)는 4㎚ 파운드리 공정을 활용하는 승부수를 통해 엔비디아가 원하는 ‘동작 속도 초당 11기가비트(Gb) 이상’을 가장 먼저 달성했다. 지난달 26일 열린 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2026’에선 36기가바이트(GB) 용...
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삼성전자, HBM4 내부 품질 테스트 통과…본격 양산 준비 완료 2025-12-03 09:53:45
받는다. 10나노미터(㎚) 6세대(1c) D램에서 코어 다이, 4㎚ 파운드리(반도체 수탁생산) 공정을 활용해 로직 다이(두뇌 역할을 하는 부품)를 개발·생산하는 승부수를 통해 동작 속도 초당 11기가비트(Gb) 이상을 가장 먼저 달성했다. 지난달 26일 열린 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2026’에선 36기가바이트(GB) 용량과 초당...
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