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AMD 올라탄 삼성 HBM…엔비디아도 뚫나 2025-06-13 17:40:51
한 단계 앞선 6세대 10나노급(1c) 공정으로 HBM4를 만들기로 했다. SK하이닉스와 마이크론은 5세대 10나노급(1b) 공정 기반으로 HBM4를 제작하고 있다. 업계에선 엔비디아가 공급망 다변화에 나선 만큼 삼성의 HBM3E 납품은 시간문제로 보고 있다. SK하이닉스가 독식하는 HBM 시장의 판도가 바뀔 수 있다는 얘기다. 업계...
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삼성전자, AMD에 HBM3E 12단 공급…엔비디아 납품 '속도' 2025-06-13 16:50:15
6세대 10나노급(1c) 공정으로 HBM4을 만들어 ‘한방 역전’에 나선다는 계획을 세운 것으로 알려졌다. 업계에선 엔비디아가 납품사 다변화를 추진하고 있는 만큼 삼성의 납품은 시간문제라고 보고 있다. SK하이닉스가 독식하는 HBM 시장의 판도가 바뀔 수 있다는 얘기다. 업계 관계자는 “삼성이 공격적 가격 책정으로...
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미 3대지수 숨고르기, 삼성 우주산업 진출? - 와우넷 오늘장전략 2025-05-21 08:36:27
이러한 선점 효과는 지속될 것이라는 판단. - 향후 2년의 먹거리인 DRAM 1c 공정에도 Soft Landing한 것으로 판단. 초기 가동 국면임에도, 80% 후반의 수율을 확보한 것으로 추정. - 반면, Risk는 줄어들고 있다고 생각. HBM 기반 수익성 강화 속 연내 순 현금 구조 전환이 예상되고, NAND 경쟁력도 향상되고 있다는 판단....
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"SK하이닉스, HBM 선점 효과 지속"-대신 2025-05-21 07:41:49
D램 1c 공정에도 소프트랜딩(연착륙)한 것으로 류 연구원은 판단했다. 그는 "통상 신규 기술의 초기 수율은 60~70%에서 형성되지만 SK하이닉스의 경우 DRAM 1c 초기 가동 국면임에도 80% 후반을 확보한 것으로 추정된다"며 "이는 사업 경쟁력 강화에 긍정적 영향을 미칠 것"이라고 강조했다. 고정삼 한경닷컴 기자...
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"그야말로 기적"…삼성 제치고 '세계 1위' 오른 불굴의 기업 [반도체 포커스] 2025-05-11 09:00:03
분석도 나온다. 최근 10나노(nm)급 6세대(1c) D램, 300단 이상 낸드플래시 등 일반 제품 개발·양산 경쟁에서도 SK하이닉스가 '세계 최초' 타이틀을 가져가는 사례가 늘고 있다. 그동안 SK하이닉스에 있어 삼성전자는 넘기 힘든 벽이었다. 삼성전자의 D램 생산 능력(캐파)은 SK하이닉스의 약 1.5배로 추정된다. R&D...
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이번엔 소금배터리…韓 또 따돌리는 中 2025-05-04 17:53:34
빠르다고 CATL은 설명했다. 1C는 60킬로와트시(㎾h) 용량 배터리를 완전히 충전하는 데 한 시간이 걸린다는 의미다. CATL은 나트륨 배터리가 NCM 배터리보다 안전하다고 주장했다. 현장에서 공개한 영상에서 나트륨 배터리는 드릴로 뚫거나 전기톱으로 잘라도 불이 나지 않았다. 가오 CTO는 “나트륨에 나노 코팅 기술을...
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SK하이닉스, 'TSMC 기술 심포지엄' 참가…HBM 리더십 부각 2025-04-25 09:57:32
10나노(㎚)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 DDR5 D램 기반 고성능 서버용 모듈도 선보였다. 특히 엔비디아, TSMC와의 삼각 협력관계가 관람객들의 이목을 끌었다. SK하이닉스는 HBM3E 8단이 탑재된 엔비디아의 최신 그래픽처리장치(GPU) '블랙웰' 모듈 'B100'과 실리콘관통전극(TSV), 어드밴스드 매스...
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"이게 가능하다니"…中 무서운 기술에 한국 '발칵' 뒤집혔다 2025-04-24 08:29:18
CATL은 설명했다. 1C는 60㎾h(킬로와트시) 용량 배터리를 완전 충전하는 데 한 시간이 걸린다는 의미다. CATL은 나트륨 배터리가 NCM 배터리보다 안전하다고 주장했다. 현장에서 공개한 영상에서 나트륨 배터리는 드릴로 뚫거나 전기톱으로 잘라도 불이 붙지 않았다. 가오 CTO는 “리튬보다 안정적인 물질인 나트륨에...
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"겨울 온다" 충격 전망 내놓더니…반전 상황에 개미들 '환호' [한경우의 케이스스터디] 2025-03-22 12:11:53
확인돼야 밸류에이션 밴드가 올라갈 수 있다는 것이다. 송 연구원은 “삼성전자의 메모리 경쟁력 및 실적의 개선 여부는 HBM 4세대(3E) 12단 재설계 제품이 엔비디아의 인증에 통과할 수 있을지, HBM4에 사용될 1C 나노 D램의 특성이 양호할지, 중국에 공급할 HBM 및 전용 GPU의 판매가 미국 정보에 의해 제한될지에 따라...
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SK하이닉스 "6세대 D램 기술로 HBM 성능↑…1등 위상 공고히" 2025-03-20 14:57:31
리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로, 고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 성장의 필수 기술로 여겨진다. 장 부사장은 이 기술을 세계 최초로 개발한 성과에 대해 "초고속·저전력 제품...
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