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'마누라랑 자식 빼고 다 바꿔야 하나'…삼성 엔지니어들의 고민 [강해령의 테크앤더시티] 2025-12-31 07:55:55
이어서 구현할 '차차세대' 제품입니다. 0a는 D램 속에서 가장 미세한 배선 폭이 10나노 아래로 떨어진다는 의미인데요. 업계에서는 삼성이 이때부터 구현하는 제품을 업계에서는 4F²D램이라고도 합니다. F는 하프 피치의 줄임말인데요. 회로+빈 공간(라인&스페이스) 길이를 절반으로 나눈 값입니다. 쉽게 선폭으로...
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'장비 10대에 3조'…SK하이닉스가 던진 '역대급 승부수' [강해령의 테크앤더시티] 2025-12-27 15:12:41
EUV는 당장 눈앞의 제품인 1d D램을 위한 기기는 아닙니다. 10㎚(0a) 이하 시대, 특히 SK하이닉스가 0b부터 적용할 버티컬 게이트(VG·4F²D램)에 요긴하게 쓸 목적으로 연구할 예정으로 파악됩니다. 내년에 SK하이닉스는 High-NA EUV 노광기 외에도 10대 안팎의 EUV 노광기를 팹에 들이려는 계획을 세우고 있다고 합니다....
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"기본부터 다진다"…삼성, D램·낸드 다시 올인 2024-10-28 18:33:02
10㎚ 미만 1세대 D램(0a D램)을 도입한다. 0a D램의 가장 큰 특징은 낸드플래시처럼 3차원(3D) 구조 기술인 ‘VCT’를 적용해 성능과 안정성을 높인 것이다. VCT D램은 셀 간의 간섭 현상을 줄이고 용량을 늘리기 위해 낸드플래시처럼 셀을 수직으로 쌓은 게 특징이다. AI 시대 저전력 제품도 출시삼성은 HBM의 뒤를 이을...
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