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패키징 '끝판왕' 하이브리드 본딩…삼성, TSMC와 맞붙는다 2026-01-26 15:56:37
적용할 것으로 알려졌다. 삼성은 낸드플래시의 셀 부분과 페리퍼럴(주변회로부) 웨이퍼를 통째로 붙이는 웨이퍼-투-웨이퍼 공정을 활용할 것으로 전해졌다. 도쿄일렉트론(TEL), EVG 등이 이 분야의 강자다. 업계 관계자는 “웨이퍼와 웨이퍼를 붙이려면 오차 범위를 100나노미터 이내로 맞춰야 한다”고 말했다. 삼성전자는...
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[사이테크+] 에디슨이 그래핀 합성?…"전구실험서 그래핀 생성 확인" 2026-01-26 08:52:17
ACS 나노(ACS Nano)에서 그래핀 대량 생산법을 연구하는 과정에서 에디슨 백열전구 실험을 재현한 결과 필라멘트 표면에 특정 형태의 그래핀이 형성된다는 사실을 발견했다고 밝혔다. 연구팀은 이는 그래핀 존재 가능성이 이론으로 제안되기 68년 전, 그래핀 존재가 확인되기 125년 전이며, 콘스탄틴 노보셀로프와 안드레이...
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상처 치료의 판 바뀐다…제네웰, '나노 재생' 기술 품었다 2026-01-20 15:21:08
기대된다”고 말했다. 김장호 나노바이오시스템 대표는 “자사 브랜드 셀로잇을 통해 나노바이오시스템의 세포외기질 기반 나노 기술과 나노 패턴 구현 역량은 이미 글로벌 경쟁력을 입증받았다”며 “차별화된 기술력을 바탕으로 제네웰과 비즈니스 시너지를 창출하겠다”고 말했다. 은정진 기자 silver@hankyung.com
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삼성, 평택·천안에 '하이브리드 본딩' 벨트…최첨단 패키징 승부수 2026-01-18 17:43:42
것으로 알려졌다. 삼성은 낸드플래시의 셀 부분과 페리퍼럴(주변회로부) 웨이퍼를 통째로 붙이는 데 이 공정을 활용할 것으로 전해졌다. 업계 관계자는 “웨이퍼와 웨이퍼를 붙이려면 오차범위를 100㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 이내로 맞춰야 한다”며 “하이브리드 본딩을 고난도 기술로 표현하는 이유”라고 말했다....
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'장비 10대에 3조'…SK하이닉스가 던진 '역대급 승부수' [강해령의 테크앤더시티] 2025-12-27 15:12:41
10나노급 5세대(1b) D램 위주로 채워지고요. 총 월 9만장 가량의 팹 생산능력에 월 4만 5000장~7만장 웨이퍼 라인이 갖춰질 것으로 예상됩니다. M14와 M16 위주로 월 14만 장 안팎의 10나노급 6세대(1c) D램 라인 전환도 예상됩니다. 이건 엔비디아의 소캠2를 만들기 위한 의도도 있고요. 소캠2의 주요 재료이기도 하고...
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삼성전자, 엑시노스 모뎀 5410 공개…저전력·초고속 구현 2025-12-23 17:17:05
4나노 극자외선(EUV) 공정을 활용해 전력 효율을 개선했다. 전작인 엑시노스 모뎀 5400과 비교해 LTE 대기 모드에서는 33%, FR1 대기모드에서는 17% 전력 효율을 높였다. 또한 FR1과 FR2 대역을 동시에 활용하는 '5G NR 듀얼 커넥티비티'를 지원해 최대 14.79Gbps(초당 기가비트)의 초고속 다운로드 속도를 구현한...
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삼성SDI, KGM과 차세대 전기차용 배터리팩 공동 개발 2025-12-23 08:12:40
양극재와 특허 소재인 SCN(실리콘탄소나노복합체) 음극재를 적용해 배터리가 부풀어 오르는 스웰링 현상을 줄이는 동시에 수명은 대폭 늘렸다. 또한 내부 저항을 낮추고 전류 흐름을 최적화하는 탭리스 구조를 적용해 고출력 및 급속충전 성능을 강화했으며, 열 확산 구조 개선과 제조 공정 고도화를 통해 안전성과 품질...
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만들면 '이익률 70%' 대박…삼성·하이닉스 고민 커진 이유 [황정수의 반도체 이슈 짚어보기] 2025-12-10 07:30:05
10나노 6세대(1c) D램, 베이스다이 4㎚ 공정 적용이란 승부수가 통하는 모습이다. 현재 삼성전자는 품질 테스트를 받는 주요 고객사로부터 상당히 긍정적인 평가를 받는 것으로 알려졌다. 평택캠퍼스를 중심으로 HBM4용 1c D램 라인 투자에 주력하고 있다. HBM3E와 관련해선 브로드컴 등의 내년 주문에 대응할 정도의 생산...
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낸드 '400단의 벽' 넘자…SK, 본딩 경쟁 참전 2025-12-08 17:22:49
셀을 쌓아 올렸다. 더 많은 정보를 저장하려면 셀을 더 높이 쌓아야 하지만 이렇게 하면 하단부 페리가 손상될 뿐 아니라 열 방출 능력도 떨어진다. SK하이닉스가 찾은 해법은 하이브리드 본딩이다. 페리와 셀을 각각 다른 웨이퍼에서 만들면 셀을 400단 이상 쌓아도 페리 손상 없이 합칠 수 있어서다. 두 장의 웨이퍼에서...
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[단독] SK하이닉스, 내년 300단대 'V10 낸드' 낸다 [강해령의 테크앤더시티] 2025-12-08 07:12:00
칩을 나노미터 단위로 정밀하게 겹쳐서, 이들이 자연스럽게 이어지도록 맞춰 붙여야 하기 때문이다. 웨이퍼-웨이퍼 하이브리드 본딩 장비는 오스트리아 EVG, 일본 도쿄일렉트론 등이 강세다. ◇삼성전자, YMTC, 기옥시아도 이미 도입 당초 업계에서는 SK하이닉스가 400단 이상의 낸드 이후부터 하이브리드 본딩을 도입할...
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