<앵커>
삼성전자가 HBM 보다 성능이 최대 8배나 높은 3D 메모리인 'zHBM'을 처음으로 공개했습니다.
AI 인프라 수요를 대응하기 위해 고성능 메모리를 개발해 주도권을 확보하겠다는 전략입니다.
메모리 반도체 경쟁사들 뿐만 아니라 새로운 수직 적층 메모리를 개발 중인 인텔과의 격차도 벌리겠다는 목표입니다.
자세한 내용 산업부 홍헌표 기자와 알아보겠습니다.
먼저 삼성이 내놓은 zHBM은 어떤 형태입니까?
<기자>
삼성이 오늘 공개한 새 메모리 zHBM과 인텔이 개발 중인 Z 앵글 메모리(ZAM)에는 모두 알파벳 'Z'가 들어갑니다.
이 글자 Z가 어떤 의미인지 그림을 보면서 설명드리겠습니다.
인텔의 Z는 지그재그 형태의 사선으로 메모리를 연결하는 의미로 쓰였고, 삼성의 Z는 X, Y, Z에서의 3D 공간 개념입니다.
삼성이 그동안 HBM을 GPU 옆에 붙였다면 zHBM은 GPU 위로 HBM을 쌓겠다는 겁니다.
그래서 '옆집'에서 빠르게 왔다갔다 하던 것을 위층에서 엘리베이터를 타고 이동한다고 보면 됩니다.
삼성은 HBM5를 예로 들면서 이 기술이 도입되면 HBM5 보다 성능은 8배, 전력 대비 성능은 3배 높아진다고 밝혔습니다.
<앵커>
아직 HBM4를 양산하고 있는데, HBM5 보다도 성능이 8배 뛰어난 메모리입니다. 삼성이 이 메모리를 벌써 발표한 것은 어떤 의미가 담겨 있습니까?
<기자>
현재 AI 인프라 산업에서 고성능 수요가 폭증하면서 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지고 있습니다.
삼성, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사는 HBM5까지는 구체적인 개발 계획을 갖고 있습니다.
다만 HBM 자체의 대역폭과 속도를 향상시키는 것만으로는 높은 컴퓨팅 성능을 구현하는데 한계를 드러냅니다.
그래서 메모리 설계를 바꾸는 개념으로 zHBM을 제시했습니다.
수직 접합 기술을 활용해 성능과 전력 효율을 극대화하겠다는 겁니다.
삼성은 zHBM과 함께 수직 접합 기술이 들어간 400단 이상의 낸드도 업계 최초로 공개했습니다.
또한 BV, 웨이퍼 본딩, 3 스택 기술 등 다양한 수직 적층, 접합 기술을 선보였습니다.
칩과 칩을 연결하는 첨단 패키징 기술력에 대한 상당한 자신감을 내비쳤다고 볼 수 있습니다.
삼성은 줄기차게 "세계 유일의 메모리, 로직, 파운드리, 패키징까지 '원스톱 솔루션'이 가능하다"고 이야기 하고 있는데, 이번에 그 경쟁력을 보여줬다는 평가입니다.
<앵커>
올해 초에는 미국의 인텔이 일본 소프트뱅크와 연합해서 HBM을 뛰어넘을 차세대 메모리를 개발하겠다고 발표했습니다. Z 앵글 메모리인데, 이 메모리의 경쟁력은 어떻습니까?
<기자>
인텔이 올해 2월 소프트뱅크 자회사인 사이메모리와 HBM을 대체할 적층 메모리를 개발하겠다고 밝혔습니다.
이름은 Z 앵글 메모리(ZAM)인데, 인텔은 HBM 대비 약 3배 높은 용량과 대역폭, 더 낮은 전력 소모를 목표로 하고 있습니다.
PC 시대 강자였던 인텔이 AI 서버 시장에 뛰어들기 위해 새로운 메모리 개발에 나섰습니다.
손정의 소프트뱅크 회장도 일본이 낸드는 강하지만 D램의 외부 의존도가 심화하자 장기적인 자립을 위해 지난 2024년 12월 사이메모리를 만들었습니다.
인텔과 소프트뱅크 서로의 필요가 맞아 떨어졌다고 볼 수 있습니다.
하지만 현재 HBM 시장은 메모리 3사가 장악했고, 인텔은 D램 제조사가 아니어서 직접 뛰어들 수 없습니다.
그래서 HBM과 다른 형태의 메모리를 개발하는 차별화 전략을 선택했습니다.
패키징과 칩 연결기술에 강점이 있기 때문에 설계를 지그재그(Z축)로 바꿔서 해보겠다는 시도입니다.
인텔이 기술 제공을 하고, 사이메모리가 상용화를 맡아 2030년 양산이 목표입니다.
다만 인텔은 HBM을 목표로 하고 있지만, 오늘 삼성이 자신들의 HBM보다 훨씬 뛰어난 성능의 zHBM을 공개하면서 메모리 경쟁력에서 우위에 있음을 증명했다는 평가가 나옵니다.
<앵커>
잘 들었습니다.
삼성전자가 HBM 보다 성능이 최대 8배나 높은 3D 메모리인 'zHBM'을 처음으로 공개했습니다.
AI 인프라 수요를 대응하기 위해 고성능 메모리를 개발해 주도권을 확보하겠다는 전략입니다.
메모리 반도체 경쟁사들 뿐만 아니라 새로운 수직 적층 메모리를 개발 중인 인텔과의 격차도 벌리겠다는 목표입니다.
자세한 내용 산업부 홍헌표 기자와 알아보겠습니다.
먼저 삼성이 내놓은 zHBM은 어떤 형태입니까?
<기자>
삼성이 오늘 공개한 새 메모리 zHBM과 인텔이 개발 중인 Z 앵글 메모리(ZAM)에는 모두 알파벳 'Z'가 들어갑니다.
이 글자 Z가 어떤 의미인지 그림을 보면서 설명드리겠습니다.
인텔의 Z는 지그재그 형태의 사선으로 메모리를 연결하는 의미로 쓰였고, 삼성의 Z는 X, Y, Z에서의 3D 공간 개념입니다.
삼성이 그동안 HBM을 GPU 옆에 붙였다면 zHBM은 GPU 위로 HBM을 쌓겠다는 겁니다.
그래서 '옆집'에서 빠르게 왔다갔다 하던 것을 위층에서 엘리베이터를 타고 이동한다고 보면 됩니다.
삼성은 HBM5를 예로 들면서 이 기술이 도입되면 HBM5 보다 성능은 8배, 전력 대비 성능은 3배 높아진다고 밝혔습니다.
<앵커>
아직 HBM4를 양산하고 있는데, HBM5 보다도 성능이 8배 뛰어난 메모리입니다. 삼성이 이 메모리를 벌써 발표한 것은 어떤 의미가 담겨 있습니까?
<기자>
현재 AI 인프라 산업에서 고성능 수요가 폭증하면서 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지고 있습니다.
삼성, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사는 HBM5까지는 구체적인 개발 계획을 갖고 있습니다.
다만 HBM 자체의 대역폭과 속도를 향상시키는 것만으로는 높은 컴퓨팅 성능을 구현하는데 한계를 드러냅니다.
그래서 메모리 설계를 바꾸는 개념으로 zHBM을 제시했습니다.
수직 접합 기술을 활용해 성능과 전력 효율을 극대화하겠다는 겁니다.
삼성은 zHBM과 함께 수직 접합 기술이 들어간 400단 이상의 낸드도 업계 최초로 공개했습니다.
또한 BV, 웨이퍼 본딩, 3 스택 기술 등 다양한 수직 적층, 접합 기술을 선보였습니다.
칩과 칩을 연결하는 첨단 패키징 기술력에 대한 상당한 자신감을 내비쳤다고 볼 수 있습니다.
삼성은 줄기차게 "세계 유일의 메모리, 로직, 파운드리, 패키징까지 '원스톱 솔루션'이 가능하다"고 이야기 하고 있는데, 이번에 그 경쟁력을 보여줬다는 평가입니다.
<앵커>
올해 초에는 미국의 인텔이 일본 소프트뱅크와 연합해서 HBM을 뛰어넘을 차세대 메모리를 개발하겠다고 발표했습니다. Z 앵글 메모리인데, 이 메모리의 경쟁력은 어떻습니까?
<기자>
인텔이 올해 2월 소프트뱅크 자회사인 사이메모리와 HBM을 대체할 적층 메모리를 개발하겠다고 밝혔습니다.
이름은 Z 앵글 메모리(ZAM)인데, 인텔은 HBM 대비 약 3배 높은 용량과 대역폭, 더 낮은 전력 소모를 목표로 하고 있습니다.
PC 시대 강자였던 인텔이 AI 서버 시장에 뛰어들기 위해 새로운 메모리 개발에 나섰습니다.
손정의 소프트뱅크 회장도 일본이 낸드는 강하지만 D램의 외부 의존도가 심화하자 장기적인 자립을 위해 지난 2024년 12월 사이메모리를 만들었습니다.
인텔과 소프트뱅크 서로의 필요가 맞아 떨어졌다고 볼 수 있습니다.
하지만 현재 HBM 시장은 메모리 3사가 장악했고, 인텔은 D램 제조사가 아니어서 직접 뛰어들 수 없습니다.
그래서 HBM과 다른 형태의 메모리를 개발하는 차별화 전략을 선택했습니다.
패키징과 칩 연결기술에 강점이 있기 때문에 설계를 지그재그(Z축)로 바꿔서 해보겠다는 시도입니다.
인텔이 기술 제공을 하고, 사이메모리가 상용화를 맡아 2030년 양산이 목표입니다.
다만 인텔은 HBM을 목표로 하고 있지만, 오늘 삼성이 자신들의 HBM보다 훨씬 뛰어난 성능의 zHBM을 공개하면서 메모리 경쟁력에서 우위에 있음을 증명했다는 평가가 나옵니다.
<앵커>
잘 들었습니다.
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