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"삼성의 원래 모습" HBM4 자신감 '폭발'…고객사도 '대만족' 2026-02-11 09:49:46
알려졌다. 회사는 HBM4 개발 단계에서 최고 성능을 구현하기 위해 '10나노 6세대(1c) D램 탑재'와 '4나노 파운드리 공정 적용'을 밀어붙였다. 삼성전자 HBM4의 데이터 처리 속도는 JEDEC 표준인 8Gbps(초당 기가비트) 를 넘는 최대 11.7Gbps로 업계 최고 수준을 나타냈다는 평가다. 이는 JEDEC 표준을 37%,...
"이게 진짜 삼성"…엔비디아 뚫은 '신무기', 왕좌 탈환 시동 2026-02-11 09:44:28
삼성전자는 이번 HBM4 개발 단계부터 최고 성능 구현을 위해 10나노 6세대(1c) D램 탑재와 4나노 파운드리 공정 적용이라는 승부수를 던졌다. 삼성전자 HBM4의 데이터 처리 속도는 JEDEC 표준인 8Gbps(초당 기가비트) 를 넘는 최대 11.7Gbps로, 업계 최고 수준이다. 이는 JEDEC 표준을 37%, 이전 세대 HBM3E(9.6Gbps)를 22%...
삼성 송재혁 "HBM4 기술력은 세계 최고…본연 경쟁력 다시 보여주는 것" 2026-02-11 09:22:50
이번 HBM4 개발 단계부터 최고 성능 구현을 위해 10나노 6세대(1c) D램 탑재와 4나노 파운드리 공정 적용이라는 승부수를 던졌다. 그 결과 삼성전자 HBM4의 데이터 처리 속도는 JEDEC 표준인 8Gbps(초당 기가비트)를 넘는 최대 11.7Gbps로, 업계 최고 수준이다. 이는 JEDEC 표준을 37%, 이전 세대 HBM3E(9.6Gbps)를 22%...
'넓게 더 넓게'…차세대 HBM, 면적 싸움에 달렸다 2026-02-10 19:21:40
이유로 '파운드리'가 꼽힙니다. 삼성전자는 HBM4에 1c(10㎚급 6세대) D램과 자체 4나노 파운드리 공정을 적용했습니다. HBM의 맨 아래층인 '베이스 다이'가 두뇌 역할을 하는데요. 삼성은 자체 파운드리 공정을 통해 베이스 다이의 발열을 줄이고 전력 효율을 높였습니다. 특히 HBM4부터는 베이스 다이에...
최태원, 젠슨황과 '치킨 회동'...무슨 대화 나눴나 2026-02-10 09:35:52
있다. SK하이닉스의 HBM4는 4㎚ 파운드리와 10㎚ 6세대(1c) D램 등을 쓰는 삼성전자보다 한 세대 이상 뒤처진 공정(12㎚ 파운드리·1b D램)을 사용하면서도 비슷한 성능을 내는 것으로 알려졌다. 최 회장이 엔비디아와 HBM을 넘어 AI 반도체 등에 대해서도 논의했을 가능성이 크다. 차세대 서버용 메모리 모듈인...
SK·엔비디아, HBM4 넘어 AI 솔루션까지 '밀착 협력' 2026-02-09 18:01:42
1m) 파운드리(반도체 수탁생산)와 10㎚ 6세대(1c) D램 등을 쓰는 삼성전자보다 한 세대 이상 뒤처진 공정(12㎚ 파운드리, 1b D램)을 사용하면서도 비슷한 성능을 내는 것으로 알려졌다. 최 회장은 이날 만남에서 젠슨 황 CEO에게 ‘차질 없는 공급’을 약속한 것으로 알려졌다. 2027년 시장이 본격적으로 열리는 7세대...
엔비디아 올라탄 삼성…HBM4용 D램 생산 170% 늘린다 2026-02-09 15:48:14
채워진다. 지난해 말까지 회사가 보유했던 HBM용 1c D램 생산 능력은 월 7만 장 수준이다. 월 12만 장이 더해져 19만 장 규모가 되면, 전년 대비 생산량이 171% 늘어나는 셈이다. 삼성전자가 이 라인을 증설하는 것은 6세대 HBM4 수요에 적극 대응하기 위한 목적으로 분석된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아서 만든...
"고작 20%라니 실망" 평가에도 꿋꿋…삼성전자 전략의 비밀 [황정수의 반도체 이슈 짚어보기] 2026-02-09 08:20:51
속하고, 1c D램은 현재 D램 제품 중 최첨단이다. 구형으로 평가받는 12㎚ 파운드리에 10㎚ 5세대(1b)를 쓰는 경쟁사 대비 삼성 HBM4의 원가가 높을 수밖에 없다. 수율도 그렇다. 최근 반도체업계에서 HBM4용 1c D램의 수율(전체 생산품에서 양품 비율)이 많이 올라갔다는 얘기가 들리지만, 공정 성숙도가 높아진 경쟁사의...
[사설] 삼성, HBM4 세계 최초 양산…K반도체 '초격차' 확장 기대한다 2026-02-08 17:26:50
위기설까지 돌던 삼성전자는 이번에 10나노 6세대(1c) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다고 한다. 그 결과 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준을 37%나 웃도는 최대 11.7Gbps(초당 기가비트)의 처리 속도와 전력 효율을 구현했다. 메모리 생산부터 파운드리, 패키징까지 독자적으로 수행할 수...
삼성전자, 반도체 기선제압 나선다...설 연휴 후 HBM4 최초 양산 2026-02-08 07:27:14
표준을 능가하는 최고 성능을 목표로 정했다. 이에 따라 이번 HBM4에 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다. 업계 유일의 공정 조합을 채택한 삼성전자 HBM4의 데이터 처리 속도는 JEDEC 표준인 8Gbps를 넘어 최대 11.7Gbps(초당 기가비트)에 달한다. 이는 JEDEC 표준을 37%,...