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삼성전자, HBM4 납품도 유력…내년 메모리 왕좌 되찾는다 2025-10-31 17:23:05
급 1c 공정을 적용했다. 공정 우위를 바탕으로 삼성의 HBM4는 핀(pin)당 11Gbps의 데이터 전송 속도를 구현했다. 데이터 입출력 통로도 기존보다 두 배 늘린 2048개로 총 대역폭을 끌어올렸다. HBM4의 베이스 다이를 외부 업체에 맡기지 않고, 자사의 최첨단 4nm 파운드리 공정을 통해 직접 생산한 것도 삼성전자의 신의 한...
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삼성전자, 엔비디아와 업계 최대 AI팩토리 구축…"제조업 혁신" 2025-10-31 15:03:59
HBM4 공급에 대해 엔비디아와 긴밀하게 협의 중이다. 삼성전자 HBM4는 1c(10나노급 6세대) D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준(8Gbps) 및 고객 요구를 상회하는 11Gbps 이상의 성능을 구현했다. 현재 삼성전자는 글로벌 전 고객사에 HBM3E를 공급 중이고, HBM4도...
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삼성, 엔비디아에 HBM4 공급 임박…업계 최대 'AI 팩토리' 2025-10-31 15:00:00
향상시킨 HBM4 공급을 엔비디아와 긴밀하게 협의 중이다. HBM4의 경우, 1c(10나노급 6세대) D램 기반에 4나노 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해 JEDEC 표준(8Gbps) 및 고객 요구를 상회하는 11Gbps 이상의 성능을 구현했다. 현재 삼성전자는 글로벌 전 고객사에게 HBM3E를 공급하고 있으며, HBM4도 샘플을 요청한 모든...
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"삼성전자 82조 돈방석 앉는다"…지금 들어가야 하나 '술렁' 2025-10-31 07:41:46
1c D램과 4nm 로직다이를 적용, 가장 높은 속도와 저전력 성능을 구현해 이미 HBM4 샘플이 엔비디아에 제출 완료된 상태로 향후 재설계가 필요 없는 것으로 판단돼 엔비디아의 요구를 충족시켜줄 것으로 기대되기 때문"이라고 설명했다. 또 "특히 완판된 내년 HBM 출하량은 HBM3E, HBM4 물량 증가로 전년 대비 2.5배 증가할...
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삼성 HBM, 엔비디아 뚫은 날…이재용·젠슨 황 ‘깐부 치맥' 2025-10-31 00:43:52
수요도 증가할 것으로 전망돼 1c(10나노급 6세대) 생산능력 확대를 추진하고 있다”고 말했다. 삼성전자가 엔비디아 공급망에 합류하면서 HBM 시장의 판도 변화도 예상된다. 이미 AMD와 브로드컴을 고객사로 확보한 삼성전자가 최대 고객사인 엔비디아의 벽을 넘어서면서 시장 점유율 확대가 기대되기 떄문이다. 현재...
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삼성전자 반도체 "역대급 실적"…갤럭시 신작 판매도 '호조' [종합] 2025-10-30 09:46:59
반도체 경기 호조가 지속될 것으로 예상되는 만큼 HBM4 수요 증가에 맞춰 1C 캐파 확대를 통해 적극 대응한다. HBM 판매를 확대하고 차별화된 성능 기반의 HBM4 양산에 집중한다. AI용 DDR5, LPDDR5x, GDDR7 등 고부가 가치 제품 판매 비중도 확대할 방침이다. 낸드도 고용량·고성능 SSD 판매 확대에 주력한다. 시스템LS...
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삼성전자 3분기 영업익 12.2조…HBM3E 엔비디아 납품 공식화(종합) 2025-10-30 09:43:55
지속될 것으로 예상했다. 특히 HBM4 수요 또한 증가할 것으로 전망돼 1c 캐파 확대를 통해 적극 대응할 예정이다. 삼성전자는 HBM 판매를 지속 확대하고 차별화된 성능 기반의 HBM4 양산에 집중할 방침이다. 또한, AI용 DDR5, LPDDR5x, GDDR7 등 고부가 가치 제품 판매 비중을 확대할 계획이다. 파운드리는 2나노 신제품과...
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[긴급진단] 삼성전자 3가지 체크 포인트..."투자 수혜주 주목" 2025-10-30 09:27:19
- 2026년까지 6세대 메모리의 선단 공정 1c D램 중심의 투자 지속 예상되므로 관련 소부장 전략 수립 권장. 초기 4~5개 분기 동안 서버 수요 강세로 인한 가격 상승 트렌드 지속 전망이며, 2026년 하반기부터는 출하량 증가에 따른 소재·부품 기업의 수혜 예상됨. 1c D램과 EUV 관련 블록체인에 주목할 필요가 있음. ●...
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"입도선매 되는 HBM·DDR5…AI發 초호황기 진입" 2025-10-29 17:31:30
최첨단 공정인 10㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m)급 1c(10나노 6세대) 공정으로의 전환을 가속해 서버, 모바일, 그래픽 D램 등 ‘풀라인업’을 갖춰 고객 수요에 전방위적으로 대응한다는 전략이다. 신규 공장 가동 시점도 최대한 앞당기기로 했다. 2027년 상반기로 예정된 용인 반도체클러스터 1기 팹의 가동 시점을 메모리...
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SK하이닉스 "HBM뿐 아니라 일반 메모리도 사실상 완판"(종합) 2025-10-29 11:22:49
수요 증가에 대응한다. 지난해 개발을 완료한 1c 나노 공정 D램은 내년 본격적으로 가동률을 확대해 내년 말 국내 일반 D램 캐파의 절반 이상으로 비중을 높인다. SK하이닉스는 "낸드의 경우 캐파 확장보다는 선단 공정 전환을 통해 생산성을 개선할 계획"이라며 "내년에는 트리플레벨셀(TLC)뿐 아니라 쿼드레벨셀(QLC)...
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