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SK하이닉스 작년 매출·이익·이익률 최고기록…역대급 주주환원(종합) 2026-01-28 17:02:02
D램도 10나노급 6세대(1c나노) DDR5의 본격 양산에 돌입하고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 업계 최대 용량 256GB DDR5 RDIMM 개발을 통해 서버용 모듈 분야 리더십을 입증했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진 속에서도 321단 QLC 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 중심...
SK하이닉스, 역대급 실적…매출 97조·영업익 47조 2026-01-28 16:52:01
실적 창출에 기여했다. 일반 D램도 10나노급 6세대(1c나노) DDR5의 본격 양산에 돌입하고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 업계 최대 용량 256GB DDR5 RDIMM 개발을 통해 서버용 모듈 분야 리더십을 입증했다는 평가다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진 속에서도 321단 QLC 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용...
"TSMC 제친 꿈의 영업이익률" SK하이닉스, 작년 영업익 47조2063억원 2026-01-28 16:38:05
최대 경영 실적 창출에 기여했다. 일반 D램도 10나노급 6세대(1c나노) DDR5의 본격 양산에 돌입하고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 업계 최대 용량 256GB DDR5 RDIMM 개발을 통해 서버용 모듈 분야 리더십을 입증했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진 속에서도 321단 QLC 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용...
SK하이닉스, HBM4도 양보없다…"엔비디아 물량 3분의 2 확보" 2026-01-28 09:04:20
마련했다는 평가가 나온다. 아울러 삼성전자는 이번 HBM4에 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다. 업계 유일한 공정 조합을 채택한 삼성전자 HBM4의 데이터 처리 속도는 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준인 8Gbps를 넘어 최대 11Gbps에 달하는 것으로 전해졌다....
소캠 전선 확장된다…엔비디아 이어 퀄컴·AMD까지 도입 추진 [강해령의 테크앤더시티] 2026-01-28 08:02:15
알려졌다. 삼성전자는 HBM4의 재료인 10나노급 6세대(1c) D램 뿐만 아니라, 소캠2에 들어가는 1b D램 생산량을 늘리기 위한 공정 전환을 진행하고 있는 것으로 파악된다. 1b D램·소캠2 모듈 생산에 대응하는 소재·부품·장비 회사들도 납기를 맞추기 위해 분주하게 움직이고 있다. LPDDR D램의 용도가 늘어나면서 주요...
[단독] "삼성 HBM4 성능 괴물 수준"…3년 절치부심 끝 판도 뒤집어 2026-01-25 17:40:06
6세대(1c) 공정을 적용했다. HBM의 가장 밑단에서 두뇌 역할을 하는 베이스 다이에도 경쟁사가 쓰는 대만 TSMC의 12㎚ 공정보다 몇 세대 앞선 4㎚ 공정을 적용하는 것으로 일찌감치 방향을 잡았다. HBM4 베이스 다이엔 연산 효율을 높이고 에너지를 관리하는 ‘논리회로(로직)’ 설계가 핵심 포인트인데, 4㎚를 쓰면 TSMC를...
[단독] 삼성 고성능 HBM4, 내달 엔비디아 첫 공급 2026-01-25 17:38:38
세대 앞선 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대(1c) 제품으로 하고, 두뇌 역할을 하는 로직 다이에도 라이벌보다 몇 세대 나아간 첨단 공정인 4㎚ 파운드리(반도체 수탁생산)를 적용했다. 지난해 4분기 엔비디아 등 주요 고객사가 AI 가속기 성능을 끌어올리기 위해 HBM4 동작속도를 높여달라고 요청하자, 최고 성능으로...
삼성, TC본더 새 납품사 찾는다…세메스 이어 ASMPT와 공급 논의 2026-01-21 17:07:26
한다. 삼성전자는 10㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m)급 6세대(1c) D램 12개를 이어 붙인 최신 HBM4에서도 TC-NCF 본더를 활용했다. 삼성전자는 TC-NCF 본더를 자회사 세메스와 일본 신카와로부터 가져오고 있다. 최첨단패키징 공정이 모여 있는 천안 사업장에는 두 회사의 장비가 다수 배치됐다. 이런 삼성전자가 ASMPT,...
삼성, TC 본더 다변화 '눈독'…ASMPT와 논의 [강해령의 테크앤더시티] 2026-01-21 07:15:03
삼성전자는 10㎚급 6세대(1c) D램을 활용해 만든 최신 HBM4에서도 TC-NCF 공정으로 D램 칩을 여러 층으로 쌓아올리고 결합했다. 향후 HBM 층이 높아질수록 균일한 압력으로 휨(warpage) 현상 없이 칩을 결합하는 장비 성능이 필요하다. 그간 삼성전자는 TC-NCF 본더 분야에서 자회사인 세메스, 일본의 신카와 장비를 주로...
'근원 기술력' 회복한 삼성…"HBM4 테스트 가장 먼저 통과할 것" 2026-01-08 17:51:45
평가되는 10㎚ 6세대(1c) D램과 4㎚ 파운드리 공정을 활용해 HBM4의 동작 속도를 초당 11기가비트(Gb)로 끌어올리는 데 성공한 덕분이다. 트렌드포스는 이날 분석보고서를 통해 “1c D램과 자체 파운드리 베이스 다이로 기술을 선점한 삼성이 가장 먼저 품질 테스트를 통과할 것”으로 전망했다. 엔비디아의 추론용 AI...