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더 강해졌다…애플, WWDC 열고 차세대 맥북 칩 'M2' 공개 2022-06-07 10:01:01
50% 확장됐고, 최대 24GB이 고속 통합 메모리도 제공한다. M2의 시스템 온 칩(SoC) 디자인은 향상된 2세대 5나노미터 기술을 활용하고 M1 대비 25% 확장된 규모인 200억개의 트랜지스터를 사용해 제작된다. 트랜지스터를 추가 활용해 M2는 M1보다 50% 확장된 초당 100GB 통합 메모리 대역폭을 제공하는 메모리 컨트롤러를...
"극강 기술력"…차세대 반도체 속속 출시 2022-02-16 15:16:45
24Gb(기가비트) DDR5 제품의 샘플을 내놨다. 2020년 10월 업계 최초로 DDR5 D램을 출시한 데 이어 1년2개월 만에 선보인 최대 용량 제품이다. 이를 통해 세계 메모리 반도체 업계에서 DDR5 분야 기술력을 선도했다는 평가를 받았다. 24Gb DDR5(사진)에는 최첨단 노광장비인 EUV(극자외선) 공정을 도입한 10나노 4세대(1a)...
하이닉스 'D램 마케팅'…"배그 쌩쌩 잘 돌아가요" 2022-02-04 17:12:48
최대 용량인 24Gb(기가비트) DDR5 샘플을 출하하는 등 DDR5 기술을 주도하고 있다. SK하이닉스는 이번 대회를 DDR5 D램 인지도를 높이는 계기로 삼을 계획이다. 인텔코리아도 SK하이닉스와 공동 스폰서로 참여한다. 인텔이 최근 출시한 데스크톱 및 노트북 PC용 CPU(중앙처리장치)가 DDR5 D램을 지원한다. 업계는 올해 DDR5...
SK하이닉스, 배틀그라운드 대회 후원…"DDR5 인지도 높이자" 2022-02-04 09:44:54
용량인 24Gb(기가비트) DDR5 샘플을 출하하는 등 DDR5 시장에서 기술을 주도하고 있다. SK하이닉스는 이번 대회를 DDR5 D램 인지도를 높이는 계기로 삼을 계획이다. 인텔코리아도 SK하이닉스와 공동 스폰서로 참여한다. 인텔이 최근 출시한 데스크톱 및 노트북 PC용 중앙처리장치(CPU)가 DDR5 D램을 지원한다. SK하이닉스...
SK하이닉스, 단숨에 글로벌 낸드 2위로 2021-12-22 19:33:47
최대 용량인 24Gb(기가비트) DDR5 제품의 샘플을 출하했다. 극자외선(EUV) 공정을 활용한 10나노 4세대(1a) 기술이 적용됐다. SK하이닉스 관계자는 “글로벌 고객사와의 협의도 순조롭게 되고 있다”며 “낸드플래시뿐 아니라 D램 시장에서도 기술 주도권을 갖기 위해 노력할 것”이라고 말했다. 박신영 기자...
SK하이닉스, 최대용량 D램 샘플 출하 2021-12-15 17:37:40
캐럴린 듀란 인텔 메모리IO기술담당 부사장은 “이번 24Gb 제품은 단일 D램 칩으로는 최대 용량으로 데이터센터 운영 비용의 효율성을 높여주는 강점을 가지고 있다”고 평가했다. 이 제품은 48GB(기가바이트), 96GB 두 가지 모듈로 우선 출시돼 클라우드 데이터센터에 공급될 예정이다. 24Gb 제품 20개를 모으면 48GB,...
SK하이닉스 일냈다…'업계 최초' 24Gb DDR5 샘플 출하 2021-12-15 15:01:05
출시한 바 있다. 이후 1년 2개월 만에 최대 용량 제품을 선보인 것이다. 이번 24Gb DDR5에는 극자외선(EUV) 공정을 도입한 10나노 4세대(1a) 기술이 적용됐다. 또 기존 10나노 2세대(1y) DDR5 제품 대비 칩당 용량이 16Gb에서 24Gb로 향상돼 생산효율이 개선됐고 속도는 최대 33% 빨라졌다고 SK하이닉스는 설명했다. 아울러...
SK하이닉스, 업계 최초 24Gb DDR5 샘플 출하…최대 용량 구현 2021-12-15 10:00:06
데 이어 1년 2개월 만에 최대 용량 제품을 선보였다. 이번 24Gb DDR5에는 극자외선(EUV) 공정을 도입한 10나노 4세대(1a) 기술이 적용됐다. 또한 기존 10나노 2세대(1y) DDR5 제품 대비 칩당 용량이 16Gb에서 24Gb로 향상돼 생산효율이 개선됐고, 속도는 최대 33% 빨라졌다. 아울러 기존 제품 대비 전력 소모를 약 25%...
영화 163편 1초에 전송…SK하이닉스 '초고속 D램' 2021-10-20 17:01:18
용량으로 출시될 예정이다. 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 A4 용지 한 장 두께의 3분의 1인 30㎛(1㎛=100만분의 1m) 높이의 단품 D램 칩을 제작했다. 초박형 D램 칩 12개를 TSV 기술로 위로 쌓아 연결한 게 HBM3다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의...
"풀HD영화 초당 163편 처리"…현존 지구 최고사양 D램 2021-10-20 16:30:35
높아졌다. 이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 수직 연결해했다. SK하이닉스는 HBM3가 인공지능(AI) 기술과 기후변화 해석, 신약개발 등에...